公开(公告)号：CN103531480A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310265352.5

申请日：2013-06-28

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 陈伟泽 ,  H·M·鲍德 ,  R·J·德苏扎 ,  P·M·帕里斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/74 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0036

Abstract: 本发明涉及带有漏极和隔离结构的半导体器件和驱动电路及制造方法。半导体器件和驱动电路包括具有第一导电类型的半导体衬底、隔离结构（包括下沉区域和埋层）、位于所述隔离结构所包含的衬底的区域中的有源器件以及二极管电路。所述埋层位于顶衬底表面之下，并具有第二导电类型。所述下沉区域在所述顶衬底表面和所述埋层之间延伸，并且具有所述第二导电类型。所述有源器件包括所述第二导电类型的漏极区域，以及所述二极管电路连接在所述隔离结构和所述漏极区域之间。所述二极管电路可包括一个或多个肖特基二极管和/或PN结二极管。在其它实施例中，所述二极管电路可包括一个或多个与所述肖特基二极管和/或PN结二极管串联和/或并联的电阻性网络。

公开(公告)号：CN103811553A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310540664.2

申请日：2013-11-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： H·M·鲍德 ,  陈伟泽 ,  R·J·德苏扎 ,  P·M·帕里斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7818 ,  H01L29/782 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/66681

Abstract: 本公开涉及带有通过电阻器电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及其制作方法。半导体器件和驱动电路的实施例包括有第一导电类型的半导体衬底、隔离结构（包括下沉区域和埋层）、位于包含在所述隔离结构的衬底的区域内的有源器件以及电阻器电路。所述埋层位于顶衬底表面下面，并且有第二导电类型。所述下沉区域延伸于所述顶衬底表面和所述埋层之间，并且有所述第二导电类型。所述有源器件包括体区域，该区域通过有所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分与所述隔离结构分开。所述电阻器电路连接在所述隔离结构和所述体区域之间。所述电阻器电路可以包括一个或多个电阻网络以及可选择地包括肖特基二极管和/或一个或多个与所述电阻网络串联和/或并联的PN结二极管。

公开(公告)号：CN103811490A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310540665.7

申请日：2013-11-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 陈伟泽 ,  H·M·鲍德 ,  R·J·德苏扎 ,  P·M.·帕里斯

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/782 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7818

Abstract: 本发明涉及带有由二极管电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及制造方法。提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一导电类型和衬底顶表面；埋层，位于所述衬底顶表面下，其中所述埋层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；下沉区域，位于所述衬底顶表面和所述埋层之间，其中所述下沉区域具有所述第二导电类型，并且隔离结构由所述下沉区域和所述埋层形成;有源器件，位于所述隔离结构所包含的半导体衬底部分内，其中所述有源器件包括所述第二导电类型的体区，其中所述体区和所述隔离结构通过具有所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分隔开，以及二极管电路，连接在所述隔离结构和所述体区之间。

公开(公告)号：CN104465647A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410443255.5

申请日：2014-09-02

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 陈伟泽 ,  P·M·帕里斯

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259

Abstract: 本发明公开了堆叠保护装置及相关制造方法。提供了保护装置结构和相关制造方法及器件。示例的器件包括第一接口(102)、第二接口(104)、耦接到所述第一接口的第一保护电路装置(110)以及耦接到所述第一保护电路装置(110)和所述第二接口之间的第二保护电路装置(112)。所述第二保护电路装置包括第一晶体管和耦接到所述第一晶体管的二极管，其中所述第一晶体管和所述二极管被电串联地配置在所述第一保护电路装置和所述第二接口之间。

公开(公告)号：CN103531631A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310265329.6

申请日：2013-06-28

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： H·M·鲍德 ,  陈伟泽 ,  R·J·德苏扎 ,  P·M·帕里斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7835

Abstract: 本公开涉及带有通过电阻器电路互联的载流区域和隔离结构的半导体器件和驱动电路、及其制作方法。半导体器件和驱动电路的实施例包括具有第一导电类型的半导体衬底、隔离结构（包括下沉区域和埋层）、位于衬底的由隔离结构包含的部分内的有源器件以及电阻器电路。埋层位于顶衬底表面下方，并且具有第二导电类型。下沉区域延伸于顶衬底表面和该埋层之间，并且具有第二导电类型。有源器件包括载流区域（例如第一导电类型的源极区域和/或第二导电类型的漏极区域），以及电阻器电路连接在隔离结构和载流区域之间。电阻器电路可以包括一个或多个电阻网络以及可选地包括肖特基二极管和/或一个或多个与电阻网络串联和/或并联的PN结二极管。