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公开(公告)号：CN101600779A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780040494.4
申请日：2007-10-05
申请人： 默克专利股份有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/04 , C03C15/00 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及用于太阳能电池制造工艺中的具有改善了的性能的新型可印刷蚀刻介质。它们是对应的含有颗粒的组合物，通过该组合物可以高度选择性地蚀刻最细的线和结构而不破坏或影响相邻表面。
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公开(公告)号：CN100500448C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200480037197.0
申请日：2004-10-15
申请人： 默克专利股份有限公司
摘要： 本发明涉及基于含聚合物的铭刻介质与塑料表面的焊接的塑料的有色激光标记和激光铭刻。
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公开(公告)号：CN104396027A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032451.7
申请日：2013-05-24
申请人： 默克专利股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L21/461 , H01L21/302 , H01L31/02021 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及使用碱性蚀刻膏制造具有局部背表面场(LBSF)太阳能电池的方法，所述方法使得在单一的方法步骤中的背面抛光以及背面边缘绝缘化成为可能。
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公开(公告)号：CN102859707A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201080048001.3
申请日：2010-10-01
申请人： 默克专利股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及采用对硅层具有明显改善选择性的改进的蚀刻糊组合物制造具有选择性发射极的太阳能电池的方法。在一个优选实施方案，（图4）中，本发明方法包含以下步骤来制造具有一步式发射极的太阳能电池：I.表面的织构化，II.磷掺杂(约40Ω/sq POCI3的扩散)吗，III.PSG和硅层的局部蚀刻，由此获得在～90-100Ω/sq范围的电导率(PSG=磷-硅酸盐玻璃)，并清洗晶片，IV.PSG蚀刻，V.借助于氮化硅(SiNx)的“等离子增强化学气相沉积”(PECVD)采用抗反射层(ARC沉积)掩蔽，VI.用于金属化表面(前侧)和背侧的丝网印刷以及随后的烧结(共烧制)，VII.边缘绝缘化。
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公开(公告)号：CN103493220B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280011955.6
申请日：2012-02-09
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C09D7/61 , C09D1/00 , C09D5/006 , C09D7/63 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , H01L21/2225
摘要： 本发明涉及氧化铝糊以及将氧化铝糊用于形成Al2O3-涂层或者混合的Al2O3-混杂层的方法。
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公开(公告)号：CN103493220A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280011955.6
申请日：2012-02-09
申请人： 默克专利股份有限公司
CPC分类号： C09D7/61 , C09D1/00 , C09D5/006 , C09D7/63 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , H01L21/2225
摘要： 本发明涉及氧化铝糊以及将氧化铝糊用于形成Al2O3-涂层或者混合的Al2O3-混杂层的方法。
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公开(公告)号：CN1343376A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN00804875.4
申请日：2000-02-29
申请人： 默克专利股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0288 , H01L21/033 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/2255 , C09D183/02 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L31/0288 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y10S252/95 , Y10S438/923
摘要： 本发明涉及用于生产单晶和多晶Si片的p,p+和n,n+区的新型硼、磷或硼－铝基掺杂糊剂,本发明进一步涉及使用相应的糊剂作为掩模糊剂在半导体的生产、功率电子元件或光电器件方面的应用。
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