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公开(公告)号：CN112513742B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201980051246.2
申请日：2019-07-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·J·廷尼曼斯 , 帕特里克·华纳 , V·T·滕纳 , M·范德斯卡
IPC: G03F7/20
Abstract: 披露了一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法，所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构，所述方法包括：确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场；确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二电场；和按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉，以获得按计算方式确定的干涉电场。
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公开(公告)号：CN114080569A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080048483.6
申请日：2020-07-06
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Abstract: 公开了一种图案形成装置和使用该图案形成装置进行图案化的辅助衬底，该图案形成装置用于将产品结构图案化到衬底上。该图案形成装置包括目标图案化元件，其用于图案化至少一个目标，从至少一个目标能够推断感兴趣参数。目标图案化元件和用于图案化产品结构的产品图案化元件。目标图案化元件和产品图案化元件被配置为使得所述至少一个目标具有至少一个边界，该至少一个边界既不平行也不垂直于所述衬底上的所述产品结构。
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公开(公告)号：CN110799905B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201880043171.9
申请日：2018-05-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻过程的重叠误差是使用多个目标结构测量的，每个目标结构具有已知的重叠偏差。检测系统获取表示在多个不同的获取条件(λ1、λ2)下由所述目标结构衍射的辐射的选定部分的多个图像(740)。将所述被获取的图像的像素值组合(748)以获得一个或更多个合成图像(750)。从一个或更多个合成图像提取(744)多个合成衍射信号，且使用所述多个合成衍射信号计算重叠的测量结果。相比于单独地从所述被获取的图像提取衍射信号，减小了计算负担。所述被获取的图像可以是使用散射仪获得的暗场图像或光瞳图像。
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公开(公告)号：CN109891324A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066481.8
申请日：2017-10-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于改善光刻过程的成品率的方法，所述方法包括：确定整个衬底的性能参数的参数指纹，所述参数指纹包括与所述性能参数的不确定性相关的信息；确定整个所述衬底的性能参数的过程窗口指纹，过程窗口与所述性能参数的可允许范围相关联；以及确定与所述性能参数在可允许范围之外的概率相关联的概率度量。可选地，基于所述概率度量来确定对所述光刻过程的校正。
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公开(公告)号：CN108398856A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810061591.1
申请日：2014-07-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·A·米德莱布鲁克斯 , N·基鹏 , H·J·H·斯米尔蒂 , A·斯特拉艾杰 , M·范德斯卡 , M·G·M·M·范卡拉埃吉
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构，所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述总体不对称度包括由于(i)有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间的重叠误差和(iii)任何特征不对称度所造成的贡献。通过将线性回归模型拟合成用于一个目标结构的不对称度测量对用于另一目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析，所述线性回归模型不一定被拟合成通过该平面表示的原点。然后可以根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113552779B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110930656.3
申请日：2017-06-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·范德斯卡 , M·博兹库尔特 , 帕特里克·华纳 , S·C·T·范德山登
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G01N21/956
Abstract: 描述了一种用于提供准确的且鲁棒性的测量光刻特征或量测参数的方法和设备。所述方法包括为量测目标的多个量测参数中的每一个量测参数提供一个范围的值或多个值，为多个量测参数中的每一个量测参数提供约束，并且通过处理器计算以在所述一个范围的值或多个值内优化/修改这些参数，从而导致多个量测目标设计具有满足约束的量测参数。
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公开(公告)号：CN113168119A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080754.3
申请日：2019-12-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于确定光刻过程的性能参数的目标，所述目标包括：第一子目标，所述第一子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第一子目标的底层光栅具有第一节距且所述第一子目标的顶部光栅具有第二节距；至少一个第二子目标，所述第二子目标由至少两个叠置光栅形成，其中所述第二子目标的底层光栅具有第三节距且所述第二子目标的顶部光栅具有第四节距。
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公开(公告)号：CN103003754B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201180035218.5
申请日：2011-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: A01H1/06 , A01G22/00 , C12N15/8201 , G03B27/52 , G03B27/53 , G03F7/705 , G03F7/70633
Abstract: 一种确定重叠误差的方法。测量具有过程引起的不对称性的重叠目标。构造目标的模型。例如通过移动结构中的一个修改模型以补偿不对称性。使用修改的模型计算由不对称性引起的重叠误差。通过从测量的重叠误差中减去由不对称性引起的重叠误差确定产品目标中的重叠误差。在一个示例中，通过改变不对称性p(n′)、p(n″)来修改模型，对多种散射仪测量选配方案重复计算由不对称性引起的重叠误差，确定产品目标中的重叠误差的步骤使用计算的由不对称性引起的重叠误差以选择用于测量产品目标的优化的散射仪测量选配方案。
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公开(公告)号：CN102422226B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080020395.1
申请日：2010-04-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70633
Abstract: 一种确定衬底上重叠误差的方法，其中衍射图案的第一级的不对称度被模型化为谐波的加权和。第一级谐波和更高级谐波都是不可忽略的，并且计算两者的权重。使用最小均方方法使用叠印图案组中的三组或更多组计算权重。
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公开(公告)号：CN103003754A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035218.5
申请日：2011-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: A01H1/06 , A01G22/00 , C12N15/8201 , G03B27/52 , G03B27/53 , G03F7/705 , G03F7/70633
Abstract: 一种确定重叠误差的方法。测量具有过程引起的不对称性的重叠目标。构造目标的模型。例如通过移动结构中的一个修改模型以补偿不对称性。使用修改的模型计算由不对称性引起的重叠误差。通过从测量的重叠误差中减去由不对称性引起的重叠误差确定产品目标中的重叠误差。在一个示例中，通过改变不对称性p(n′)、p(n″)来修改模型，对多种散射仪测量选配方案重复计算由不对称性引起的重叠误差，确定产品目标中的重叠误差的步骤使用计算的由不对称性引起的重叠误差以选择用于测量产品目标的优化的散射仪测量选配方案。
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