公开(公告)号：CN102460581B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201080025282.0

申请日：2010-05-12

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： P·H·派雷

IPC: G11C5/14

CPC classification number: H02M3/073 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明公开了将电路节点(14)充电至第一预定电压的电压电路(10)和方法。被充电于电路节点(14)之上的第一预定电压在第一时间段期间被用于第一预定功能。一部分电荷由电路节点(14)移除到与该电路节点耦接的电路(21、108或116)。该部分电荷在第一时间段之后的第二时间段期间重用。在一种形式中，电压发生器(12)具有可配置二极管型晶体管(42-47)，用于根据电路节点(14)究竟是被充电还是被放电而只沿着一个方向来传递电流。在另一种形式中，开关(106)为了电荷重用而与在参考端子与另一电路(108)之间的电路节点耦接。电荷重用使提高的功耗节省成为可能。

公开(公告)号：CN104241090A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410205357.3

申请日：2014-05-15

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 塔伯·A·斯蒂芬 ,  P·H·派雷 ,  M·B·迈克沙尼

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/00

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/125 ,  G02B6/131 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12104

Abstract: 本发明涉及光学底板镜。描述集成电路光学底板芯片和相关的半导体制作工艺以用于形成光学底板镜结构，其中镜结构通过使用依赖方向的各向异性湿蚀刻工艺选择性地刻蚀位于光学底板芯片晶圆上的光学波导半导体层(103)将光学信号垂直地偏转到光学底板芯片的平面外，来形成带有位于光学波导半导体层上的成角度的半导体侧壁表面(106)的第一凹口(107)，其中成角度的半导体侧壁表面(106)被处理以形成用于将光学信号垂直地偏转到光学波导半导体层的侧面或从侧面偏转的光学底板镜(116)。

公开(公告)号：CN104229722A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410252898.1

申请日：2014-06-09

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： T·A·斯蒂芬 ,  P·H·派雷 ,  M·B·迈克沙尼

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/3502 ,  G02B6/3562 ,  G02B6/3566 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3584 ,  G02B6/3588 ,  G02B6/3596

Abstract: 本公开涉及具有光学波导和二维偏转的MEMS梁的集成。描述了高密度、低功耗、高性能信息系统、方法和装置，在其中，集成电路装置包括多个位于每片芯边缘的可偏转MEMS光束波导(例如，190)，它们分别由被波导梁结构(194)包封以延伸到偏转腔(198)的光梁结构(193)并且被多个设置在偏转腔(198)的壁上的偏转电极(195-197)周围以提供每可偏转MEMS光束波导的二维偏转控制以响应于一个或多个偏转电压的应用以提供不同的片芯之间的光学通信(例如，184)形成的。

公开(公告)号：CN103544981A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310292129.X

申请日：2013-07-12

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： P·H·派雷 ,  J·D·伯纳特

IPC: G11C7/18 ,  G11C5/06

CPC classification number: H01L27/11 ,  G11C5/063 ,  G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  G11C8/16 ,  G11C11/412 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8228 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及多端口存储器件的方法及其结构。存储器件（10）包括使用衬底（128）形成的存储单元（11）、用于运载数据位的真位线（BL0）、以及用于运载为互补形式的所述第一真位线运载的所述数据位的互补位线（BL0B）。所述真位线耦接到所述存储单元并且在所述衬底上方横向延伸。所述真位线和所述互补位线彼此相邻并且在衬底上方垂直地堆叠。

公开(公告)号：CN102460581A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080025282.0

申请日：2010-05-12

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： P·H·派雷

IPC: G11C5/14

CPC classification number: H02M3/073 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明公开了将电路节点(14)充电至第一预定电压的电压电路(10)和方法。被充电于电路节点(14)之上的第一预定电压在第一时间段期间被用于第一预定功能。一部分电荷由电路节点(14)移除到与该电路节点耦接的电路(21、108或116)。该部分电荷在第一时间段之后的第二时间段期间重用。在一种形式中，电压发生器(12)具有可配置二极管型晶体管(42-47)，用于根据电路节点(14)究竟是被充电还是被放电而只沿着一个方向来传递电流。在另一种形式中，开关(106)为了电荷重用而与在参考端子与另一电路(108)之间的电路节点耦接。电荷重用使提高的功耗节省成为可能。