公开(公告)号：CN107112354A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580071385.3

申请日：2015-11-24

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  刘金储宰 ,  武内英树

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体装置可以包括：在其中具有沟道凹陷部的衬底，在所述衬底中的多个间隔开的浅沟槽隔离(STI)区，以及在所述衬底中间隔开并在一对STI区之间的源极和漏极区。超晶格沟道在所述衬底的沟道凹陷部中并在源极和漏极区之间延伸，所述超晶格沟道包括多个堆叠的层组，并且所述超晶格沟道的每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。替换栅极可以在超晶格沟道之上。

公开(公告)号：CN107810549B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201680036083.7

申请日：2016-05-13

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  武内英树

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 半导体装置可以包括半导体衬底和在半导体衬底上的多个场效应晶体管(FET)。每个FET可以包括：栅极；在栅极的相对侧上的间隔开的源极区和漏极区；垂直堆叠的上超晶格层和下超晶格层以及在源极区和漏极区之间的上超晶格层和下超晶格层之间的体半导体层；以及晕圈注入部，具有垂直限制在上超晶格和下超晶格之间的体半导体层中的峰值浓度。

公开(公告)号：CN106104805B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201480071523.3

申请日：2014-11-21

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  武内秀木 ,  E·特洛特曼

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体装置可以包括衬底和在所述衬底上间隔开的多个鳍片。所述鳍片中的每一个可以包括从所述衬底垂直向上延伸的下部半导体鳍片部分，以及在下部鳍片部分上的至少一个超晶格穿通层。所述超晶格穿通层可以包括多个堆叠的层组，所述超晶格穿通层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。每个鳍片还可以包括在所述至少一个超晶格穿通层上的上部半导体鳍片部分，所述上部半导体鳍片部分从所述至少一个超晶格穿通层垂直向上延伸。所述半导体装置还可以包括在所述鳍片的相对端部处的源极区和漏极区以及覆盖所述鳍片的栅极。

公开(公告)号：CN109791952A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059910.9

申请日：2017-08-08

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  武内英树 ,  M·伊萨

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/329 ,  H01L29/15

Abstract: 一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。该超晶格可以包含堆叠层组，每个层组都包含用于限定基底半导体部分的多个堆叠的基底半导体单层，以及被约束于相邻的基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述至少一个DBRTD还可以包含在第一势垒层上的本征半导体层、在本征半导体层上的第二势垒层，以及在第二超晶格层上的第二掺杂半导体层。

公开(公告)号：CN105900241A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480071521.4

申请日：2014-11-21

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  武内秀木 ,  E·特洛特曼

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/15 ,  H01L29/155 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：衬底上交替的超晶格层和体半导体层的堆叠，每个超晶格层包括多个堆叠的层组，所述超晶格层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述半导体装置可以进一步包括在所述交替的超晶格层和体半导体层的堆叠的上部体半导体层中的间隔开的源极区和漏极区，以及在间隔开的源极区和漏极区之间，在所述上部体半导体层上的栅极，和延伸穿过体层和超晶格层并进入衬底的STI区，并且可以用交替的掺杂剂导电类型对体层进行掺杂。

公开(公告)号：CN111937119B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201980021335.2

申请日：2019-03-08

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·史蒂芬森 ,  R·伯顿 ,  D·康奈利 ,  N·W·寇迪 ,  R·J·梅尔斯 ,  D·筹托夫 ,  E·特洛特曼

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L29/15

Abstract: 半导体器件(30)可包括其中具有沟槽(32)的半导体衬底(31)，和至少部分覆盖沟槽的底部和侧壁部分的超晶格衬层(25)。超晶格衬层可包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定了基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可包括在超晶格衬层上并且具有被超晶格衬层约束在其中的掺杂剂(34)的半导体盖层(33)，和在沟槽内的传导体(36、37)。

公开(公告)号：CN113228229A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980079023.7

申请日：2019-10-30

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： K·D·威克斯 ,  N·W·科迪 ,  M·海塔 ,  R·J·梅尔斯 ,  R·J·斯蒂芬森 ,  L·N·胡特尔三世

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/15

Abstract: 制造半导体器件的方法可包括形成超晶格层和相邻的半导体层。该超晶格层可包括多个堆叠的层组，其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。该方法还可包括将氮扩散至该超晶格层中。

公开(公告)号：CN107112354B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201580071385.3

申请日：2015-11-24

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  刘金储宰 ,  武内英树

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体装置可以包括：在其中具有沟道凹陷部的衬底，在所述衬底中的多个间隔开的浅沟槽隔离(STI)区，以及在所述衬底中间隔开并在一对STI区之间的源极和漏极区。超晶格沟道在所述衬底的沟道凹陷部中并在源极和漏极区之间延伸，所述超晶格沟道包括多个堆叠的层组，并且所述超晶格沟道的每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。替换栅极可以在超晶格沟道之上。

公开(公告)号：CN109791953A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059913.2

申请日：2017-08-08

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  武内英树 ,  M·伊萨

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/329 ,  H01L29/15

Abstract: 一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层，以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。DBRTD还可以包含在第一势垒层上的第一本征半导体层、在第一本征半导体层上的且同样包含超晶格的第二势垒层、在第二势垒层上的第二本征半导体层、在第二本征半导体层上的且同样包含超晶格的第三势垒层。第三本征半导体层可以位于第三势垒层上，第四势垒层可以位于第三本征半导体层上且同样包含超晶格，第二掺杂半导体层位于第四势垒层上。

公开(公告)号：CN106104805A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480071523.3

申请日：2014-11-21

Applicant: 阿托梅拉公司

Inventor： R·J·梅尔斯 ,  武内秀木 ,  E·特洛特曼

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/152 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种半导体装置可以包括衬底和在所述衬底上间隔开的多个鳍片。所述鳍片中的每一个可以包括从所述衬底垂直向上延伸的下部半导体鳍片部分，以及在下部鳍片部分上的至少一个超晶格穿通层。所述超晶格穿通层可以包括多个堆叠的层组，所述超晶格穿通层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层和约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。每个鳍片还可以包括在所述至少一个超晶格穿通层上的上部半导体鳍片部分，所述上部半导体鳍片部分从所述至少一个超晶格穿通层垂直向上延伸。所述半导体装置还可以包括在所述鳍片的相对端部处的源极区和漏极区以及覆盖所述鳍片的栅极。