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公开(公告)号：CN102684177A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210028543.5
申请日：2012-01-30
申请人： 飞兆半导体公司
发明人： 安德里安·米科莱伊恰克
CPC分类号： H02H9/046
摘要： 在一个一般方面中，一种设备可包括具有经配置以耦合到输出分流装置的输出端子的非线性电力管理装置，所述输出分流装置经配置以响应于跨越所述输出分流装置的电压超过所述输出分流装置的触发电压而分流能量。所述非线性电力管理装置可经配置以响应于与穿过所述非线性电力管理装置的能量脉冲相关联的第一电流而改变为饱和模式。所述设备可包括输入分流装置，所述输入分流装置耦合到所述非线性电力管理装置的输入端子且具有高于所述输出分流装置的所述触发电压的触发电压。所述输入分流装置可经配置以响应于跨越所述非线性电力管理装置的电压降而分流与所述能量脉冲相关联的第二电流。
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公开(公告)号：CN102684142A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210028223.X
申请日：2012-02-03
申请人： 飞兆半导体公司
发明人： 安德里安·米科莱伊恰克
CPC分类号： H02H3/20 , H02H9/025 , H03K17/0822 , H03K2017/0806
摘要： 在一个一般方面中，一种设备可包括过电流保护装置。所述设备可包括过电压保护装置，所述过电压保护装置耦合到所述过电流保护装置且经配置以在所述过电压保护装置的击穿电压响应于热而增加之后致使所述过电流保护装置降低穿过所述过电压保护装置的电流。
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公开(公告)号：CN102684177B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210028543.5
申请日：2012-01-30
申请人： 飞兆半导体公司
发明人： 安德里安·米科莱伊恰克
CPC分类号： H02H9/046
摘要： 在一个一般方面中，一种设备可包括具有经配置以耦合到输出分流装置的输出端子的非线性电力管理装置，所述输出分流装置经配置以响应于跨越所述输出分流装置的电压超过所述输出分流装置的触发电压而分流能量。所述非线性电力管理装置可经配置以响应于与穿过所述非线性电力管理装置的能量脉冲相关联的第一电流而改变为饱和模式。所述设备可包括输入分流装置，所述输入分流装置耦合到所述非线性电力管理装置的输入端子且具有高于所述输出分流装置的所述触发电压的触发电压。所述输入分流装置可经配置以响应于跨越所述非线性电力管理装置的电压降而分流与所述能量脉冲相关联的第二电流。
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公开(公告)号：CN102684142B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210028223.X
申请日：2012-02-03
申请人： 飞兆半导体公司
发明人： 安德里安·米科莱伊恰克
CPC分类号： H02H3/20 , H02H9/025 , H03K17/0822 , H03K2017/0806
摘要： 在一个一般方面中，一种设备可包括过电流保护装置。所述设备可包括过电压保护装置，所述过电压保护装置耦合到所述过电流保护装置且经配置以在所述过电压保护装置的击穿电压响应于热而增加之后致使所述过电流保护装置降低穿过所述过电压保护装置的电流。
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公开(公告)号：CN102610658A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110461353.8
申请日：2011-12-28
申请人： 飞兆半导体公司
发明人： 安德里安·米科莱伊恰克
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/866 , H01L27/02
CPC分类号： H01L29/861 , H01L24/40 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/87 , H01L2224/32245 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
摘要： 在一个一般方面中，一种设备可包括势垒二极管，所述势垒二极管包括耦合到半导体衬底的耐热金属层，所述半导体衬底包括PN结的至少一部分，且所述设备可包括可操作地耦合到所述势垒二极管的过电流保护装置。
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