公开(公告)号：CN1656856A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03812070.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 马萨诸塞州技术研究院 ,  通用显示器公司

Inventor： 弗拉迪米尔·布洛维克 ,  塞思·A·科 ,  胡颖强 ,  芒吉·G·巴温迪

IPC: H05B33/22 ,  H01L35/24 ,  H01L29/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/62 ,  C09K11/66 ,  C09K11/883 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5096 ,  Y10S428/917 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/952 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明披露一种发光器件，其包括在层内的半导体纳米晶体。该层可以为非聚合的层。

公开(公告)号：CN1864253A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029224.X

申请日：2004-10-06

Applicant: 马萨诸塞州技术研究院

Inventor： 芒吉·G·鲍温迪 ,  弗拉迪米尔·布洛维克 ,  塞思·A·科

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/80

CPC classification number: G11C13/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C16/0466 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/18 ,  G11C2213/53 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种存储装置，可以包括具有可选择横向电导的有源层。所述层可以包括多个纳米颗粒。

公开(公告)号：CN1656856B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN03812070.4

申请日：2003-03-28

Applicant: 麻省理工学院 ,  通用显示器公司

Inventor： 弗拉迪米尔·布洛维克 ,  塞思·A·科 ,  胡颖强 ,  芒吉·G·巴温迪

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/22 ,  C09K11/02

CPC classification number: H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/62 ,  C09K11/66 ,  C09K11/883 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5096 ,  Y10S428/917 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/952 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明披露一种发光器件，其包括在层内的半导体纳米晶体。该层可以为非聚合的层。