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公开(公告)号：CN102376370B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110195445.6
申请日：2011-07-13
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器块的软编程。提供了一种方法，其包括擦除位(254)以及识别已经通过擦除被过擦除的位(272)。对已经被过擦除的位的第一子集软编程(274)。测量对位的第一子集软编程的结果。基于对位的第一子集软编程的结果，从多个可能的电压条件中选择初始电压条件(276，280)。对已经被过擦除的位的第二子集软编程(258)。所述软编程(258)将初始电压条件应用至位的第二子集中的位。第二子集包括在选择步骤发生时仍是被过擦除的位。结果是对第二子集的软编程可以在用于快速实现所需软编程的更优化的点开始，以将所有位带入期望的擦除情形。
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公开(公告)号：CN101416281B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200680046879.7
申请日：2006-11-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 提供第一晶片(103)和提供具有第一侧面和第二侧面的第二晶片(101)，其中第二晶片包括半导体衬底(105)、存储层(107)和栅极材料层(105)；存储层(107)位于半导体结构(105)和栅极材料层(105)之间；存储层(107)比半导体结构(105)更接近第二晶片(101)的第一侧面。所述方法还包括把第二晶片(101)的第一侧面和第一晶片(103)键合。所述方法还包括键合后，除去所述半导体结构(105)的第一部分，留下一层半导体结构(105)。所述方法还包括形成具有沟道区(203)的晶体管，其中至少该沟道区(203)的一部分从所述一层半导体结构形成。
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公开(公告)号：CN102376370A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110195445.6
申请日：2011-07-13
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3468 , G11C16/0483 , G11C16/16
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器块的软编程。提供了一种方法，其包括擦除位(254)以及识别已经通过擦除被过擦除的位(272)。对已经被过擦除的位的第一子集软编程(274)。测量对位的第一子集软编程的结果。基于对位的第一子集软编程的结果，从多个可能的电压条件中选择初始电压条件(276，280)。对已经被过擦除的位的第二子集软编程(258)。所述软编程(258)将初始电压条件应用至位的第二子集中的位。第二子集包括在选择步骤发生时仍是被过擦除的位。结果是对第二子集的软编程可以在用于快速实现所需软编程的更优化的点开始，以将所有位带入期望的擦除情形。
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公开(公告)号：CN101416281A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200680046879.7
申请日：2006-11-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 提供第一晶片(103)和提供具有第一侧面和第二侧面的第二晶片(101)，其中第二晶片包括半导体衬底(105)、存储层(107)和栅极材料层(105)；存储层(107)位于半导体结构(105)和栅极材料层(105)之间；存储层(107)比半导体结构(105)更接近第二晶片(101)的第一侧面。所述方法还包括把第二晶片(101)的第一侧面和第一晶片(103)键合。所述方法还包括键合后，除去所述半导体结构(105)的第一部分，留下一层半导体结构(105)。所述方法还包括形成具有沟道区(203)的晶体管，其中至少该沟道区(203)的一部分从所述一层半导体结构形成。
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