测量非对称性的方法、检查设备、光刻系统及器件制造方法

    公开(公告)号:CN107111245A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580069463.6

    申请日:2015-12-08

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 在暗场成像模式中使用散射仪来测量诸如重叠等非对称性相关参数。使用相同的光学路径进行小光栅目标的测量,其中目标处于两个定向以获得对+1和‑1衍射阶的单独测量。以此方式,避免了强度标度差异(工具非对称性)。然而,无法避免在光学系统中由杂散光(虚像)引起的附加强度缺陷。附加强度问题在很大程度上取决于0阶衍射与1阶衍射之间的比率,并且因此在很大程度上反向取决于晶片(工艺)。对具有偏差(+d、‑d)的几个代表性目标光栅进行校准测量(CM1至CM4)。不仅使用不同的晶片旋转(RZ=0、π),而且还使用互补孔径(13N、13S)来进行所述校准测量。计算并且应用校正(δ、G),以计算经校正的非对称性A’,以便减小由杂散光引起的误差。

    测量非对称性的方法、检查设备、光刻系统及器件制造方法

    公开(公告)号:CN107111245B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201580069463.6

    申请日:2015-12-08

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 在暗场成像模式中使用散射仪来测量诸如重叠等非对称性相关参数。使用相同的光学路径进行小光栅目标的测量,其中目标处于两个定向以获得对+1和‑1衍射阶的单独测量。以此方式,避免了强度标度差异(工具非对称性)。然而,无法避免在光学系统中由杂散光(虚像)引起的附加强度缺陷。附加强度问题在很大程度上取决于0阶衍射与1阶衍射之间的比率,并且因此在很大程度上反向取决于晶片(工艺)。对具有偏差(+d、‑d)的几个代表性目标光栅进行校准测量(CM1至CM4)。不仅使用不同的晶片旋转(RZ=0、π),而且还使用互补孔径(13N、13S)来进行所述校准测量。计算并且应用校正(δ、G),以计算经校正的非对称性A’,以便减小由杂散光引起的误差。