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公开(公告)号：CN111542783A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880084670.2
申请日：2018-12-04
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 一种用于确定衬底上的结构的感兴趣的特性的量测设备，所述结构具有衍射性质，所述设备包括：聚焦光学器件，所述聚焦光学器件被配置成将包括多个波长的照射辐射聚焦至所述结构上；第一检测器，所述第一检测器被配置成检测已从所述结构被衍射的照射辐射的至少一部分；和附加光学器件，所述附加光学器件被配置成在所述第一检测器的至少一部分上产生已从所述结构衍射的照射辐射的不同波长的依赖于波长的空间分布，其中所述第一检测器被布置成至少检测已从所述结构衍射的照射辐射的非零衍射阶。
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公开(公告)号：CN108398856A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810061591.1
申请日：2014-07-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·A·米德莱布鲁克斯 , N·基鹏 , H·J·H·斯米尔蒂 , A·斯特拉艾杰 , M·范德斯卡 , M·G·M·M·范卡拉埃吉
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构，所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述总体不对称度包括由于(i)有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间的重叠误差和(iii)任何特征不对称度所造成的贡献。通过将线性回归模型拟合成用于一个目标结构的不对称度测量对用于另一目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析，所述线性回归模型不一定被拟合成通过该平面表示的原点。然后可以根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。
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公开(公告)号：CN108398856B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810061591.1
申请日：2014-07-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·A·米德莱布鲁克斯 , N·基鹏 , H·J·H·斯米尔蒂 , A·斯特拉艾杰 , M·范德斯卡 , M·G·M·M·范卡拉埃吉
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构，所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述总体不对称度包括由于(i)有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间的重叠误差和(iii)任何特征不对称度所造成的贡献。通过将线性回归模型拟合成用于一个目标结构的不对称度测量对用于另一目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析，所述线性回归模型不一定被拟合成通过该平面表示的原点。然后可以根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。
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公开(公告)号：CN105452962B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201480044257.5
申请日：2014-07-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·A·米德莱布鲁克斯 , N·基鹏 , H·J·H·斯米尔蒂 , A·斯特拉艾杰 , M·范德斯卡 , M·G·M·M·范卡拉埃吉
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633
摘要： 一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构，所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述总体不对称度包括由于(i)有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间的重叠误差和(iii)任何特征不对称度所造成的贡献。通过将线性回归模型拟合成用于一个目标结构的不对称度测量对用于另一目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析，所述线性回归模型不一定被拟合成通过该平面表示的原点。然后可以根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。
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公开(公告)号：CN114902139A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080088308.X
申请日：2020-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 公开了一种量测方法。方法包括：将辐射照射到衬底上；获得与衬底上的一个或多个结构中的每个结构的至少一个测量值相关的测量数据；使用傅里叶相关变换将测量数据变换为经变换的测量数据；以及从经变换的测量数据提取衬底的特征或者消除妨害性参数的影响。
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公开(公告)号：CN105452962A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044257.5
申请日：2014-07-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·A·米德莱布鲁克斯 , N·基鹏 , H·J·H·斯米尔蒂 , A·斯特拉艾杰 , M·范德斯卡 , M·G·M·M·范卡拉埃吉
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70633
摘要： 一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构，所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述总体不对称度包括由于(i)有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间的重叠误差和(iii)任何特征不对称度所造成的贡献。通过将线性回归模型拟合成用于一个目标结构的不对称度测量对用于另一目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析，所述线性回归模型不一定被拟合成通过该平面表示的原点。然后可以根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。
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