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公开(公告)号：CN119422223A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048916.1
申请日：2023-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种评估方法，包括：使用评估装置以生成表示样品表面的属性的评估信号；处理评估信号以标识候选缺陷并输出候选缺陷信号；针对错误条件而监视评估装置的状态并生成指示在评估装置的运行期间的任何错误条件的状态信号；以及分析候选缺陷信号以确定候选缺陷是否为真实缺陷；其中如果状态信号指示评估信号和/或与候选缺陷相对应的候选缺陷信号已受到错误条件的影响，则对候选缺陷的分析未完成。
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公开(公告)号：CN119404279A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048971.0
申请日：2023-07-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J-J·维兰德
Abstract: 一种用于对评估位置处的样品进行评估的带电粒子光学装置，所述带电粒子光学装置包括：评估带电粒子光学设备，被配置为沿着评估束路径朝向评估位置投射评估带电粒子束，评估带电粒子束用于对评估位置处的样品进行评估；预备带电粒子光学设备，被配置为沿着预备束路径投射预备带电粒子束，预备带电粒子束用于准备用于评估的样品；以及光源，被配置为朝向照射位置投射光束；其中照射位置与评估带电粒子光学设备之间的位置关系不同于评估位置与评估带电粒子光学设备之间的位置关系。
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公开(公告)号：CN119278495A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380043079.3
申请日：2023-05-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J-J·维兰德
IPC: H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 一种带电粒子评估装置，用于通过在样品上扫描带电粒子束来检测样品中的缺陷；该装置包括：检测器单元，被配置为响应于从样品入射的信号粒子来输出像素值的数字检测信号，像素值表示细长像素。
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公开(公告)号：CN116802764A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180092385.7
申请日：2021-12-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·W·H·K·斯蒂恩布林克 , J·J·科宁 , J·范索伊斯特 , M·J-J·维兰德
IPC: H01J37/12
Abstract: 本文中公开了一种电子光学器件、透镜组件和电子光学装置列。电子光学器件包括阵列衬底和邻接衬底，并且被配置为在衬底之间提供电位差。孔径阵列被限定在衬底中的每个衬底中，以用于电子束波的路径。阵列衬底具有阶梯式厚度，使得阵列衬底在与孔径阵列相对应的区域中比阵列衬底的另一区域更薄。
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公开(公告)号：CN115769332A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180048142.3
申请日：2021-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J-J·维兰德
IPC: H01J37/075
Abstract: 本公开涉及带电粒子多射束列和多射束列阵列。在一种配置中，限定子射束的孔径阵列根据带电粒子射束形成子射束。准直器阵列使子射束准直。物镜阵列将经准直的子射束投射到样品上。检测器检测从样品发射的带电粒子。每个准直器与物镜中的一个物镜直接相邻。检测器设置在限定子射束的孔径阵列的射束下游平面中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115151998A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180015854.5
申请日：2021-02-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J-J·维兰德
IPC: H01J37/12 , H01J37/153 , H01J37/28
Abstract: 公开了带电粒子评估工具和检查方法。在一种布置中，会聚透镜阵列将带电粒子束划分为多个子束。每个子束被聚焦到相应的中间焦点。中间焦点下游的物镜将来自会聚透镜阵列的子束投射到样品上。每个子束的路径基本上是从每个会聚透镜到对应物镜的直线。
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公开(公告)号：CN111213232B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201880065604.0
申请日：2018-08-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·N·J·范科尔维克 , M·J-J·维兰德
IPC: H10B10/00 , G03F7/20 , G11C11/412 , G11C17/12 , H01L21/027 , H10B20/00 , H10B41/00
Abstract: 一种用于制造包括用于存储一个或多个数据值的多个存储器单元的半导体存储器件的方法，该方法包括：在晶片上曝光图案以产生用于半导体存储器件的多个存储器单元的结构，其中该图案是借助于一个或多个带电粒子束来曝光的；在图案的曝光期间改变一个或多个带电粒子束的曝光剂量以在至少一个存储器单元的一个或多个结构中生成一组一个或多个非共同特征，使得至少一个存储器单元的结构不同于半导体存储器件的其他存储器单元的对应结构。
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公开(公告)号：CN117918007A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202280060685.1
申请日：2022-08-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F1/84 , G01N21/956 , G03F7/20 , G06T7/00
Abstract: 由于掩模检查晶片可以利用与生产晶片不同的工艺，所以可以利用具有较低光瞳填充比(PFR)的高对比度照射设置，其导致扫描仪的生产率降低。通过选择不同于在生产晶片上使用的高对比度照射设置，可以实现颗粒可印刷性与随机缺陷的比率的提高。组合地，或者替代地，可以利用更高剂量的抗蚀剂。这允许对晶片进行更长的曝光，从而减小光子散粒噪声的影响，还导致颗粒可印刷性与随机缺陷的提高的比率。结果，可以进一步增强颗粒可印刷性，而不会导致过量的随机缺陷。因此，可以显著地提高带电粒子检查和分析的位点数目，从而提高吞吐量。
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公开(公告)号：CN117296122A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034607.4
申请日：2022-04-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J-J·维兰德
IPC: H01J37/28
Abstract: 公开了评估系统和方法。在一种布置中，带电粒子在以多射束布置的子射束中朝向样品引导。多个控制电极限定控制透镜阵列。控制透镜阵列中的每个控制透镜与多射束的相应子射束的子射束路径对准，并且被配置为对相应子射束进行操作。多个物镜电极限定将子射束引导到样品上的物镜阵列。物镜与子射束路径对准，该子射束路径与相应控制透镜对准。通过向控制电极和物镜电极施加对应电位，针对多射束的子射束实施可选择着陆能量。控制器被配置为选择对应电位，使得系统的图像平面与所有控制电极和物镜电极之间的空间关系对于每个可选择着陆能量是相同的。
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公开(公告)号：CN116941009A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202180093973.2
申请日：2021-12-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J-J·维兰德 , A·V·G·曼格努斯
IPC: H01J37/12
Abstract: 本发明提供了用于检测反向散射带电粒子的各种技术，包括沿着子束路径加速带电粒子子束到达样品、从检测器阵列排斥二次带电粒子，以及提供可以在用于主要检测带电粒子的模式与用于主要检测二次粒子的模式之间切换的装置和检测器。
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