公开(公告)号：CN104425472B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410442796.6

申请日：2014-09-02

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 武藤晃 ,  古川贵史

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/115 ,  H01L25/162 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0665

摘要： 实现了电子器件性能的改进。第一半导体器件和第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得，例如，在平面图中，所述第二半导体器件的取向与所述第一半导体器件的取向相交。即，第一半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第一发射极端子和第一信号端子被沿着布线板的一对短边在其上延伸的X方向布置。在另一方面，第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第二发射极端子和第二信号端子被沿着布线板的一对长边在其上延伸的Y方向布置。

公开(公告)号：CN105474386B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201480046107.8

申请日：2014-10-06

申请人： 日本精工株式会社

发明人： 须永崇 ,  金子昇 ,  三好修 ,  铃木良一

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/41 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/35847 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37611 ,  H01L2224/4001 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4099 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/8421 ,  H01L2224/84424 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013

摘要： 提供基于焊锡的电连接的可靠性较高并且廉价的半导体模块。电极接合部(36bb)的与裸芯片FET(35)的栅电极(G)的被接合面对置的接合面以及基板接合部(36bc)的与其他的布线图案(33c)的被接合面对置的接合面具备脱气排出机构，该脱气排出机构使在金属板连接器(36b)的焊接时熔融的焊锡中产生的脱气从介于接合面与被接合面之间的焊锡(34c、34f)排出。

公开(公告)号：CN107919341A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710883161.3

申请日：2017-09-26

申请人： 英飞凌科技美国公司

发明人： 赵应山

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/181 ,  H02M3/158 ,  H02M7/003 ,  H02M7/2173 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121

摘要： 在一些示例中，一种装置包括输入引线框架段和考引线框架段，所述参考引线框架段与所述输入引线框架段电隔离。所述装置还包括至少四个晶体管，所述至少四个晶体管包括电连接到所述输入引线框架段的至少两个高压侧晶体管，和电连接到所述参考引线框架段的至少两个低压侧晶体管。所述装置还包括至少两个开关元件，其中，所述至少两个开关元件中的每个开关元件电连接到所述至少两个高压侧晶体管中的相应的高压侧晶体管，所述至少两个开关元件中的每个开关元件电连接到所述至少两个低压侧晶体管中的相应的低压侧晶体管，所述至少四个晶体管包括至少一个分立晶体管。

公开(公告)号：CN104253122B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410294771.6

申请日：2014-06-26

申请人： 美格纳半导体有限公司

发明人： 弗朗索瓦·赫伯特

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/781 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：作为单片型管芯的第一管芯，在第一管芯中形成有驱动电路和低侧输出功率器件；设置在第一管芯之上的第二管芯，第二管芯包括高侧输出功率器件；以及设置在第一管芯与第二管芯之间的第一连接单元。

公开(公告)号：CN103681389B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201310439966.0

申请日：2013-09-25

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 舩津胜彦 ,  宇野友彰 ,  植栗徹 ,  佐藤幸弘

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4835 ,  H01L21/4839 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的目的是提高将带施加于基板的后表面时的可靠性，同时确保施加于基板的后表面的带的耐热性。在设置于支撑部件内的沟道的底表面与驱动器IC芯片的上表面之间存在间隙。另一方面，引线框的上表面侧由支撑部件支撑，使得沟道的底表面接触安装于低MOS芯片之上的低MOS夹片的上表面。因而，即使在驱动器IC芯片和低MOS芯片被安装于引线框的上表面侧之上的状态下，带也能够被可靠地施加于引线框的后表面，特别地，施加于产品区的后表面。

公开(公告)号：CN104617073B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510023952.X

申请日：2015-01-19

申请人： 苏州固锝电子股份有限公司

发明人： 张雄杰 ,  何洪运 ,  程琳

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L2224/36 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明一种用于小信号的二极管器件，包括：第一引线条、第二引线条、连接片和二极管芯片；所述连接片两端之间依次为条形区、梯形区和宽体区，所述宽体区的宽度至少为条形区的宽度的3倍，所述条形区末端具有向下的第一弯曲部，所述宽体区末端具有向下的第二弯曲部；所述第二弯曲部的长度大于第一弯曲部，从而使得第一焊接端高于第二焊接端，所述焊接区两侧边均设置有侧挡块，此第二引线条的焊接区末端设置有端挡块。本发明采用特定的连接片代替了现有0.4mm尺寸以及以下的芯片通过金线和银胶的方案，从工艺设计上解决了由于焊料用量极小、焊料分配稳定性差和精度差的技术问题。

公开(公告)号：CN104103617B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410129154.0

申请日：2014-04-01

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  K·希斯 ,  钟蔡梅

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种多层半导体封装。半导体封装包括：半导体裸片，具有在第一侧的第一电极和相对第一侧的、在第二侧处的第二电极；第一引线，在半导体裸片下，并且连接到在封装的第一层处连接到的第一电极；以及第二引线，具有大于第一引线的高度并且在封装中的第一层之上的第二层处终止，该第二层对应于半导体裸片的高度。在半导体裸片和第二引线之上的单个连续平面结构的连接器在封装的相同的第二层处连接到第二电极和第二引线。

公开(公告)号：CN107611041A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710172718.2

申请日：2017-03-22

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 马可·艾伦·马翰伦

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49565 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/69 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/69 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84214 ,  H01L2224/84385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/84986 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 具有夹具对准凹口的半导体封装和相关方法。在一个实施例中，一种电子组件可包括引线框架及第一半导体裸片。引线框架可包括引线框架顶部侧、与引线框架顶部侧相对的引线框架底部侧，及在引线框架顶部侧处的顶部凹口。顶部凹口可包括顶部凹口基底，顶部凹口基底位于引线框架顶部侧与引线框架底部侧之间，且界定顶部凹口的凹口长度；且顶部凹口还可包括顶部凹口第一侧壁，顶部凹口第一侧壁沿着凹口长度从引线框架顶部侧延伸到顶部凹口基底。第一半导体裸片可包括裸片顶部侧、与裸片顶部侧相对且安装到引线框架顶部侧上的裸片底部侧，及裸片周边。顶部凹口可位于裸片周边的外侧。本文中还揭示其它实例及相关方法。

公开(公告)号：CN104603934B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380044807.9

申请日：2013-08-09

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 藤野纯司 ,  米田裕 ,  大西良孝 ,  菅原济文

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

CPC分类号： H05K1/0203 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/4024 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16172 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/92252 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2076

摘要： 本发明具备：传热板(4)，隔着绝缘层(8)接合散热部件(9)；印制基板(3)，相对传热板(4)隔开规定的间隔地配置，在外侧面形成了的电极图案(32)的附近设置了开口部(3a)；电力用半导体元件(2)，配置于传热板(4)与印制基板(3)之间，背面与传热板(4)接合；以及布线部件(5)，一端与在电力用半导体元件(2)的表面形成了的主电力用电极(21C)的第1接合部接合，另一端与第2接合部(32p)接合，构成为在从主电力用电极(21C)朝向印制基板(3)地在垂直方向上延伸的空间中放入第2接合部(32p)的至少一部分，并且在从开口部(3a)起在垂直方向上延伸的空间中包含第1接合部。

公开(公告)号：CN104617156B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201510026086.X

申请日：2015-01-19

申请人： 苏州固锝电子股份有限公司

发明人： 张雄杰 ,  何洪运 ,  程琳

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L2224/36 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明一种用于微电子器件的整流芯片，包括：第一引线条、第二引线条、连接片和二极管芯片；所述连接片两端之间依次为条形区、梯形区和宽体区，所述宽体区的宽度至少为条形区的宽度的3倍，所述条形区末端具有向下的第一弯曲部，所述宽体区末端具有向下的第二弯曲部；所述第二弯曲部的长度大于第一弯曲部，从而使得第一焊接端高于第二焊接端，所述焊接区两侧边均设置有侧挡块，此第二引线条的焊接区末端设置有端挡块；所述焊料层由5 %锡、92.5 %铅、2.5 %银组成。本发明采用特定的连接片代替了现有0.4mm尺寸以及以下的芯片通过金线和银胶的方案，从工艺设计上解决了由于焊料用量极小、焊料分配稳定性差和精度差的技术问题。