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公开(公告)号：CN105229797A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201380052315.4
申请日：2013-10-07
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 加州理工学院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/062 , H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/108 , H01L31/109
CPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/062 , H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/1085 , H01L31/109 , H01L31/1828 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供用于改善绝缘体层与至少一个含磷族元素化物的膜界面连接的MIS及SIS装置中的所述绝缘层的质量的策略。本发明的原理至少部分基于以下发现：包括例如i-ZnS的硫族元素化物的非常薄(20nm或以下)的绝缘膜出人意料地为在并有磷族元素化物半导体的MIS及SIS器件中的优越隧道势垒。在一方面，本发明涉及一种光伏打装置，所述光伏打装置包括：半导体区域，其包括至少一个磷族元素化物半导体；绝缘区域，其电耦合到所述半导体区域，其中绝缘区域包括至少一种硫族元素化物且具有在从0.5nm到20nm的范围中的厚度；及整流区域，其按所述绝缘区域电插入于集极区域与所述半导体区域之间的方式电耦合到所述半导体区域。
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公开(公告)号：CN108789186B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810392321.9
申请日：2018-04-27
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24D18/00
摘要： 本发明提供了制造用于抛光衬底如半导体晶片的化学机械抛光(CMP抛光)层的方法，包含提供具有聚合物壳的多个充液微元件的组合物；通过离心空气分级对所述组合物分级以除去细粒和粗颗粒并产生密度为800克/升到1500克/升的充液微元件；以及，通过以下方式形成所述CMP抛光层：(i)将所述分级的充液微元件通过加热转化成充气微元件，然后将它们与液态聚合物基质形成材料混合并浇注或模制所得混合物以形成聚合物垫基质或(ii)将所述分级的充液微元件直接与所述液体聚合物基质形成材料组合，并浇注或模制。
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公开(公告)号：CN105215837B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510329335.2
申请日：2015-06-15
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光衬底的方法，其包含：提供具有压板的抛光机；提供衬底，其中所述衬底具有暴露的氧化硅表面；提供化学机械抛光垫，其包含：聚氨基甲酸酯抛光层；其中所述聚氨基甲酸酯抛光层组合物展现≥0.5mg(KOH)/g的酸值；提供研磨剂浆料，其中所述研磨剂浆料包含水和二氧化铈研磨剂；在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处形成动态接触；以及将所述研磨剂浆料分配到所述化学机械抛光垫的所述聚氨基甲酸酯抛光层的所述抛光表面上位于或接近所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面；且抛光所述衬底。
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公开(公告)号：CN105382680A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510512498.4
申请日：2015-08-19
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
摘要： 抛光垫用于平面化半导体、光学以及磁性衬底中的至少一者。所述抛光垫包括由H12MDI/TDI与聚四亚甲基醚乙二醇的预聚物反应以形成异氰酸酯-封端反应产物而形成的铸造聚氨酯聚合材料。所述异氰酸酯封端反应产物具有8.95重量％到9.25重量％未反应的NCO，并且NH2与NCO化学计量比为102％到109％。所述异氰酸酯封端反应产物用4，4′-亚甲基双(2-氯苯胺)固化剂固化。如在无孔状态下所测量，所述铸造聚氨酯聚合材料在30℃和40℃下用扭转夹具测量的剪切储能模量G′为250MPa到350MPa，并且在40℃下用扭转夹具测量的剪切损耗模量G″为25MPa到30MPa。所述抛光垫具有20体积％到50体积％的孔隙率和0.60g/cm3到0.95g/cm3的密度。
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公开(公告)号：CN105382680B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201510512498.4
申请日：2015-08-19
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
摘要： 抛光垫用于平面化半导体、光学以及磁性衬底中的至少一者。所述抛光垫包括由H12MDI/TDI与聚四亚甲基醚乙二醇的预聚物反应以形成异氰酸酯‑封端反应产物而形成的铸造聚氨酯聚合材料。所述异氰酸酯封端反应产物具有8.95重量％到9.25重量％未反应的NCO，并且NH2与NCO化学计量比为102％到109％。所述异氰酸酯封端反应产物用4，4′‑亚甲基双(2‑氯苯胺)固化剂固化。如在无孔状态下所测量，所述铸造聚氨酯聚合材料在30℃和40℃下用扭转夹具测量的剪切储能模量G′为250MPa到350MPa，并且在40℃下用扭转夹具测量的剪切损耗模量G″为25MPa到30MPa。所述抛光垫具有20体积％到50体积％的孔隙率和0.60g/cm3到0.95g/cm3的密度。
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公开(公告)号：CN108789186A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810392321.9
申请日：2018-04-27
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
IPC分类号： B24D18/00
CPC分类号： B24D18/0009 , B24B37/24 , B24D3/28
摘要： 本发明提供了制造用于抛光衬底如半导体晶片的化学机械抛光(CMP抛光)层的方法，包含提供具有聚合物壳的多个充液微元件的组合物；通过离心空气分级对所述组合物分级以除去细粒和粗颗粒并产生密度为800克/升到1500克/升的充液微元件；以及，通过以下方式形成所述CMP抛光层：(i)将所述分级的充液微元件通过加热转化成充气微元件，然后将它们与液态聚合物基质形成材料混合并浇注或模制所得混合物以形成聚合物垫基质或(ii)将所述分级的充液微元件直接与所述液体聚合物基质形成材料组合，并浇注或模制。
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公开(公告)号：CN105215837A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510329335.2
申请日：2015-06-15
申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013 , B24B53/017 , H01L21/31053 , B24B37/044 , B24B37/24 , H01L21/02013
摘要： 本发明提供一种化学机械抛光衬底的方法，其包含：提供具有压板的抛光机；提供衬底，其中所述衬底具有暴露的氧化硅表面；提供化学机械抛光垫，其包含：聚氨基甲酸酯抛光层；其中所述聚氨基甲酸酯抛光层组合物展现≥0.5mg(KOH)/g的酸值；提供研磨剂浆料，其中所述研磨剂浆料包含水和二氧化铈研磨剂；在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处形成动态接触；以及将所述研磨剂浆料分配到所述化学机械抛光垫的所述聚氨基甲酸酯抛光层的所述抛光表面上位于或接近所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面；且抛光所述衬底。
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