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公开(公告)号：CN107077876B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201580051341.4
申请日：2015-09-21
申请人： 高通股份有限公司 , 延世大学校产学协力团
摘要： 系统和方法涉及提供恒定感测电流以用于读取电阻式存储器元件(228)。负载电压生成器(202)基于配置成供应不随工艺‑电压‑温度变化而变化的恒定电流的电流镜(206)来提供负载电压。数据电压基于所生成的负载电压、通过使从恒定电流镜像的感测电流通过电阻式存储器元件来生成。参考电压也基于所生成的负载电压并且通过使从恒定电流镜像的参考电流通过参考单元(230、231)来生成。存储在电阻式存储器元件中的逻辑值基于数据电压与参考电压的比较来确定，其中该确定不受工艺‑电压‑温度变化的影响。
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公开(公告)号：CN108055876B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201680052581.0
申请日：2016-08-25
申请人： 高通股份有限公司 , 延世大学校产学协力团
摘要： 检错和纠错解码装置根据数据输入是包含单比特差错还是多比特差错来执行单纠错－双检错(SEC‑DED)或双纠错－三检错(DEC‑TED)，以在单比特差错的情况下降低功耗和等待时间，而在多比特差错的情况下提供强大的纠错。
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公开(公告)号：CN102812759A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180013924.X
申请日：2011-03-15
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04W52/267 , H04W52/08 , H04W52/146 , H04W52/24 , H04W52/325
摘要： 提供了一种用于在CDMA系统中增强上行链路操作的方法和装置。该方法可以包括从节点B接收速率控制值和发射功率值，其中，速率控制值是由节点B通过上行链路调度确定的，并且其中，发射功率值是由节点B选择的，以将导频信道的信号干扰加噪声比（SINR）度量维持在阈值之内；以根据发射功率值确定的第一功率电平发送控制信道信息，以及使用第一平均功率跟踪单元生成第一选择的发射功率并以根据速率控制值和发射功率值二者确定的第二功率电平发送数据信道信息。
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公开(公告)号：CN114270506A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058107.5
申请日：2020-07-14
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 公开了一种电子组件，该电子组件包括无电极无源部件(220)，该无电极无源部件(220)嵌入多层衬底(210)的腔中，其中腔(218)具有形成在腔的至少两个侧壁上的导电元件(214)。导电元件被配置为电耦合到无电极无源部件。无电极无源部件可以与多层衬底的外部表面相邻地定位在第一金属层中。
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公开(公告)号：CN107787514B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201680036575.6
申请日：2016-06-06
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种电感器结构包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集、与该电感器的第二层相对应的第二迹线集、以及与该电感器的位于第一层和第二层之间的第三层相对应的第三迹线集。第一迹线集包括第一迹线和平行于第一迹线的第二迹线。第一迹线的尺寸不同于第二迹线的对应尺寸。第二迹线集耦合至第一迹线集。第二迹线集包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。第三迹线集耦合至第一迹线集。
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公开(公告)号：CN108055876A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201680052581.0
申请日：2016-08-25
申请人： 高通股份有限公司 , 延世大学校产学协力团
CPC分类号： H03M13/616 , G06F11/10 , G06F11/1012 , H03M13/152 , H03M13/1575 , H03M13/617 , H03M13/6502
摘要： 检错和纠错解码装置根据数据输入是包含单比特差错还是多比特差错来执行单纠错－双检错(SEC-DED)或双纠错－三检错(DEC-TED)，以在单比特差错的情况下降低功耗和等待时间，而在多比特差错的情况下提供强大的纠错。
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公开(公告)号：CN118284965A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077368.0
申请日：2022-12-05
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/538
摘要： 采用嵌入式深沟槽电容器(DTC)面朝上朝向半导体管芯(“管芯”)以便连接的封装基板的集成电路(IC)封装件，以及相关制造方法。DTC嵌入在该封装基板中的腔中并且耦合到管芯。为了最小化该DTC和该管芯之间的连接路径长度以降低阻抗并改进电容器性能，该DTC面朝上朝向该管芯设置在该封装基板中的腔中。该DTC的DTC互连件在垂直方向上面朝上朝向该管芯取向。另外，为了最小化该DTC和该管芯之间的连接路径长度，该DTC可在该垂直方向上在该管芯下面设置在该封装基板中。这些DTC互连件可设置在该封装基板的管芯侧金属化层中并且耦合到该封装基板的外部管芯侧互连件。
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公开(公告)号：CN117999649A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280063549.8
申请日：2022-08-29
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 具有用于集成电路(IC)封装高度控制的具有多种厚度的嵌入式金属迹线的嵌入式迹线基板(ETS)及相关的IC封装和制造方法。该IC封装包括管芯，该管芯耦合到封装基板以提供到该管芯的信号路由路径。该IC封装还包括ETS，该ETS包括嵌入在绝缘层中的金属迹线，以向该IC封装的信号路由路径提供连接。为了控制(诸如减小)该IC封装的高度，提供嵌入在该ETS中的绝缘层中的该嵌入式金属迹线以在垂直方向上具有多种厚度(即，高度)。该ETS中的该嵌入式金属迹线(其厚度通过在该垂直方向上耦合到该ETS外部的互连件而影响该IC封装的总高度)在厚度上能够被减小以控制IC封装高度。
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公开(公告)号：CN107077876A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580051341.4
申请日：2015-09-21
申请人： 高通股份有限公司 , 延世大学校产学协力团
摘要： 系统和方法涉及提供恒定感测电流以用于读取电阻式存储器元件(228)。负载电压生成器(202)基于配置成供应不随工艺‑电压‑温度变化而变化的恒定电流的电流镜(206)来提供负载电压。数据电压基于所生成的负载电压、通过使从恒定电流镜像的感测电流通过电阻式存储器元件来生成。参考电压也基于所生成的负载电压并且通过使从恒定电流镜像的参考电流通过参考单元(230、231)来生成。存储在电阻式存储器元件中的逻辑值基于数据电压与参考电压的比较来确定，其中该确定不受工艺‑电压‑温度变化的影响。
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公开(公告)号：CN107787514A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201680036575.6
申请日：2016-06-06
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 一种电感器结构包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集、与该电感器的第二层相对应的第二迹线集、以及与该电感器的位于第一层和第二层之间的第三层相对应的第三迹线集。第一迹线集包括第一迹线和平行于第一迹线的第二迹线。第一迹线的尺寸不同于第二迹线的对应尺寸。第二迹线集耦合至第一迹线集。第二迹线集包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。第三迹线集耦合至第一迹线集。
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