公开(公告)号：CN101133364A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680006646.4

申请日：2006-02-24

申请人： JSR株式会社

发明人： 今野圭二 ,  田中正人 ,  石井桃子 ,  高桥纯一 ,  永井智树

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

摘要： 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜用组合物，可形成与抗蚀剂膜的密合性优异，提高抗蚀剂图案再现性和对在显影等中使用的碱液及除去抗蚀剂时的氧灰化具有耐受性的抗蚀剂下层膜，并且该组合物保存稳定性优异。本发明涉及的抗蚀剂下层膜用组合物的特征在于含有下述通式(A)表示的硅烷化合物的水解物和/或其缩合物。Rb1Rc2Si(OR3)4－a...(A)[式中，R1表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R2独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c]。

公开(公告)号：CN1886410A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480034903.6

申请日：2004-10-14

申请人： JSR株式会社

发明人： 西村功 ,  山原登 ,  田中正人 ,  下川努

IPC分类号： C07F7/18 ,  C08G77/14 ,  G03F7/075 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供适合作为I－D偏差、焦点会聚范围(DOF)等特别优异的化学放大型抗蚀剂中的树脂成分的新型聚硅氧烷，作为合成该聚硅氧烷的原料等有用的新型硅烷化合物，和含有该聚硅氧烷的放射线敏感性树脂组合物。硅烷化合物用下述式(I)表示。聚硅氧烷具有下述式(1)表示的结构单元(R表示烷基，R1与R2表示氟原子、低级烷基或低级氟代烷基，n是0或1，k是1或2，i是0～10的整数)。放射线敏感性树脂组合物含有该聚硅氧烷和放射线敏感性酸发生剂。

公开(公告)号：CN101133364B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200680006646.4

申请日：2006-02-24

申请人： JSR株式会社

发明人： 今野圭二 ,  田中正人 ,  石井桃子 ,  高桥纯一 ,  永井智树

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0752 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663

摘要： 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜用组合物，可形成与抗蚀剂膜的密合性优异，提高抗蚀剂图案再现性和对在显影等中使用的碱液及除去抗蚀剂时的氧灰化具有耐受性的抗蚀剂下层膜，并且该组合物保存稳定性优异。本发明涉及的抗蚀剂下层膜用组合物的特征在于含有下述通式(A)表示的硅烷化合物的水解物和/或其缩合物。R1bR2cSi(OR3)4-a...(A)[式中，R1表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R2独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c]。