光刻系统、EUV辐射源、光刻扫描设备和控制系统

    公开(公告)号:CN110462522A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201880019502.5

    申请日:2018-02-22

    IPC分类号: G03F7/20 H05G2/00 G01J1/42

    摘要: 光刻系统(100)包括用于产生EUV辐射的EUV辐射源;以及光刻扫描设备,其使用EUV辐射来照射图案以将图案成像到衬底上;和控制系统(280)。EUV辐射源包括用于提供表示EUV辐射的空间强度分布的感测信号(272)的感测系统(270)。控制系统用于基于感测信号确定表示EUV辐射的远场强度分布的量,并基于所确定的表示远场强度分布的量确定用于控制所述照射和所述产生中的至少一者的控制信号(282)。

    光刻系统、EUV辐射源、光刻扫描设备和控制系统

    公开(公告)号:CN110462522B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201880019502.5

    申请日:2018-02-22

    IPC分类号: G03F7/20 H05G2/00 G01J1/42

    摘要: 光刻系统(100)包括用于产生EUV辐射的EUV辐射源;以及光刻扫描设备,其使用EUV辐射来照射图案以将图案成像到衬底上;和控制系统(280)。EUV辐射源包括用于提供表示EUV辐射的空间强度分布的感测信号(272)的感测系统(270)。控制系统用于基于感测信号确定表示EUV辐射的远场强度分布的量,并基于所确定的表示远场强度分布的量确定用于控制所述照射和所述产生中的至少一者的控制信号(282)。

    具有可调集光率的脉冲修正装置

    公开(公告)号:CN101782723B

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN200910266086.1

    申请日:2009-12-31

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明提供一种具有可调集光率的脉冲改变装置。束修正单元设置在光刻设备的照射系统中以增大照射束的暂时脉冲长度和集光率。脉冲修正单元接收输入脉冲辐射且发出一个或更多个相应输出脉冲辐射,脉冲修正单元包括将入射脉冲分成第一和第二脉冲部分的分束器,分束器沿第二光学路径引导第一脉冲部分,第二部分被引导在第一光学路径上作为输出束的一部分。第二光学路径包括发散光学元件,发散光学元件角度可在不减小束尺寸的情况下增大束的发散而增大集光率。第一和第二反射镜每一个具有曲率半径,以预定间隔彼此面对,接收第二脉冲部分并且重新引导第二部分使第二部分通过脉冲修正装置的光学路径比第一部分的长。

    具有可调集光率的脉冲修正装置

    公开(公告)号:CN101782723A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200910266086.1

    申请日:2009-12-31

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明提供一种具有可调集光率的脉冲改变装置。束修正单元设置在光刻设备的照射系统中以增大照射束的暂时脉冲长度和集光率。脉冲修正单元接收输入脉冲辐射且发出一个或更多个相应输出脉冲辐射,脉冲修正单元包括将入射脉冲分成第一和第二脉冲部分的分束器,分束器沿第二光学路径引导第一脉冲部分,第二部分被引导在第一光学路径上作为输出束的一部分。第二光学路径包括发散光学元件,发散光学元件角度可在不减小束尺寸的情况下增大束的发散而增大集光率。第一和第二反射镜每一个具有曲率半径,以预定间隔彼此面对,接收第二脉冲部分并且重新引导第二部分使第二部分通过脉冲修正装置的光学路径比第一部分的长。