公开(公告)号：CN102325722A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200980157368.6

申请日：2009-12-23

申请人： 阿里斯技术公司

发明人： 彼得·多德 ,  阿塔纳西奥斯·汤姆·巴尔科斯 ,  杰弗里·道金斯

IPC分类号： C01B33/021 ,  B01J8/02 ,  C01B33/107

CPC分类号： C01B33/035 ,  C01B33/107 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10715 ,  C01B33/10721 ,  C01B33/10731 ,  C01B33/10747 ,  C01B33/10757 ,  C01B33/10773

摘要： 本发明涉及用于生产氯硅烷(主要为三氯硅烷)和从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅的方法和有关材料。用于氯硅烷生产的来源包括共晶或亚共晶铜-硅，所述铜-硅的浓度范围为10wt％至16wt％硅。将共晶或亚共晶铜-硅浇铸成适合于氯化反应器的形状，在氯化反应器它暴露于工艺气体，该工艺气体至少部分地由HCl组成。气体在共晶或亚共晶铜-硅的表面进行反应并以挥发性氯硅烷的形式提取硅。其后可以以致补充所提取的硅量并将材料重铸成所期望的材料形状的方式再循环利用废弃的共晶或亚共晶材料。

公开(公告)号：CN102325723A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200980157371.8

申请日：2009-12-23

申请人： 阿里斯技术公司

发明人： 彼得·多德 ,  阿塔纳西奥斯·汤姆·巴尔科斯 ,  杰弗里·道金斯

IPC分类号： C01B33/039 ,  C01B33/037

CPC分类号： C01B33/035 ,  C01B33/107 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10715 ,  C01B33/10721 ,  C01B33/10742 ,  C01B33/10747 ,  C01B33/10757 ,  C01B33/10773

摘要： 本发明涉及用于生产氯硅烷(主要为三氯硅烷)以及从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅的方法和相应的材料。氯硅烷生产的来源包括共晶或亚共晶铜硅，所述铜硅的浓度范围为10至16wt％硅。将共晶或亚共晶铜硅浇铸成适合于氯化反应器的形状，其中它被暴露于工艺气体，该工艺气体至少部分地由HCl组成。该气体在共晶或亚共晶铜硅的表面进行反应并以挥发性氯硅烷的形式提取硅。消耗的共晶或亚共晶材料其后可以以这样的方式再循环以致补充提取的硅的量并将材料再铸成所期望的材料形状。