-
公开(公告)号：CN106463434A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031822.9
申请日：2015-05-26
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 本文公开了一种计算机实施的缺陷预测方法，其用于涉及将设计布局的一部分处理到衬底上的器件制造过程，所述方法包括：从所述设计布局的所述部分识别出热点；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，由所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；确定所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测由所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或其组合。
-
公开(公告)号：CN112530828A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011419885.0
申请日：2015-05-26
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , G03F7/20 , G06F30/20 , G06F30/398
摘要： 本文公开了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令配置成使计算机系统至少：获得关于来自设计布局的一部分的热点的信息，所述设计布局将由器件制造过程处理到衬底上；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，使用所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；获得所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测使用所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或从其中选择的组合。
-
公开(公告)号：CN111338187A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010264539.3
申请日：2015-08-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
-
公开(公告)号：CN106463434B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201580031822.9
申请日：2015-05-26
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , G03F7/20 , G06F30/20 , G06F30/398
摘要： 本文公开了一种计算机实施的缺陷预测方法，其用于涉及将设计布局的一部分处理到衬底上的器件制造过程，所述方法包括：从所述设计布局的所述部分识别出热点；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，由所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；确定所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测由所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或其组合。
-
公开(公告)号：CN107148597B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
-
公开(公告)号：CN107148597A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.03 秒)
