公开(公告)号：CN106663671B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201580035741.6

申请日：2015-07-01

申请人： 高通股份有限公司

发明人： J-H·李 ,  Y·K·宋 ,  J·H·永恩 ,  U·M·乔 ,  X·张 ,  R·D·莱恩

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/64

摘要： 一些实现提供了包括电容器和电感器的集成器件。该电感器被电耦合至该电容器。该电感器和电容器被配置成作为集成器件中用于电信号的滤波器来操作。该电感器包括印刷电路板(PCB)的第一金属层、耦合至该PCB的一组焊球、以及在管芯中的第二金属层。在一些实现中，该电容器位于该管芯中。在一些实现中，该电容器是该PCB上的表面安装无源器件。在一些实现中，第一金属层是该PCB上的迹线。在一些实现中，该电感器包括在该管芯中的第三金属层。在一些实现中，第二金属层是该管芯的凸块下金属化(UBM)层，并且第三金属层是该管芯的重分布层。

公开(公告)号：CN106663670B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201580044708.X

申请日：2015-08-21

申请人： 高通股份有限公司

发明人： Y·K·宋 ,  K-P·黄

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/50

摘要： 集成器件包括基板以及嵌入在该基板内的电容器。该电容器被配置成包括布置在第一表面上的第一电极、布置在相对的第二表面上的第二电极、以及在第一电极与第二电极之间横向延伸的多个电容器极板。每个电容器极板电耦合到第一电极或第二电极中的一者。多个通孔被放置成延伸穿过基板至第一电极或第二电极中的一者。还包括了其他方面、实施例、和特征。

公开(公告)号：CN107112321B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580068185.2

申请日：2015-12-15

申请人： 高通股份有限公司

发明人： H·B·蔚 ,  D·W·金 ,  K-P·黄 ,  Y·K·宋

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3511

摘要： 本公开提供了半导体封装以及用于制造PoP半导体封装的方法。该PoP半导体封装可包括第一半导体封装和第二半导体封装，该第一半导体封装包括阳极化金属盖结构，该结构包括(i)具有中央空腔开口方向的中央空腔以及(ii)具有面向与该中央空腔开口方向相反的方向的周界空腔开口方向的至少一个周界空腔；布置在该阳极化金属盖结构的中央空腔中的第一半导体器件；电耦合到该第一半导体器件的重分布层，其中在该重分布层中形成的导电迹线向该至少一个周界空腔曝露；以及布置在该至少一个周界空腔中的焊料材料，该第二半导体封装包括至少一个导电桩，其中该至少一个导电桩被电耦合到布置在该至少一个周界空腔中的焊料材料。

公开(公告)号：CN106575624B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201580043798.0

申请日：2015-08-14

申请人： 高通股份有限公司

发明人： Y·K·宋 ,  H·B·蔚 ,  D·W·金 ,  K-P·黄

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498

摘要： 本文中提供了一种集成器件，其包括基板、管芯、位于基板与管芯之间的热耗散层、以及配置成将管芯耦合至热耗散层的第一互连。热耗散层可被配置成为接地信号提供电路径。该第一互连可被进一步配置成将热量从管芯传导到热耗散层。该集成器件还可包括配置成将管芯耦合至基板的第二互连。该第二互连可被进一步配置成在管芯与基板之间传导功率信号。该集成器件还可包括位于热耗散层与基板之间的电介质层和位于管芯与热耗散层之间的阻焊层。

公开(公告)号：CN108701682A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680078376.1

申请日：2016-11-29

申请人： 高通股份有限公司

发明人： S·顾 ,  C·左 ,  S·法内利 ,  T·吉 ,  Y·K·宋

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L49/02

CPC分类号： H04B1/48 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/00 ,  H01L28/10 ,  H01L28/60 ,  H01L29/0649 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/11

摘要： 集成射频(RF)电路结构可包括电阻性基板材料和开关。开关可被安排在由电阻性基板材料支撑的绝缘体上覆硅(SOI)层中。集成RF电路结构还可以包括被耦合到SOI层的隔离层。集成RF电路结构还可以包括包含电感器和电容器的滤波器。滤波器可被安排在集成RF电路结构的与电阻性基板材料相对的表面上。另外，开关可被安排在隔离层的第一表面上。

公开(公告)号：CN107787514A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201680036575.6

申请日：2016-06-06

申请人： 高通股份有限公司

发明人： U-M·乔 ,  Y·K·宋 ,  J-H·李 ,  J·H·永恩 ,  S·崔 ,  X·张

IPC分类号： H01F17/00 ,  H01F27/28 ,  H01F41/04

摘要： 一种电感器结构包括与电感器的第一层相对应的第一迹线集、与该电感器的第二层相对应的第二迹线集、以及与该电感器的位于第一层和第二层之间的第三层相对应的第三迹线集。第一迹线集包括第一迹线和平行于第一迹线的第二迹线。第一迹线的尺寸不同于第二迹线的对应尺寸。第二迹线集耦合至第一迹线集。第二迹线集包括耦合至第一迹线和第二迹线的第三迹线。第三迹线集耦合至第一迹线集。

公开(公告)号：CN107113964A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069802.0

申请日：2015-12-17

申请人： 高通股份有限公司

发明人： K-P·黄 ,  Y·K·宋

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H05K3/46

摘要： 一种基板包括第一介电层和嵌入在该第一介电层中的电容器。该电容器包括第一端子、第二端子和第三端子。该第二端子横向地位于该第一端子和该第三端子之间。该电容器还包括第二介电层、第一金属层和第二金属层。该第一金属层耦合到该第一和第三端子。该第一金属层、该第一端子和该第三端子被配置成提供用于第一信号的第一电路径。该第二金属层耦合至该第二端子。该第二金属层和该第二端子被配置成提供用于第二信号的第二电路径。

公开(公告)号：CN105009282A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480011292.7

申请日：2014-02-21

申请人： 高通股份有限公司

发明人： Y·K·宋 ,  Y·朴 ,  X·张 ,  R·D·莱恩 ,  B·内杰蒂 ,  A·哈德吉克里斯托斯 ,  X·陈

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

摘要： 一些新颖特征涉及提供一半导体器件的第一示例，该半导体器件包括印刷电路板(PCB)、一组焊球以及一管芯。所述PCB包括第一金属层。所述一组焊球耦合到PCB。管芯通过所述一组焊球耦合到PCB。管芯包括第二金属层和第三金属层。PCB的第一金属层、所述一组焊球、管芯的第二和第三金属层被配置成作为半导体器件中的电感器来工作。在一些实现中，管芯进一步包括一钝化层。钝化层位于第二金属层和第三金属层之间。在一些实现中，第二金属层位于钝化层和所述一组焊球之间。

公开(公告)号：CN107735860A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201580066405.8

申请日：2015-12-04

申请人： 高通股份有限公司

发明人： H·B·蔚 ,  K-P·黄 ,  Y·K·宋 ,  D·W·金

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L23/66 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H05K1/16

摘要： 一种封装基板包括第一部分和重分布部分。第一部分被配置成作为电容器来操作。第一部分包括第一电介质层、电介质层中的第一组金属层、电介质层中的第一通孔、电介质层中的第二组金属层、以及电介质层中的第二通孔。第一通孔被耦合至第一组金属层。第一通孔和第一组金属层被配置成提供用于接地信号的第一电路径。第二通孔被耦合至第二组金属层。第二通孔和第二组金属层被配置成提供用于功率信号的第二电路径。重分布部分包括第二电介质层以及一组互连。

公开(公告)号：CN107690688A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201680033348.8

申请日：2016-05-18

申请人： 高通股份有限公司

发明人： Y·K·宋 ,  H·B·蔚 ,  K-P·黄

IPC分类号： H01G2/06 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/228 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30

摘要： 无源分立器件(400)包括第一不对称端子(410A)和第二不对称端子(410B)。该无源分立器件(400)进一步包括被扩展以电耦合至第一不对称端子(410A)的第一侧和第二侧的第一内部电极(420A)。该无源分立器件(400)还可包括被扩展以电耦合至第二不对称端子(420B)的第一侧和第二侧的第二内部电极(420B)。