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公开(公告)号：CN111279266B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201880069695.5
申请日：2018-10-04
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 描述了用于在光刻设备中保持物体的各种凸节设计。光刻设备包括照射系统、第一支撑结构、第二支撑结构和投影系统。照射系统被设计成接收辐射并将辐射引导朝向形成图案化辐射的图案形成装置。第一结构被设计成将图案形成装置支撑在第一支撑结构上。第二支撑结构(402)具有多个凸节(406)并且被设计成将衬底(408)支撑在多个凸节上。多个凸节中的每个凸节的顶表面的形貌不是基本平坦的，从而减小了衬底与多个凸节中的每个凸节之间的接触面积。投影系统被设计成接收图案化辐射并将图案化辐射导向衬底。
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公开(公告)号：CN102132209B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200980132629.9
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML控股股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70891
Abstract: 反射型掩模版实质上减小或消除了吸收EUV辐射导致的图案变形，同时保持掩模版厚度符合工业标准。反射型掩模版包括超低膨胀(ULE)玻璃的层和热传导率实质上大于ULE玻璃的堇青石基底。将铝层设置到ULE玻璃的第一表面，并将ULE玻璃的第二表面抛光成基本上平坦的且无缺陷的。采用阳极键合可以将堇青石基底直接结合至铝层以形成反射型掩模版。替代地，中间微晶玻璃层的第一表面可以结合至铝层，并且第二铝层可以用于将堇青石基底阳极键合至微晶玻璃层的第二表面，由此形成反射型掩模版。
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公开(公告)号：CN111279266A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069695.5
申请日：2018-10-04
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 描述了用于在光刻设备中保持物体的各种凸节设计。光刻设备包括照射系统、第一支撑结构、第二支撑结构和投影系统。照射系统被设计成接收辐射并将辐射引导朝向形成图案化辐射的图案形成装置。第一结构被设计成将图案形成装置支撑在第一支撑结构上。第二支撑结构(402)具有多个凸节(406)并且被设计成将衬底(408)支撑在多个凸节上。多个凸节中的每个凸节的顶表面的形貌不是基本平坦的，从而减小了衬底与多个凸节中的每个凸节之间的接触面积。投影系统被设计成接收图案化辐射并将图案化辐射导向衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112969966A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980071950.4
申请日：2019-10-22
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。另一装置包括修改表面，修改表面包括形成减小的接触表面积以减少物体对修改表面的粘附的沟和脊，脊具有弹性性质，当多个脊弹性变形时，弹性性质导致减小的接触表面积增加。
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公开(公告)号：CN102132209A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132629.9
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F1/14
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70891
Abstract: 反射型掩模版实质上减小或消除了吸收EUV辐射导致的图案变形，同时保持掩模版厚度符合工业标准。反射型掩模版包括超低膨胀(ULE)玻璃的层和热传导率实质上大于ULE玻璃的堇青石基底。将铝层设置到ULE玻璃的第一表面，并将ULE玻璃的第二表面抛光成基本上平坦的且无缺陷的。采用阳极键合可以将堇青石基底直接结合至铝层以形成反射型掩模版。替代地，中间微晶玻璃层的第一表面可以结合至铝层，并且第二铝层可以用于将堇青石基底阳极键合至微晶玻璃层的第二表面，由此形成反射型掩模版。
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公开(公告)号：CN119882354A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411723461.1
申请日：2019-10-22
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。另一装置包括修改表面，修改表面包括形成减小的接触表面积以减少物体对修改表面的粘附的沟和脊，脊具有弹性性质，当多个脊弹性变形时，弹性性质导致减小的接触表面积增加。
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公开(公告)号：CN112969966B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201980071950.4
申请日：2019-10-22
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。另一装置包括修改表面，修改表面包括形成减小的接触表面积以减少物体对修改表面的粘附的沟和脊，脊具有弹性性质，当多个脊弹性变形时，弹性性质导致减小的接触表面积增加。
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公开(公告)号：CN115698864A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041129.5
申请日：2021-05-25
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： A·F·J·德格鲁特 , M·A·阿克巴斯 , A·齐弗契桑迪奇 , J·J·邓 , M·涅可柳多娃 , R·迈尔 , S·古普塔 , R·C·斯坦尼肯 , J·M·W·范登温凯尔 , C·M·奥利索维奇 , M·佩里
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 本文中描述一种生产用于在光刻设备中使用的衬底保持器的方法，所述衬底保持器包括从所述衬底保持器突出的多个突节，并且每个突节具有被配置成与衬底接合的远端表面。所述方法包括经由等离子体增强式化学气相淀积，将耐磨材料的涂层施加于所述多个突节中的一个或更多个突节的远端表面处。所述涂层的所述施加包括在100W至1000W的范围内调整RF电极的射频(RF)功率以产生等离子体；和在腔室中将所述一个或更多个多个突节暴露于在20sccm至300sccm之间的气体流率的前体气体，所述前体气体是己烷。
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