公开(公告)号：CN111512234A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880082603.7

申请日：2018-11-29

Applicant: ASML控股股份有限公司

Inventor： 马太·利普森 ,  D·A·希尔德 ,  I·西格

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了用于在半导体光刻术期间减小粘附和控制晶片与晶片台之间的摩擦力的方法和系统，其中晶片台上的突节的顶部具有一具有纳米尺度形貌的层。

公开(公告)号：CN111279266B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201880069695.5

申请日：2018-10-04

Applicant: ASML控股股份有限公司

Inventor： M·A·阿克巴斯 ,  D·H·彼得森 ,  塔莫·维特迪克 ,  M·佩里 ,  R·B·刘易斯 ,  I·西格

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了用于在光刻设备中保持物体的各种凸节设计。光刻设备包括照射系统、第一支撑结构、第二支撑结构和投影系统。照射系统被设计成接收辐射并将辐射引导朝向形成图案化辐射的图案形成装置。第一结构被设计成将图案形成装置支撑在第一支撑结构上。第二支撑结构(402)具有多个凸节(406)并且被设计成将衬底(408)支撑在多个凸节上。多个凸节中的每个凸节的顶表面的形貌不是基本平坦的，从而减小了衬底与多个凸节中的每个凸节之间的接触面积。投影系统被设计成接收图案化辐射并将图案化辐射导向衬底。

公开(公告)号：CN111279266A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880069695.5

申请日：2018-10-04

Applicant: ASML控股股份有限公司

Inventor： M·A·阿克巴斯 ,  D·H·彼得森 ,  塔莫·维特迪克 ,  M·佩里 ,  R·B·刘易斯 ,  I·西格

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了用于在光刻设备中保持物体的各种凸节设计。光刻设备包括照射系统、第一支撑结构、第二支撑结构和投影系统。照射系统被设计成接收辐射并将辐射引导朝向形成图案化辐射的图案形成装置。第一结构被设计成将图案形成装置支撑在第一支撑结构上。第二支撑结构(402)具有多个凸节(406)并且被设计成将衬底(408)支撑在多个凸节上。多个凸节中的每个凸节的顶表面的形貌不是基本平坦的，从而减小了衬底与多个凸节中的每个凸节之间的接触面积。投影系统被设计成接收图案化辐射并将图案化辐射导向衬底。