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公开(公告)号：CN102369306A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080015804.9
申请日：2010-03-30
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
CPC分类号： C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L51/56
摘要： 本发明提供一种用于沉积一薄膜的装置、一种适用于所述装置的用于沉积一薄膜的方法、以及一种包含所述装置的用于沉积一薄膜的系统，所述装置包含：一腔室，用以提供一反应空间；一第一基板支架及一第二基板支架，彼此间隔开并安装于所述腔室中；以及一沉积源，安装于所述第一基板支架与所述第二基板支架之间，且用以于所述第一基板支架与所述第二基板支架的方向依序供应一沉积原料。根据本发明，因可透过设置于各所述工艺腔室中的单个沉积源对设置于各所述工艺腔室中的二或更多条生产线依序执行薄膜工艺，故可节约制造成本并同时提高生产率。
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公开(公告)号：CN102422455B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201080021214.7
申请日：2010-05-10
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种基板处理系统，更详细而言，涉及一种具有一污染防止单元的基板处理系统，污染防止单元用以防止在将一基板涂覆以有机化合物工艺期间因有机化合物的散布而污染一腔室的内部。根据本发明的基板处理系统包含一涂覆模块以及一固化模块。涂覆模块包含一喷射单元以及一泵，喷射单元用以喷射有机化合物至一腔室中的基板并安装有一冷却板，冷却板与基板间隔开并形成有一供一冷却剂在其中循环的冷却路径，以防止未涂覆于基板的有机化合物散布，泵安装有一冷阱，位于腔室的一外侧下部，泵经一泵连接管连接至喷射单元，泵连接管于其纵向地延伸方向相交的一方向形成有分支部分或弯曲部分；固化模块用以经由一紫外线灯辐射紫外线至涂覆有机化合物的基板，并包含一加热盘管以加热安装于基板与紫外线灯间的一透射窗口。
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公开(公告)号：CN102422455A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080021214.7
申请日：2010-05-10
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种基板处理系统，更详细而言，涉及一种具有一污染防止单元的基板处理系统，污染防止单元用以防止在将一基板涂覆以有机化合物工艺期间因有机化合物的散布而污染一腔室的内部。根据本发明的基板处理系统包含一涂覆模块以及一固化模块。涂覆模块包含一喷射单元以及一泵，喷射单元用以喷射有机化合物至一腔室中的基板并安装有一冷却板，冷却板与基板间隔开并形成有一供一冷却剂在其中循环的冷却路径，以防止未涂覆于基板的有机化合物散布，泵安装有一冷阱，位于腔室的一外侧下部，泵经一泵连接管连接至喷射单元，泵连接管于其纵向地延伸方向相交的一方向形成有分支部分或弯曲部分；固化模块用以经由一紫外线灯辐射紫外线至涂覆有机化合物的基板，并包含一加热盘管以加热安装于基板与紫外线灯间的一透射窗口。
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公开(公告)号：CN102217038A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980135093.6
申请日：2009-09-01
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/547 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/568
摘要： 一传送腔室，连接至处理腔室；一基板承放部件，位于该处理腔室中，以承放一基板；一沉积源，面对该基板承放部件并储存一来源材料；以及一厚度测量部件，安装于该传送腔室中，以直接测量形成于该基板上的一沉积层的一实际厚度。利用采用该厚度测量部件的该沉积仪器可直接测量及监测该沉积层的实际厚度。因此，通过实时地监测该沉积层的实际厚度并修正用于控制该沉积层的实际厚度的沉积控制厚度，可准确地控制该沉积层的一厚度，进而可提高制作于该基板的一器件的可靠性及良率。
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公开(公告)号：CN102369306B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201080015804.9
申请日：2010-03-30
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
CPC分类号： C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L51/56
摘要： 本发明提供一种用于沉积一薄膜的装置、一种适用于所述装置的用于沉积一薄膜的方法、以及一种包含所述装置的用于沉积一薄膜的系统，所述装置包含：一腔室，用以提供一反应空间；一第一基板支架及一第二基板支架，彼此间隔开并安装于所述腔室中；以及一沉积源，安装于所述第一基板支架与所述第二基板支架之间，且用以于所述第一基板支架与所述第二基板支架的方向依序供应一沉积原料。根据本发明，因可透过设置于各所述工艺腔室中的单个沉积源对设置于各所述工艺腔室中的二或更多条生产线依序执行薄膜工艺，故可节约制造成本并同时提高生产率。
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公开(公告)号：CN102217038B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980135093.6
申请日：2009-09-01
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/547 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/568
摘要： 一传送腔室，连接至处理腔室；一基板承放部件，位于该处理腔室中，以承放一基板；一沉积源，面对该基板承放部件并储存一来源材料；以及一厚度测量部件，安装于该传送腔室中，以直接测量形成于该基板上的一沉积层的一实际厚度。利用采用该厚度测量部件的该沉积仪器可直接测量及监测该沉积层的实际厚度。因此，通过实时地监测该沉积层的实际厚度并修正用于控制该沉积层的实际厚度的沉积控制厚度，可准确地控制该沉积层的一厚度，进而可提高制作于该基板的一器件的可靠性及良率。
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公开(公告)号：CN102216488A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980146469.3
申请日：2009-11-13
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/544
摘要： 本发明涉及一种沉积材料供应装置及一种包含所述沉积材料供应装置的基板处理装置，所述沉积材料供应装置不使所述有机材料劣化的条件下储存大量有机材料并汽化所需量的所述有机材料至基板。所述沉积材料供应装置包含：槽，其中储存空间与汽化空间互相连通，所述储存空间填充有原材料，所述原材料于所述汽化空间中汽化；运送单元，用以连续地或周期性地运送填充于所述储存空间中的所述原材料至所述汽化空间；加热单元，设置于所述槽的所述汽化空间的外侧，用以供应使所述原材料汽化的热量；以及冷却单元，设置于所述储存空间的外侧，以防止储存于所述储存空间中的所述原材料出现热劣化。
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公开(公告)号：CN102421933B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080020337.9
申请日：2010-05-06
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/042 , C23C14/50 , C23C14/541
摘要： 本发明揭示一种薄膜沉积装置，包含：传送室，用以传送基板；以及第一制程室及第二制程室，分别连接至所述传送室的两侧，所述第一制程室与所述第二制程室分别均包含：第一基板固定器及第二基板固定器，被配置成相互间隔开；以及喷射单元，设置于所述第一基板固定器与所述第二基板固定器之间，用以依序供应沉积原料至所述第一基板固定器与所述第二基板固定器。本发明同时揭示一种包含所述装置的薄膜沉积系统。本发明的装置具有多个用以执行相同制程的制程室，所述多个制程室分别连接至每一传送室的两侧，故可同时对多个基板执行薄膜制程，借此改良处理速度。
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公开(公告)号：CN102414798B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201080019359.3
申请日：2010-04-23
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： C23C14/246 , H01L21/67115
摘要： 本发明提供一种原料供应单元、一种包含所述原料供应单元的薄膜沉积装置、以及一种沉积一薄膜的方法。所述原料供应单元包含：一液化部，用以液化一原料；一蒸发部，与所述液化部连通，用以蒸发所述已液化原料；以及一喷射器，与所述蒸发部连通，用以喷射所述已蒸发原料。所述液化部包含：一罐，具有一圆柱形状，用以储存所述原料；一活塞部，插入至所述罐的一侧，用以排放所述原料；以及一液化加热部，用以加热所述罐，以液化所述原料。于一固体原料被液化之后，自所述原料蒸发并供应一必要的部分，进而获得一较大的原料热量并使为蒸发及供应所述原料所耗用的热量最小化。
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公开(公告)号：CN102282648B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201080004944.6
申请日：2010-01-13
申请人： 韩商SNU精密股份有限公司
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/044 , C23C14/24 , C23C14/246
摘要： 本发明提供一种蒸镀装置以及一种薄膜沉积装置及其原料填充方法。该薄膜沉积装置包括：一腔室，具有一内部空间；一基板传送构件，用以固定一基板并在该内部空间内移动该基板；以及数个蒸镀构件，用以供应一沉积原料至该基板，其中各该蒸镀构件被设置成容许其中央延伸线与移动的该基板的一表面形成一锐角。因此，可经由利用这些蒸镀构件沿相对于该基板倾斜的一方向提供蒸发的原料至该基板而形成一薄膜于该基板上，并经由选择性地控制仅一其原料已用尽的蒸镀构件而在不关闭整个装置的条件下填充该原料。
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