公开(公告)号：CN105144358A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023152.1

申请日：2014-03-28

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 戎井崇裕 ,  古市昌子 ,  井上修二

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/02 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置的制造方法具备：在成为各个基板的一片原基板的上表面将多个半导体芯片载置且固定于规定的位置的固定工序；通过线缆连接多个半导体芯片的电极和原基板的电极的连接工序；在原基板的上表面且在多个半导体芯片之间浇注树脂而对各半导体芯片的侧方整周进行树脂密封的密封工序；以横跨多个半导体芯片的方式将成为各个保护罩的一片原保护罩粘接于树脂的表面的粘接工序；以及将经由树脂而在原基板粘接有原保护罩的半导体装置集合体切断为各个半导体装置的切断工序。

公开(公告)号：CN105144358B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480023152.1

申请日：2014-03-28

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 戎井崇裕 ,  古市昌子 ,  井上修二

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/02 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置的制造方法具备：在成为各个基板的一片原基板的上表面将多个半导体芯片载置且固定于规定的位置的固定工序；通过线缆连接多个半导体芯片的电极和原基板的电极的连接工序；在原基板的上表面且在多个半导体芯片之间浇注树脂而对各半导体芯片的侧方整周进行树脂密封的密封工序；以横跨多个半导体芯片的方式将成为各个保护罩的一片原保护罩粘接于树脂的表面的粘接工序；以及将经由树脂而在原基板粘接有原保护罩的半导体装置集合体切断为各个半导体装置的切断工序。