-
公开(公告)号:CN102376516B
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201110222290.0
申请日:2011-08-04
申请人: FEI公司
发明人: G.C.范霍夫滕 , J.洛夫 , F.J.P.舒尔曼斯 , M.A.W.斯特克伦堡 , R.亨德森 , A.R.法鲁奇 , G.J.麦克穆兰 , R.A.D.图尔切塔 , N.C.古里尼
IPC分类号: H01J37/22 , H01J37/26 , H01L27/146
CPC分类号: H01J37/244 , H01J37/22 , H01J37/26 , H01J37/263 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/2446 , H01J2237/2447 , H01J2237/24578 , H01J2237/26 , H01J2237/2802
摘要: 本发明涉及薄电子探测器中的反向散射降低。在直接电子探测器中,防止电子从传感器下面到探测器部中的反向散射。在某些实施例中,在传感器下面保持空间。在其它实施例中,在传感器下面的结构包括:或者延伸到传感器或者从传感器延伸以捕获电子的几何形状,诸如多个高纵横比通道;或者用于偏转通过传感器的电子的斜向表面的结构。
-
公开(公告)号:CN102737937B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201210099031.8
申请日:2012-04-06
申请人: FEI公司
IPC分类号: H01J37/26 , H01J37/244
CPC分类号: H01J37/26 , H01J37/244 , H01J37/302 , H01J2237/0203 , H01J2237/043 , H01J2237/065 , H01J2237/22 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/24507 , H01J2237/26 , H01J2237/262 , H01J2237/2802
摘要: 本发明涉及在带电粒子射束设备中保护辐射检测器的方法。本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器(151)的方法。本发明包括在设置新的射束参数诸如改变聚光透镜(104)、投影器透镜(106)和/或射束能量的激发之前预测检测器上的电流密度。该预测是使用光学模型或者查表实现的。当预测的检测器暴露小于预定数值时,实现所期改变,否则产生警告消息并且推迟设置的改变。
-
公开(公告)号:CN102737937A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210099031.8
申请日:2012-04-06
申请人: FEI公司
IPC分类号: H01J37/26 , H01J37/244
CPC分类号: H01J37/26 , H01J37/244 , H01J37/302 , H01J2237/0203 , H01J2237/043 , H01J2237/065 , H01J2237/22 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/24507 , H01J2237/26 , H01J2237/262 , H01J2237/2802
摘要: 本发明涉及在带电粒子射束设备中保护辐射检测器的方法。本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器(151)的方法。本发明包括在设置新的射束参数诸如改变聚光透镜(104)、投影器透镜(106)和/或射束能量的激发之前预测检测器上的电流密度。该预测是使用光学模型或者查表实现的。当预测的检测器暴露小于预定数值时,实现所期改变,否则产生警告消息并且推迟设置的改变。
-
公开(公告)号:CN102376516A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110222290.0
申请日:2011-08-04
申请人: FEI公司
发明人: G.C.范霍夫滕 , J.洛夫 , F.J.P.舒尔曼斯 , M.A.W.斯特克伦堡 , R.亨德森 , A.R.法鲁奇 , G.J.麦克穆兰 , R.A.D.图尔切塔 , N.C.古里尼
IPC分类号: H01J37/22 , H01J37/26 , H01L27/146
CPC分类号: H01J37/244 , H01J37/22 , H01J37/26 , H01J37/263 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/2446 , H01J2237/2447 , H01J2237/24578 , H01J2237/26 , H01J2237/2802
摘要: 本发明涉及薄电子探测器中的反向散射降低。在直接电子探测器中,防止电子从传感器下面到探测器部中的反向散射。在某些实施例中,在传感器下面保持空空间。在其它实施例中,在传感器下面的结构包括:或者延伸到传感器或者从传感器延伸以捕获电子的几何形状,诸如多个高纵横比通道;或者用于偏转通过传感器的电子的斜向表面的结构。
-
-
-