照射源和相关联的方法设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117501175A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202280042038.8

    申请日:2022-05-20

    IPC分类号: G02F1/35

    摘要: 一种用于接收泵浦辐射以在相互作用空间处与气体介质相互作用以产生发射辐射的组件。所述组件包括:物件,所述物件具有中空芯部,其中,所述中空芯部具有穿过所述物件的细长体积,其中,所述相互作用空间位于所述中空芯部内部;和导热结构,所述导热结构连接在所述物件的外壁的多个部位处以用于将在所述相互作用空间处所产生的热转移远离所述物件。

    用于高效的高次谐波产生的方法和设备

    公开(公告)号:CN114631055A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202080076314.3

    申请日:2020-10-15

    IPC分类号: G02F1/35 G03F7/20 H05G2/00

    摘要: 披露了一种产生高次谐波辐射的高次谐波辐射源和相关联的方法。所述高次谐波辐射源被配置成通过利用辐射的预脉冲照射所述气体介质来调节所述气体介质,由此产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体;以及利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生所述高次谐波辐射。所述调节步骤使得包括预脉冲等离子体分布的所述等离子体用于配置所述主脉冲的波前以改善以下各项中的一种或两者:所述高次谐波产生过程的效率,和所述高次谐波辐射的束品质。所述高次谐波辐射源还可以包括束整形装置,所述束整形装置被配置成在所述调节之前对所述定制化预脉冲进行整形。

    高阶谐波产生辐射源
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112586089A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201980054729.8

    申请日:2019-07-10

    IPC分类号: H05G2/00

    摘要: 本发明涉及方法和相应设备,其能够操作为引起驱动辐射束与介质之间的相互作用以通过高阶谐波产生来产生发射辐射,所述装置包括:相互作用区,所述相互作用区被定位在相互作用平面且被配置成接收所述介质;束阻挡件,所述束阻挡件在所述相互作用平面的上游被定位在束阻挡平面处且被配置成部分地阻挡所述驱动辐射束;束成形器,所述束成形器在所述束阻挡平面的上游被定位在物平面处且被配置成控制所述驱动辐射束的空间分布;以及至少一个透镜,所述至少一个透镜被定位在所述相互作用平面的上游和所述束阻挡平面的下游,其中所述透镜被定位成使得所述驱动辐射束的所述空间分布的图像形成在所述相互作用平面处。

    自由电子激光器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108701953B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201680082519.6

    申请日:2016-11-29

    IPC分类号: H01S3/09 H05H9/00 G03F7/00

    摘要: 一种自由电子激光器FEL包括波荡器24,产生相干EUV辐射,接收上游电子束EB2并发射下游电子束EB4,和至少电子源21a、21b,能够操作以产生上游电子束EB1、EB2,上游电子束EB1、EB2包括电子聚束。束路径配置为:引导上游电子束通过包括至少第一和第二线性加速器22a、22b的直线加速器系统(LINAC)、聚束压缩器28b和波荡器24。离开所述波荡器24的下游束以一相位与上游电子束平行地再循环通过第二直线加速器22b,使得下游束被所述直线加速器22b减速,随后以一相位与上游电子束平行地再循环通过第一直线加速器22a,使得下游束被第一线性加速器22a减速;以及,引导下游束至束收集器100。至少第一能量散布装置50a、50b、50c对电子聚束的能量分布赋予可逆变化,并且在束路径中位于聚束压缩器28之前的位置,使得它仅通过上游电子束EB1。第二能量散布装置50d反转由至少一个第一能量散布装置50a、50b、50c施加的电子聚束的能量分布的变化,第二散布装置50d在束路径中位于波荡器24之前的位置,使得它仅通过上游电子束EB2。

    自由电子激光器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108701953A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201680082519.6

    申请日:2016-11-29

    IPC分类号: H01S3/09 H05H9/00 G03F7/00

    摘要: 一种自由电子激光器FEL包括波荡器24,产生相干EUV辐射,接收上游电子束EB2并发射下游电子束EB4,和至少电子源21a、21b,能够操作以产生上游电子束EB1、EB2,上游电子束EB1、EB2包括电子聚束。束路径配置为:引导上游电子束通过包括至少第一和第二线性加速器22a、22b的直线加速器系统(LINAC)、聚束压缩器28b和波荡器24。离开所述波荡器24的下游束以一相位与上游电子束平行地再循环通过第二直线加速器22b,使得下游束被所述直线加速器22b减速,随后以一相位与上游电子束平行地再循环通过第一直线加速器22a,使得下游束被第一线性加速器22a减速;以及,引导下游束至束收集器100。至少第一能量散布装置50a、50b、50c对电子聚束的能量分布赋予可逆变化,并且在束路径中位于聚束压缩器28之前的位置,使得它仅通过上游电子束EB1。第二能量散布装置50d反转由至少一个第一能量散布装置50a、50b、50c施加的电子聚束的能量分布的变化,第二散布装置50d在束路径中位于波荡器24之前的位置,使得它仅通过上游电子束EB2。