公开(公告)号：CN105229797A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201380052315.4

申请日：2013-10-07

申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 ,  加州理工学院

发明人： J·P·博斯科 ,  H·A·阿特沃特 ,  G·M·金伯尔 ,  R·K·费斯特 ,  M·W·格鲁特 ,  J·C·史蒂文斯

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/062 ,  H01L31/07 ,  H01L31/072 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109

CPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/062 ,  H01L31/07 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1085 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供用于改善绝缘体层与至少一个含磷族元素化物的膜界面连接的MIS及SIS装置中的所述绝缘层的质量的策略。本发明的原理至少部分基于以下发现：包括例如i-ZnS的硫族元素化物的非常薄(20nm或以下)的绝缘膜出人意料地为在并有磷族元素化物半导体的MIS及SIS器件中的优越隧道势垒。在一方面，本发明涉及一种光伏打装置，所述光伏打装置包括：半导体区域，其包括至少一个磷族元素化物半导体；绝缘区域，其电耦合到所述半导体区域，其中绝缘区域包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度；及整流区域，其按所述绝缘区域电插入于集极区域与所述半导体区域之间的方式电耦合到所述半导体区域。

公开(公告)号：CN103460340A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280017098.0

申请日：2012-02-10

申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 ,  加利福尼亚技术学院

发明人： G·M·金博尔 ,  J·P·博斯科 ,  H·A·沃特 ,  N·S·刘易斯 ,  M·W·德格洛特 ,  J·C·斯特文斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/24

CPC分类号： H01L31/18 ,  C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明提供了制造磷属元素化物组合物、特别是光活性的和/或半导体的磷属元素化物的方法。在许多实施方式中，这些组合物是待整合到广泛的微电子器件中的生长在广泛的合适衬底上的薄膜的形式，所述微电子器件包括光伏器件、光电探测器、发光二极管、β辐生伏特器件、热电器件、晶体管、其他光电子器件等等。总的来说，本发明从合适的源化合物制备这些组合物，其中在第一加工区中蒸气流源自于源化合物，所述蒸气流在不同于第一加工区的第二加工区中进行处理，然后处理过的蒸气流，任选与一种或多种其他成分组合，用来在合适的衬底上生长磷属元素化物薄膜。