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公开(公告)号：CN107924140A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049910.6
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70491 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G03F7/70633 , G03F7/70683
Abstract: 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。
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公开(公告)号：CN107924140B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680049910.6
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。
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公开(公告)号：CN107533299B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201680020990.2
申请日：2016-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·威廉斯 , K·布哈塔查里亚 , P·P·宾特维诺斯 , G·陈 , M·艾伯特 , P·J·M·H·克奈里森 , S·摩根 , M·范德沙 , L·H·M·维斯塔彭 , J-S·王 , P·H·瓦德尼尔
Abstract: 一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标识的量测目标和/或量测选配方案的测量数据；以及使用测量数据来调整量测目标参数或量测选配方案参数。
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公开(公告)号：CN111338187A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010264539.3
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN107533299A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680020990.2
申请日：2016-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·威廉斯 , K·布哈塔查里亚 , P·P·宾特维诺斯 , G·陈 , M·艾伯特 , P·J·M·H·克奈里森 , S·摩根 , M·范德沙 , L·H·M·维斯塔彭 , J-S·王 , P·H·瓦德尼尔
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F9/7046 , G06F2217/16
Abstract: 一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标识的量测目标和/或量测选配方案的测量数据；以及使用测量数据来调整量测目标参数或量测选配方案参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107148597B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN107148597A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580056531.5
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN113050388B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202110313757.6
申请日：2016-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·威廉斯 , K·布哈塔查里亚 , P·P·宾特维诺斯 , G·陈 , M·艾伯特 , P·J·M·H·克奈里森 , S·摩根 , M·范德沙 , L·H·M·维斯塔彭 , J-S·王 , P·H·瓦德尼尔
Abstract: 本公开的实施例涉及用于检测及量测的方法与装置。一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标识的量测目标和/或量测选配方案的测量数据；以及使用测量数据来调整量测目标参数或量测选配方案参数。
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公开(公告)号：CN113050388A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110313757.6
申请日：2016-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·威廉斯 , K·布哈塔查里亚 , P·P·宾特维诺斯 , G·陈 , M·艾伯特 , P·J·M·H·克奈里森 , S·摩根 , M·范德沙 , L·H·M·维斯塔彭 , J-S·王 , P·H·瓦德尼尔
Abstract: 本公开的实施例涉及用于检测及量测的方法与装置。一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标识的量测目标和/或量测选配方案的测量数据；以及使用测量数据来调整量测目标参数或量测选配方案参数。
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公开(公告)号：CN105308508B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480033591.0
申请日：2014-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/70625 , G03F7/70683
Abstract: 确定诸如临界尺寸(CD)或曝光剂量之类的与临界尺寸相关的性质的方法。使用光刻装置在光刻工艺中处理晶片，以在晶片上产生具有不同相应临界尺寸偏差的周期性目标。照射目标中的每个目标。测量由目标散射的辐射的强度。从图像中识别和提取每个光栅。确定差分信号。然后基于差分信号、CD偏差、以及差分信号在这样的周期性目标的1:1线与间隔比处近似于零的知识，确定诸如CD或曝光剂量之类的与CD相关的性质。使用所确定的与临界尺寸相关的性质，以在后续晶片的光刻处理中控制光刻装置。为了只使用两个CD偏差，校准步骤可以使用对“金晶片”(即参考晶片)的测量，以通过已知CD确定针对CD对中的每对的强度梯度。替代地，校准可以基于对强度梯度对CD的敏感性的仿真。
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