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公开(公告)号：CN103853225B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310625020.3
申请日：2013-11-28
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G05F3/24
CPC classification number: G05F3/02 , G11C5/147 , G11C16/30 , H03K19/0016
Abstract: 本公开涉及控制半导体电路中电源的系统及方法。一种功率控制电路包括：多个晶体管，耦接在电源节点（VDD）和栅控电压电源节点（VDDi）之间，其中所述多个晶体管（102、104、106）中的第一晶体管的栅电极被耦接以接收功率控制信号，其中，响应于所述功率控制信号的断言，将所述第一晶体管置于导通状态；第一电压比较器（112），其中，响应于所述功率控制信号的断言，当所述栅控电压电源节点上的电压达到第一参考电压时，将所述多个晶体管中的第二晶体管置于导通状态；以及第二电压比较器（114），其中，响应于所述功率控制信号的断言，当所述栅控电压电源节点上的所述电压达到与所述第一参考电压不同的第二参考电压时，将所述多个晶体管中的第三晶体管置于导通状态。
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公开(公告)号：CN102376370A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110195445.6
申请日：2011-07-13
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3468 , G11C16/0483 , G11C16/16
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器块的软编程。提供了一种方法，其包括擦除位(254)以及识别已经通过擦除被过擦除的位(272)。对已经被过擦除的位的第一子集软编程(274)。测量对位的第一子集软编程的结果。基于对位的第一子集软编程的结果，从多个可能的电压条件中选择初始电压条件(276，280)。对已经被过擦除的位的第二子集软编程(258)。所述软编程(258)将初始电压条件应用至位的第二子集中的位。第二子集包括在选择步骤发生时仍是被过擦除的位。结果是对第二子集的软编程可以在用于快速实现所需软编程的更优化的点开始，以将所有位带入期望的擦除情形。
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公开(公告)号：CN102376370B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110195445.6
申请日：2011-07-13
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器块的软编程。提供了一种方法，其包括擦除位(254)以及识别已经通过擦除被过擦除的位(272)。对已经被过擦除的位的第一子集软编程(274)。测量对位的第一子集软编程的结果。基于对位的第一子集软编程的结果，从多个可能的电压条件中选择初始电压条件(276，280)。对已经被过擦除的位的第二子集软编程(258)。所述软编程(258)将初始电压条件应用至位的第二子集中的位。第二子集包括在选择步骤发生时仍是被过擦除的位。结果是对第二子集的软编程可以在用于快速实现所需软编程的更优化的点开始，以将所有位带入期望的擦除情形。
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公开(公告)号：CN104052264A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095381.6
申请日：2014-03-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G05F1/46 , H02M1/15 , H02M3/07 , H02M2001/0045 , H02M2003/071
Abstract: 本发明涉及负电荷泵调节。负电荷泵（110）对泵使能信号（410）进行响应。压控电流源（120）提供电流（350）。电阻器（150）耦合至源自所述压控电流源的结点（351）和源自所述负电荷泵的负电荷输出（325）之间。电容器（142）被设置为与所述电阻器并联。比较器（130）生成所述泵使能信号以控制所述负电荷泵。所述比较器耦合至所述电阻器和所述电容器，并且测量跨其的IR降并且将该测量结果相对于参考阈值（134）进行比较。所述泵使能信号的电平可以通过调谐所述电阻器的电阻量或电容器或者调整所述参考阈值而可变。存储器（180）可以被所述负电荷泵的方法驱动。
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公开(公告)号：CN101772809B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880101808.1
申请日：2008-06-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 一种电路和方法减小了在存储器阵列(12)中由两个电源电压下降到预定值以下所引起的干扰。存储器控制逻辑(22)使用逻辑电源域来工作。比逻辑电源域的电压高的电压响应于振荡器(18)振荡而产生。该较高电压被用来操作存储器阵列(12)。当逻辑电源域至少达到第一电平或值时，用存储器控制逻辑(22)来控制振荡器(18)的工作。当逻辑电源域在第一电平以下时，振荡器(18)被禁用。振荡器(18)的禁用具有防止产生较高电压的作用。这有利于在较高电压可能没有得到适当控制时防止较高电压到达存储器阵列(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104036811A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410060883.5
申请日：2014-02-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G11C7/04
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/04 , G11C16/14 , G11C16/30 , G11C16/349
Abstract: 本发明涉及基于温度的自适应擦除或编程并行性。一种方法，在一个实施方案中包括通过使用电荷泵（220）的电压执行存储操作以将存储阵列（201）的存储单元置于第一逻辑状态（514，714）。一部分所述操作是通过使用所述电荷泵的所述电压在所述存储单元上执行的。所述存储阵列的温度和阈值（503，703）进行比较。如果所述温度高于参考水平，所述电荷泵上的负载通过仅仅给减小数量的存储单元提供所述电压而被减小。
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公开(公告)号：CN103824592A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310573869.0
申请日：2013-11-15
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G11C5/145 , G11C5/14 , G11C16/30 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明涉及使用模数转换器的非易失性存储器强健启动。根据至少一个实施例，片上系统（SOC）（100）上的机上模数转换器（ADC）（104）被用于确定非易失性存储器（NVM）（121）的电荷泵输出（107）是否正确（303）。SOC（100）处于等待，直到输出（107）在移动到启动程序（305）中的下步骤之前位于预期范围内。如果超过了所允许的最大启动时间（304），错误信号被发送到SOC（100），以便应用程序（109）可以对其做出反应（308）。
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公开(公告)号：CN101772809A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101808.1
申请日：2008-06-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 一种电路和方法减小了在存储器阵列(12)中由两个电源电压下降到预定值以下所引起的干扰。存储器控制逻辑(22)使用逻辑电源域来工作。比逻辑电源域的电压高的电压响应于振荡器(18)振荡而产生。该较高电压被用来操作存储器阵列(12)。当逻辑电源域至少达到第一电平或值时，用存储器控制逻辑(22)来控制振荡器(18)的工作。当逻辑电源域在第一电平以下时，振荡器(18)被禁用。振荡器(18)的禁用具有防止产生较高电压的作用。这有利于在较高电压可能没有得到适当控制时防止较高电压到达存储器阵列(12)。
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公开(公告)号：CN104020807B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410057363.9
申请日：2014-02-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： J·S·朝伊
CPC classification number: G11C7/06 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C7/062 , G11C7/065 , G11C11/4074 , G11C16/28 , G11C16/30
Abstract: 本发明涉及读出放大器电压调节器。所公开的存储器（101）包括多个存储器单元（106）；用于从所述多个存储器单元读取数据的多个读出放大器（119、121）；以及耦合于所述多个读出放大器的电压调节器（123）。所述电压调节器包括参考读出放大器（349）、电流注入器（303）以及电流注入器控制电路（318）。所述电流注入器控制电路基于所述参考读出放大器的电压来控制由所述电流注入器提供给所述电压调节器的输出节点的电流量。
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公开(公告)号：CN104020807A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410057363.9
申请日：2014-02-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： J·S·朝伊
CPC classification number: G11C7/06 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C7/062 , G11C7/065 , G11C11/4074 , G11C16/28 , G11C16/30
Abstract: 本发明涉及读出放大器电压调节器。所公开的存储器（101）包括多个存储器单元（106）；用于从所述多个存储器单元读取数据的多个读出放大器（119、121）；以及耦合于所述多个读出放大器的电压调节器（123）。所述电压调节器包括参考读出放大器（349）、电流注入器（303）以及电流注入器控制电路（318）。所述电流注入器控制电路基于所述参考读出放大器的电压来控制由所述电流注入器提供给所述电压调节器的输出节点的电流量。
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