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公开(公告)号：CN109073995B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780027317.6
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的参数的方法，该方法包括：获得检测到的由在标称物理配置下具有几何对称性的结构重定向的辐射的表示，其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述结构填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统基于来自所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分的光学特性值来确定所述图案化工艺的参数的值，所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分具有比所述检测到的辐射的表示中的另一部分更高的权重，所述不对称光学特性分布源自所述结构的与所述标称物理配置不同的物理配置。
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公开(公告)号：CN119422223A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048916.1
申请日：2023-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种评估方法，包括：使用评估装置以生成表示样品表面的属性的评估信号；处理评估信号以标识候选缺陷并输出候选缺陷信号；针对错误条件而监视评估装置的状态并生成指示在评估装置的运行期间的任何错误条件的状态信号；以及分析候选缺陷信号以确定候选缺陷是否为真实缺陷；其中如果状态信号指示评估信号和/或与候选缺陷相对应的候选缺陷信号已受到错误条件的影响，则对候选缺陷的分析未完成。
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公开(公告)号：CN113614644A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022670.7
申请日：2020-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于量测的方法、计算机程序和相关联的设备。该方法包括确定衬底或衬底部分是否受到工艺效应。该方法包括：获取检查数据，检查数据包括与衬底或其一部分上的结构相关联的多组测量数据；例如测量光瞳；以及获取指纹数据，指纹数据描述感兴趣参数的空间变化。执行检查数据到指纹数据的迭代映射。结构是否受到工艺效应基于迭代映射收敛于解的程度。
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公开(公告)号：CN109073996B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201780027336.9
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰动，以确定多个像素中的每个像素中的所述光学响应的对应变化，从而获得多个像素灵敏度；以及基于所述像素灵敏度，确定多个权重，所述多个权重用于与衬底上的所述结构的经测量的像素光学特性值组合，以产生与所述物理配置中的变化相关联的参数的值，每个权重对应于一个像素。
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公开(公告)号：CN107924140B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680049910.6
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111051987A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055970.8
申请日：2018-08-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种包括用于测量器件制造工艺的参数的多个特征的基底以及相关联的方法和装置。该测量是通过用来自光学设备的测量辐射照射特征、并且检测由测量辐射与特征之间的相互作用引起的信号来进行的，其中多个特征包括以第一间距以周期性方式分布的第一特征和以第二间距以周期性方式分布的第二特征，并且其中第一间距和第二间距使得第一特征和第二特征的组合间距是恒定的，而不管多个特征中是否存在间距行走。
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公开(公告)号：CN109073997A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027338.8
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：用辐射光束照射衬底，使得所述衬底上的光束斑点被单位单元的一个或多个物理实例填充，所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性；使用检测器检测由所述单位单元的所述一个或多个物理实例重定向的主要零阶辐射；以及由硬件计算机系统从检测到的辐射的光学特性值确定所述单位单元的套刻的非标称值。
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公开(公告)号：CN109073996A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027336.9
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰动，以确定多个像素中的每个像素中的所述光学响应的对应变化，从而获得多个像素灵敏度；以及基于所述像素灵敏度，确定多个权重，所述多个权重用于与衬底上的所述结构的经测量的像素光学特性值组合，以产生与所述物理配置中的变化相关联的参数的值，每个权重对应于一个像素。
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公开(公告)号：CN113614644B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202080022670.7
申请日：2020-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于量测的方法、计算机程序和相关联的设备。该方法包括确定衬底或衬底部分是否受到工艺效应。该方法包括：获取检查数据，检查数据包括与衬底或其一部分上的结构相关联的多组测量数据；例如测量光瞳；以及获取指纹数据，指纹数据描述感兴趣参数的空间变化。执行检查数据到指纹数据的迭代映射。结构是否受到工艺效应基于迭代映射收敛于解的程度。
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公开(公告)号：CN111051987B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201880055970.8
申请日：2018-08-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种包括用于测量器件制造工艺的参数的多个特征的基底以及相关联的方法和装置。该测量是通过用来自光学设备的测量辐射照射特征、并且检测由测量辐射与特征之间的相互作用引起的信号来进行的，其中多个特征包括以第一间距以周期性方式分布的第一特征和以第二间距以周期性方式分布的第二特征，并且其中第一间距和第二间距使得第一特征和第二特征的组合间距是恒定的，而不管多个特征中是否存在间距行走。
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