一种芯片封装用硫酸铜电镀液配制装置及方法

    公开(公告)号:CN118908437A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410402683.7

    申请日:2024-04-03

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开了一种芯片封装用硫酸铜电镀液配制装置及方法,涉及芯片封装技术领域,其技术方案要点是:包括五水硫酸铜储罐、负压进料机、进料体积仓、电子秤、硫酸铜溶液配制槽、配制泵一、微孔过滤器一、树脂桶、电镀液配制槽、螺旋喷头、配制泵二、换热器、微孔过滤器二;五水硫酸铜储罐经负压进料机、进料体积仓、电子秤与硫酸铜溶液配制槽连接;硫酸铜溶液配制槽经过微孔过滤器一、树脂桶与电镀液配制槽连通,硫酸铜溶液在硫酸铜溶液配制槽配制后通过配制泵一加入电镀液配制槽;电镀液配制槽与配制泵二、换热器形成循环系统,并经微孔过滤器二进行电镀液充填。本发明的整套配制装置采用自动化仪表及逻辑控制,全流程可实现自动化与智能化操作。

    一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的电解液

    公开(公告)号:CN118186514B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410151138.5

    申请日:2024-02-02

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明提供一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的电解液。其电沉积铜电解液含有加速剂、抑制剂、整平剂等添加剂。本发明提供的添加剂同时具有磺酸基、双硫键以及苯并噻唑结构,以双硫健为中心以对称结构引入苯并噻唑结构,并在分子链两端引入磺酸基,在确保良好的水溶性的同时,加速剂中N+、S原子、噻唑环作为活性位点使所述加速剂吸附在铜表面,加速剂分子两端的磺酸基更好的协同氯离子加速铜离子的沉积。本加速剂不含钠离子,避免后续封测工艺对电信号传输的影响,苯杂环结构设计显著降低了镀层分子间的内应力作用。本发明提供的加速剂配置的电镀液,能够满足深宽比超过1的通孔充填,符合先进封装的要求,具有广阔的应用前景。

    一种微弧陶瓷氧化电镀过程动态监测方法

    公开(公告)号:CN115807257B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202211018142.1

    申请日:2022-08-24

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: C25D21/12 C25D11/06

    摘要: 本发明公开一种微弧陶瓷氧化电镀过程动态监测方法,包括以下步骤:1)对微弧陶瓷氧化槽液进行实时取样,得到待测溶液;2)利用离子源对待测溶液分子进行电离,将得到的离子汇聚成离子束,输入到高分辨质谱仪中;3)利用内置质量分析器对离子束进行质量分析,得到待测溶液中微弧陶瓷氧化槽液各组分的特征离子及其质荷比,并输入到电镀过程动态监测模块中;4)所述电镀过程动态监测模块将待测溶液中微弧陶瓷氧化槽液各组分的特征离子及其质荷比输入到电镀过程动态监测模型中,得到微弧陶瓷氧化槽液各组分实时浓度。对微弧陶瓷氧化电镀过程进行动态监测,为微弧陶瓷氧化生产过程提供了技术支撑。