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公开(公告)号：CN105164078B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201380069519.9
申请日：2013-10-30
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： C03C15/00
CPC分类号： C03C15/00 , B44C1/227 , C03C10/0018 , C09K13/04 , C09K13/08 , G02F1/133502
摘要： 改性玻璃陶瓷制品的方法以及由此形成的玻璃陶瓷制品。所述方法包括：提供具有非损伤表面的玻璃陶瓷制品，向非损伤表面施涂化学蚀刻溶液，以及去除化学蚀刻溶液。化学蚀刻溶液改性了非损伤表面，使得去除了玻璃陶瓷制品的约0.01‑2μm的深度。化学蚀刻溶液改性了玻璃陶瓷制品的非损伤表面，以形成具有降低的光泽度值和目标粗糙度值的粗糙化表面。
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公开(公告)号：CN106463239A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023485.9
申请日：2015-07-24
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01F27/255 , C09K13/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01F1/0306 , H01F1/26 , H01F17/00 , H01F17/0006 , H01F27/02 , H01F27/23 , H01F27/2823 , H01F27/292 , H01F41/0206 , H01F41/0246 , H01F41/04 , H01F41/041 , H01G4/12
摘要： 本发明的目的在于提供一种电子部件及其制造方法，该电子部件使用了含有金属磁性粉的绝缘体，且在该绝缘体上具有树脂的涂膜。电子部件(1)具备由绝缘体形成的主体(10)、覆盖主体(10)的涂膜(9)、位于主体(10)的内部的电路元件(30)和外部电极(20、25)。绝缘体含有金属磁性粉。涂膜(9)由树脂和包含于绝缘体的阳离子性的元素构成。
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公开(公告)号：CN105261569A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510557280.0
申请日：2015-09-02
申请人： 业成光电(深圳)有限公司 , 英特盛科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01B19/04 , C03C15/00 , C09K13/04 , C09K13/08 , G03F7/0041 , H01B3/088 , H01L21/4803
摘要： 本发明涉及一种用于电子装置的绝缘基板的盲孔的制造方法。该制造方法包含以下步骤：形成图案化光阻层于绝缘基板上。图案化光阻层具有开口，且开口暴露一部份绝缘基板。进行湿蚀刻制程，以移除暴露的绝缘基板，且于开口内形成盲孔。该制造方法可明显改善蚀刻液的侧蚀现象及降低盲孔边缘的残留宽度，进而提升利用湿蚀刻法形成盲孔的精密程度。
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公开(公告)号：CN105255376A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510647122.4
申请日：2015-10-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J9/00 , C04B41/5353 , C04B41/91 , C08K2201/014 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/318 , C09J2205/102 , C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/02 , C23F1/10 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H05K1/09 , H05K3/06
摘要： 本发明公开了一种用于触摸屏制造的刻蚀胶带及其制备方法、刻蚀方法，涉及显示装置制造领域，能够解决了现有刻蚀方法浪费蚀刻膏、生产成本高、不环保、产线稼动率低的问题。本发明用于刻蚀的胶带，包括基材和设置于所述基材上的功能层，所述功能层包括：与待刻蚀区域相对应的第一区域，由包括蚀刻膏的材料形成。本发明提供的用于触摸屏制造的刻蚀胶带及其制备方法、刻蚀方法，用于改进刻蚀方法。
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公开(公告)号：CN104762620A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510117884.3
申请日：2015-03-17
申请人： 叶涛
发明人： 叶涛
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C09K13/04 , H05K3/002 , H05K3/067 , H05K2203/163
摘要： 一种高效高质型酸性氯化铜线路板蚀刻液，包括氯化铜、蚀刻子液、氧化剂，由自动检测投料控制机对蚀刻液中的游离氢离子浓度、氧化还原电位、比重参数进行检测并控制各组分的投放量，使溶液中的铜离子浓度、游离氢离子浓度和氧化还原电位达到设定的数值，其特征在于所述蚀刻子液按重量百分比包含：HCl 1％～36.5％；选自FeCl3、FeCl2、Fe、FeO和Fe2O3中的一种或多种化合物0.01％～45％；其余为水，所得的蚀刻液生产工艺控制参数设定：游离氢离子浓度为0.1～5.0M，氧化还原电位为380～700mV，铜离子浓度为1～180g/L；氯化铜初始投放量B根据以下公式计算得到：B＝(134.5/63.5)×铜离子浓度设定值A。
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公开(公告)号：CN102369258B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080015763.3
申请日：2010-03-25
申请人： 东丽株式会社
CPC分类号： H01J9/02 , B82Y10/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/30 , H01L31/1884 , H05K3/067 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , Y02E10/50
摘要： 本发明是一种导电膜去除剂以及使用该导电膜去除剂的导电膜去除方法，该导电膜去除剂中包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。本发明提供一种能在面内均匀地去除导电膜的希望部分的导电膜去除剂及导电膜去除方法。
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公开(公告)号：CN102369258A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080015763.3
申请日：2010-03-25
申请人： 东丽株式会社
CPC分类号： H01J9/02 , B82Y10/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/30 , H01L31/1884 , H05K3/067 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , Y02E10/50
摘要： 本发明是一种导电膜去除剂以及使用该导电膜去除剂的导电膜去除方法，该导电膜去除剂中包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。本发明提供一种能在面内均匀地去除导电膜的希望部分的导电膜去除剂及导电膜去除方法。
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公开(公告)号：CN101065457B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200580040252.6
申请日：2005-12-02
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3213
CPC分类号： C09K13/04 , C09G1/02 , C09K3/1454 , C23F3/02 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 本发明中一种化学机械平坦化(CMP)研磨液包括至少一种研磨颗粒，至少一种氧化剂，至少一种载体。该研磨颗粒可以从下列几种中选择：全部软材料颗粒，外层软材料内层硬材料颗粒，内部带电颗粒，磁化颗粒与空芯颗粒。抛光的衬底可以是：铝，铜，钛，氮化钛，银，钨，或它们的合金，氧化物，镍-磷，四氮化三硅。
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公开(公告)号：CN101260193A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810095190.4
申请日：2008-02-22
申请人： 通用汽车环球科技运作公司
CPC分类号： C09K13/04 , H01L23/3142 , H01L2924/0002 , H05K3/382 , H01L2924/00
摘要： 改进形状记忆合金和聚合材料间粘附力的方法，包括使用含磷化合物或有机硅烷偶联剂官能化形状记忆聚合物的表面。其它方法包括单独地或与所述的官能化结合地在形状记忆合金的表面上饰纹。
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公开(公告)号：CN101065457A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040252.6
申请日：2005-12-02
申请人： 安集微电子(上海)有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3213
CPC分类号： C09K13/04 , C09G1/02 , C09K3/1454 , C23F3/02 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 本发明中一种化学机械平坦化(CMP)研磨液包括至少一种研磨颗粒，至少一种氧化剂，至少一种载体。该研磨颗粒可以从下列几种中选择：全部软材料颗粒，外层软材料内层硬材料颗粒，内部带电颗粒，磁化颗粒与空芯颗粒。抛光的衬底可以是：铝，铜，钛，氮化钛，银，钨，或它们的合金，氧化物，镍－磷，四氮化三硅。
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