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公开(公告)号：CN115840333A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211280390.3
申请日：2015-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： M·克鲁兹恩卡 , 马尔滕·M·M·詹森 , 约根·M·阿泽雷L , 埃里克·W·博加特 , 德克·S·G·布龙 , 马克·布鲁因 , 理查德·J·布鲁尔斯 , J·德克尔斯 , 保罗·詹森 , 穆罕默德·R·卡迈利 , R·H·G·克莱默 , R·G·M·兰斯博根 , M·H·A·里恩德尔斯 , 马太·利普森 , E·R·鲁普斯特拉 , 约瑟夫·H·莱昂斯 , S·鲁 , G·范德博世 , S·范德黑坎特 , S·范德格拉夫 , F·范德穆伦 , J·F·S·V·范罗 , B·L·M-J·K·韦伯罗根
Abstract: 一种适合用于光刻工艺中的掩模组件，所述掩模组件包括：图案形成装置；和表膜框架，所述表膜框架被配置用以支撑表膜且利用安装件而安装在所述图案形成装置上；其中所述安装件被配置成用以相对于所述图案形成装置悬置所述表膜框架，使得所述所述膜框架与所述图案形成装置之间有间隙；且其中所述安装件在所述图案形成装置与所述表膜框架之间提供以可释放的方式可接合的附接。
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公开(公告)号：CN107172884B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201580062446.X
申请日：2015-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： M·克鲁兹恩卡 , 马尔滕·M·M·詹森 , 约根·M·阿泽雷L , 埃里克·W·博加特 , 德克·S·G·布龙 , 马克·布鲁因 , 理查德·J·布鲁尔斯 , J·德克尔斯 , 保罗·詹森 , 穆罕默德·R·卡迈利 , R·H·G·克莱默 , R·G·M·兰斯博根 , M·H·A·里恩德尔斯 , 马太·利普森 , E·R·鲁普斯特拉 , 约瑟夫·H·莱昂斯 , S·鲁 , G·范德博世 , S·范德黑坎特 , S·范德格拉夫 , F·范德穆伦 , J·F·S·V·范罗 , B·L·M-J·K·韦伯罗根
Abstract: 一种适合用于光刻工艺中的掩模组件，所述掩模组件包括：图案形成装置；和表膜框架，所述表膜框架被配置用以支撑表膜且利用安装件而安装在所述图案形成装置上；其中所述安装件被配置成用以相对于所述图案形成装置悬置所述表膜框架，使得所述所述膜框架与所述图案形成装置之间有间隙；且其中所述安装件在所述图案形成装置与所述表膜框架之间提供以可释放的方式可接合的附接。
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公开(公告)号：CN107172884A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201580062446.X
申请日：2015-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： M·克鲁兹恩卡 , 马尔滕·M·M·詹森 , 约根·M·阿泽雷L , 埃里克·W·博加特 , 德克·S·G·布龙 , 马克·布鲁因 , 理查德·J·布鲁尔斯 , J·德克尔斯 , 保罗·詹森 , 穆罕默德·R·卡迈利 , R·H·G·克莱默 , R·G·M·兰斯博根 , M·H·A·里恩德尔斯 , 马太·利普森 , E·R·鲁普斯特拉 , 约瑟夫·H·莱昂斯 , S·鲁 , G·范德博世 , S·范德黑坎特 , S·范德格拉夫 , F·范德穆伦 , J·F·S·V·范罗 , B·L·M-J·K·韦伯罗根
CPC classification number: G03F7/70983 , G03F1/64 , G03F7/70825 , G03F1/62
Abstract: 一种适合用于光刻工艺中的掩模组件，所述掩模组件包括：图案形成装置；和表膜框架，所述表膜框架被配置用以支撑表膜且利用安装件而安装在所述图案形成装置上；其中所述安装件被配置成用以相对于所述图案形成装置悬置所述表膜框架，使得所述膜框架与所述图案形成装置之间有间隙；且其中所述安装件在所述图案形成装置与所述表膜框架之间提供以可释放的方式可接合的附接。
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公开(公告)号：CN114391124A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202080064062.2
申请日：2020-08-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于确定光刻匹配性能的方法，包括从针对用于可用的EUV扫描仪EUV1、EUV3和EUV4的稳定性控制的周期性监控获得第一监控数据E1M、E3M、E4M。对于DUV扫描仪，以类似的方式从用于稳定性控制的周期性监控(DMW、MT、OV、SM)获得第二监控数据D2M。EUV监控数据E1M、E3M、E4M在第一布局中。DUV监控数据D2M在第二布局中。基于第一监控数据和第二监控数据，确定第一光刻设备与第二光刻设备之间的跨平台套刻精度匹配性能。这是通过将第一监控数据和第二监控数据中的至少一个重构造900、1000为通用布局E1S、E3S、E4S、D2S以允许比较802第一监控数据与第二监控数据而实现的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585538A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980053030.X
申请日：2019-07-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 穆罕默德·R·卡迈利 , 布伦南·彼得森
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 公开了一种用于控制制造半导体器件的制造过程的方法，所述方法包括：获得指示所述制造过程的性能的性能数据，所述性能数据包括横跨经受所述制造过程的衬底的性能参数的值；和基于所述性能数据和与所述制造过程的一个或更多个控制参数的动态行为有关的至少一个控制特性，确定对所述制造过程的过程校正，其中所述确定步骤还基于当施加所述过程校正时所述制造过程的预期稳定性。
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公开(公告)号：CN115989560A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180053282.X
申请日：2021-08-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·帕拉雅维努格帕拉 , 穆罕默德·R·卡迈利 , M·库比斯
IPC: H01L21/027
Abstract: 披露了用于模拟等离子体蚀刻过程的系统和方法。根据某些实施例，用于模拟等离子体蚀刻过程的方法可以包括：基于多个第一参数，以第一尺度预测等离子体的粒子的第一特性；基于由多个第二参数引起的对所述第一特性的修改，以第二尺度预测所述粒子的第二特性；以及基于所述粒子的所述第一特性和所述第二特性来模拟特征的蚀刻特性。多尺度物理蚀刻模型或多尺度数据驱动模型可以用于模拟所述等离子体蚀刻过程。
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公开(公告)号：CN108604058A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081619.7
申请日：2016-12-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F1/64 , G03F1/66 , G03F7/70741 , G03F7/70983
Abstract: 一种用于EUV光刻术的隔膜组件(80)，所述隔膜组件包括：平面的隔膜(40)；边框(81)，配置成保持隔膜；和框架组件(50)，连接到边框并且被配置成附接到用于EUV光刻术的图案形成装置(MA)；其中框架组件在垂直于隔膜的平面的方向上连接到边框，使得在使用中框架组件位于边框和图案形成装置之间。
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公开(公告)号：CN114391124B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080064062.2
申请日：2020-08-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于确定光刻匹配性能的方法，包括从针对用于可用的EUV扫描仪EUV1、EUV3和EUV4的稳定性控制的周期性监控获得第一监控数据E1M、E3M、E4M。对于DUV扫描仪，以类似的方式从用于稳定性控制的周期性监控(DMW、MT、OV、SM)获得第二监控数据D2M。EUV监控数据E1M、E3M、E4M在第一布局中。DUV监控数据D2M在第二布局中。基于第一监控数据和第二监控数据，确定第一光刻设备与第二光刻设备之间的跨平台套刻精度匹配性能。这是通过将第一监控数据和第二监控数据中的至少一个重构造900、1000为通用布局E1S、E3S、E4S、D2S以允许比较802第一监控数据与第二监控数据而实现的。
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公开(公告)号：CN112585538B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980053030.X
申请日：2019-07-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 穆罕默德·R·卡迈利 , 布伦南·彼得森
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 公开了一种用于控制制造半导体器件的制造过程的方法，所述方法包括：获得指示所述制造过程的性能的性能数据，所述性能数据包括横跨经受所述制造过程的衬底的性能参数的值；和基于所述性能数据和与所述制造过程的一个或更多个控制参数的动态行为有关的至少一个控制特性，确定对所述制造过程的过程校正，其中所述确定步骤还基于当施加所述过程校正时所述制造过程的预期稳定性。
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