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公开(公告)号：CN118529776A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410782677.9
申请日：2024-06-18
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： C01G39/06
摘要： 本发明提供一种金属相二硫化钼空心球花及制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明通过将钼源和硫源溶于甲醇中，室温搅拌后将溶液移至聚四氟乙烯反应釜，密封并恒温处理，待冷却至室温后，对反应产物离心处理并收集，放于真空箱中干燥，获得金属相二硫化钼空心球花。本发明通过一步溶剂热法简化制备流程，工艺简单，生产效率高，适合批量生产。制备的二硫化钼空心球花，晶体结构为金属相，尺寸均一（0.8‑1μm），表面二硫化钼纳米片排列疏松，活性位点丰富，在光催化、电催化、电池和电容器材料方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN118559900A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410951584.4
申请日：2024-07-16
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明公开了一种边缘高应力硬脆半导体材料的掏圆加工方法，将待处理边缘高应力硬脆半导体材料晶体粘结在衬板上，衬板固定在固定块上，固定于金刚石单线切割机工作台上；从材料圆面靠近圆周弦的位置部分切除边缘应力区；固定块、晶体与衬板分离，晶体与衬板二次粘接，固定在金刚石曲线切割机工作台并让切割线对准入刀口，进行曲线切割，从垂直于单线切割切面的垂直平分线位置，沿着直径向圆心方向以圆形轨迹线，切除剩余应力区域；衬板与材料分离，完成边缘高应力硬脆半导体材料的掏圆。本发明利用金刚石单线切割机对边缘应力区进行部分切除，再利用金刚石曲线切割机将剩余边缘应力区全部切除，实现快速、低成本、低损耗切除，切割后的材料边缘完整无裂痕，粗糙度＜50μm，加工废料可二次利用。
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公开(公告)号：CN117361534A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311321819.3
申请日：2023-10-13
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院) , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C01B32/956
摘要： 本发明公开了一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法，将高纯碳化硅单晶晶体进行裂解或破碎，筛分出10‑200μm粒径的碳化硅粉与高纯碳粉混合；将混合均匀的碳粉和硅粉置于石墨坩埚底部，混合的碳化硅粉与高纯碳粉置于上部，加装石墨盖封住，置于高温烧结炉中，封闭好炉腔，抽真空；升温至1050~1350℃，保温1~15h，通入高纯氩气到腔内压力到10000‑80000 Pa，继续升温至1750~2000℃，保温8~15h，实现底部碳化硅粉料的合成，继续升温至2000‑2500℃，同时降低炉腔内压力值在1000～10000Pa，持续通入高纯氩气流量为5‑800sccm，保温30~80h；停止通入氩气，冷却至室温，得高晶质半导体碳化硅粉料。高晶质半导体碳化硅粉料可应用于制备高性能、低缺陷、低包裹物密度的第三代半导体材料碳化硅单晶材料。
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公开(公告)号：CN117127245A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311105266.8
申请日：2023-08-30
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明提供一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，属于晶体生长和固溶体制备技术领域。将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12前驱体，晶体生长时Zn进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相的含量。本发明通过Zn取代Zr进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，可显著减少ZrO2和/或Na2ZrSi2O7等晶相，为Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度提高及其钠离子电导率提高提供了理论基础和技术支撑。
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公开(公告)号：CN117966257A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410108795.1
申请日：2024-01-26
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院) , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种全小面碳化硅单晶晶片及其制备方法，将正向的碳化硅单晶籽晶粘接在石墨坩埚上盖上，安装于填充有高纯碳化硅粉料的石墨坩埚桶上部，置于高温碳化硅单晶生长炉中，封闭好炉腔，抽真空；调整高温线位置使籽晶面的等温线凸度为6‑10mm，加热升温至1000~1300℃保温1~24h，通入氮气和氩气混合气体到腔内压力1000‑80000 Pa，升温至1950~2250℃保温8~20h，按0.5~1mm/h的速率移动等温线位置，使生长面的等温线凸度在0.2~1mm之间，并保持动态移动控制在0.2~1mm之间，生长结束后停止加热，通入氩气使腔内升压，冷却至室温得碳化硅晶体，经加工处理获得全小面碳化硅单晶晶片。采用本发明的方法制备出高质量低缺陷的全小面碳化硅单晶晶片，可以较好地应用于高压和特高压功率器件的制备。
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公开(公告)号：CN117293382A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311105363.7
申请日：2023-08-30
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： H01M10/0562
摘要： 本发明涉及一种基于金属有机骨架桥连的Na3Zr2Si2PO12基固态电解质及制备方法，属于能源存储和固态电解质制备技术领域。所述方法中利用金属有机骨架材料同时具有的无机特性和有机特性，将Na3Zr2Si2PO12和聚合物通过化学键进行桥连。室温下实现桥连，在Na3Zr2Si2PO12和聚合物之间形成接触良好的界面。本发明室温下通过金属有机骨架桥连，提高Na3Zr2Si2PO12和聚合物之间的界面结合强度，可以显著提高Na3Zr2Si2PO12基电解质的钠离子电导率，同时有效降低Na3Zr2Si2PO12界面封装的能耗/成本。为Na3Zr2Si2PO12基固态电解质的开发与产业化应用提供了理论基础和技术支撑。
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公开(公告)号：CN118581572A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410715278.0
申请日：2024-06-04
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明公开了一种弱连接结构牺牲层氮化镓缓冲衬底及其制备方法和应用，弱连接结构牺牲层氮化镓缓冲衬底的制备方法为：选择籽晶、石英件和石墨件，装配制备GaN的HVPE生长炉；设置GaN晶体生长的工艺参数，在籽晶生长获得GaN单晶薄层，即为预备牺牲层；改变生长压力和气体通入量，在低压下对预备牺牲层进行处理，得弱连接结构的牺牲层氮化镓衬底。本发明利用弱连接结构的牺牲层GaN缓冲衬底，在后续HVPE法生长GaN单晶的过程中，弱连接结构的牺牲层降低了GaN晶体内的位错密度和残余应力，并且借助于空位辅助分离原理实现了生长GaN晶体的自剥离，操作简便，节省时间和经济成本，避免引入杂质影响晶体后续生长，适合于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN117127245B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202311105266.8
申请日：2023-08-30
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明提供一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，属于晶体生长和固溶体制备技术领域。将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12前驱体，晶体生长时Zn进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相的含量。本发明通过Zn取代Zr进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，可显著减少ZrO2和/或Na2ZrSi2O7等晶相，为Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度提高及其钠离子电导率提高提供了理论基础和技术支撑。
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公开(公告)号：CN117293382B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311105363.7
申请日：2023-08-30
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： H01M10/0562
摘要： 本发明涉及一种基于金属有机骨架桥连的Na3Zr2Si2PO12基固态电解质及制备方法，属于能源存储和固态电解质制备技术领域。所述方法中利用金属有机骨架材料同时具有的无机特性和有机特性，将Na3Zr2Si2PO12和聚合物通过化学键进行桥连。室温下实现桥连，在Na3Zr2Si2PO12和聚合物之间形成接触良好的界面。本发明室温下通过金属有机骨架桥连，提高Na3Zr2Si2PO12和聚合物之间的界面结合强度，可以显著提高Na3Zr2Si2PO12基电解质的钠离子电导率，同时有效降低Na3Zr2Si2PO12界面封装的能耗/成本。为Na3Zr2Si2PO12基固态电解质的开发与产业化应用提供了理论基础和技术支撑。
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