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公开(公告)号：CN103415469A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280013504.6
申请日：2012-01-27
申请人： 赢创德固赛有限公司
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10747 , C01B33/1071
摘要： 本发明涉及在压力运行的反应器运行期间减少基于Si的固体沉积制备含氢氯硅烷的方法，所述反应器包含一个或多个反应室，其中在至少一个所述反应室中使至少一种有机氯硅烷与氢反应至少一段时间，其特征在于，对在其中发生反应的可能的多个反应室的至少一个供应至少一段时间的额外的HCl。该额外的HCl优选在所述反应器可能的多个反应室的至少一个中通过四氯化硅与氢的加氢脱卤化反应来制备。
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公开(公告)号：CN102325723A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157371.8
申请日：2009-12-23
申请人： 阿里斯技术公司
发明人： 彼得·多德 , 阿塔纳西奥斯·汤姆·巴尔科斯 , 杰弗里·道金斯
IPC分类号： C01B33/039 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/035 , C01B33/107 , C01B33/1071 , C01B33/10715 , C01B33/10721 , C01B33/10742 , C01B33/10747 , C01B33/10757 , C01B33/10773
摘要： 本发明涉及用于生产氯硅烷(主要为三氯硅烷)以及从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅的方法和相应的材料。氯硅烷生产的来源包括共晶或亚共晶铜硅，所述铜硅的浓度范围为10至16wt％硅。将共晶或亚共晶铜硅浇铸成适合于氯化反应器的形状，其中它被暴露于工艺气体，该工艺气体至少部分地由HCl组成。该气体在共晶或亚共晶铜硅的表面进行反应并以挥发性氯硅烷的形式提取硅。消耗的共晶或亚共晶材料其后可以以这样的方式再循环以致补充提取的硅的量并将材料再铸成所期望的材料形状。
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公开(公告)号：CN104169217A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280052813.4
申请日：2012-10-26
申请人： 斯帕恩特私人有限公司
发明人： 诺伯特·奥尼尔
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10747 , C01B33/10705 , C01F7/60
摘要： 本发明描述了用于制备四卤代硅烷(SiX4)(X＝卤素，尤其是Cl、F)的方法，由经过处理的、含高粘度烃和SiO2和/或硅酸盐的岩石物质或在所述处理期间获得的残留物质进行制备。在所述方法的第一方案中，在卤化氢气流中加热物质，收集或馏出在该加热期间形成的(SiX4)。在第二方案中，将所述物质与氢氟酸(HF)和/或碱金属氟化物或碱土金属氟化物并与硫酸混合，收集或馏出在该混合期间形成的(SiX4)。该方法的特征是特别高的效率，因为初始物质和/或残留物质中存在的碳被有效地用作还原剂和/或能源。
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公开(公告)号：CN102325722A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157368.6
申请日：2009-12-23
申请人： 阿里斯技术公司
发明人： 彼得·多德 , 阿塔纳西奥斯·汤姆·巴尔科斯 , 杰弗里·道金斯
IPC分类号： C01B33/021 , B01J8/02 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/035 , C01B33/107 , C01B33/1071 , C01B33/10715 , C01B33/10721 , C01B33/10731 , C01B33/10747 , C01B33/10757 , C01B33/10773
摘要： 本发明涉及用于生产氯硅烷(主要为三氯硅烷)和从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅的方法和有关材料。用于氯硅烷生产的来源包括共晶或亚共晶铜-硅，所述铜-硅的浓度范围为10wt％至16wt％硅。将共晶或亚共晶铜-硅浇铸成适合于氯化反应器的形状，在氯化反应器它暴露于工艺气体，该工艺气体至少部分地由HCl组成。气体在共晶或亚共晶铜-硅的表面进行反应并以挥发性氯硅烷的形式提取硅。其后可以以致补充所提取的硅量并将材料重铸成所期望的材料形状的方式再循环利用废弃的共晶或亚共晶材料。
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