公开(公告)号：CN104678708B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410209920.4

申请日：2014-05-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔玄武 ,  柳娥凛 ,  白好贞 ,  李昌珉 ,  崔承集

IPC: G03F7/032 ,  G02B5/20 ,  G02B1/04

CPC classification number: G03F7/0384 ,  G02B5/223 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/032 ,  G03F7/033 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/105

Abstract: 本发明公开了黑色光敏树脂组合物和使用其的挡光层。该黑色光敏树脂组合物包括：(A)粘合剂树脂；(B)包含颜料和硅石纳米颗粒的着色剂；(C)可光聚合化合物；(D)光聚合引发剂；以及(E)溶剂，其中，基于100重量份的颜料，以约1重量份至约11重量份的量包含硅石纳米颗粒，并且公开了使用其的挡光层和滤色片。

公开(公告)号：CN108780277A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780015657.7

申请日：2017-03-15

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司

Inventor： C·沃尔福-古普塔 ,  饶袁桥 ,  W·H·H·伍德沃德

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/023 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0385 ,  G03F7/0022 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/0236 ,  G03F7/0752

Abstract: 一种用于制备光可成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)包含甲酚酚醛树脂和重氮萘醌抑制剂的正性光致抗蚀剂；和(b)官能化的氧化锆纳米粒子。

公开(公告)号：CN108027570A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680051821.5

申请日：2016-09-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  坂本力丸 ,  中岛诚 ,  柴山亘

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  C08G77/20

CPC classification number: H01L21/0274 ,  C08G77/16 ,  C08G77/20 ,  C09D151/085 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在抗蚀剂图案上而使图案反转的涂布组合物。作为解决手段是一种组合物，是在抗蚀剂图案上涂布的组合物，其包含将水解性硅烷水解缩合而得的聚硅氧烷、和羧酸酯溶剂或醚溶剂，该水解性硅烷包含含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的水解性硅烷。水解性硅烷以在全部水解性硅烷中20～100摩尔％的比例包含含有乙烯基或(甲基)丙烯酰氧基的水解性硅烷。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂的工序(1)；将抗蚀剂膜进行曝光接着进行显影从而形成抗蚀剂图案的工序(2)；在显影中或显影后的抗蚀剂图案上涂布上述组合物的工序(3)；通过蚀刻将抗蚀剂图案除去而使图案反转的工序(4)。

公开(公告)号：CN107957657A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710951406.1

申请日：2017-10-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 浅井聪 ,  曾我恭子 ,  加藤英人

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08L83/06 ,  C08L83/14 ,  C09D183/06 ,  C09D183/14 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/11 ,  G03F7/0045

Abstract: 膜材料包括相对于波长300-450nm的光具有至少60％透射率的支持膜和含有0.001-10重量％的具有至多10,000分子量的碱性化合物并且具有1-100μm的厚度的树脂层。通过将膜材料中的树脂层贴附至晶片上的化学放大负型抗蚀剂层，曝光，烘焙和显影抗蚀剂层形成图案。改进了图案中的开口的轮廓。

公开(公告)号：CN103901728B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310704085.7

申请日：2013-12-19

Applicant: 奇美实业股份有限公司

Inventor： 吴明儒 ,  施俊安

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/008 ,  G03F7/027 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/038 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/0757

Abstract: 本发明有关一种感光性聚硅氧烷组合物。该感光性聚硅氧烷组合物包含：聚硅氧烷聚合物(A)；邻萘醌二叠氮磺酸酯(B)；氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯化合物(C)，其中，所述氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯化合物(C)每分子包含至少六个(甲基)丙烯酰基；无机粒子(D)，其中，所述无机粒子(D)以第四族元素的氧化物为主要成分；以及溶剂(E)。该感光性聚硅氧烷组合物具有感光度佳及折射率佳的优点。本发明还提供一种于一基板上形成薄膜的方法、一种基板上的薄膜及一种装置。

公开(公告)号：CN106662821A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580038119.0

申请日：2015-07-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  志垣修平 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/04

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明的课题是提供，在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)。

公开(公告)号：CN103959170B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201280059402.8

申请日：2012-11-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  权孝英 ,  赵娟振 ,  金润俊 ,  金永珉 ,  尹龙云 ,  李忠宪

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C07C35/44

CPC classification number: C07C39/14 ,  B05D1/005 ,  B05D3/007 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/06 ,  C07C39/12 ,  C07C2603/50 ,  C07C2603/54 ,  C09D173/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 本发明涉及一种由化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包括该单体的硬掩模组合物、以及使用其的图案形成方法。

公开(公告)号：CN106328603A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610003814.X

申请日：2016-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡毓祥 ,  刘重希 ,  郭宏瑞 ,  廖思豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/32 ,  G03F7/0387 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/095 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L23/3157

Abstract: 一些实施例涉及用于形成封装件结构的方法并且由此形成的封装件结构。实施例方法包括：在支撑结构上沉积感光介电层；在感光介电层的表面上形成第一层；将感光介电层暴露于辐射；以及在形成第一层和暴露于辐射之后，显影感光介电层。支撑结构包括集成电路管芯。在显影期间，第一层具有与感光介电层不同的去除选择性。根据一些实施例，在显影之后可以提高感光介电层的厚度均匀性，并且可以减少因显影感光介电层导致的厚度损失。本发明实施例涉及封装件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105885018A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510795893.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南宫烂 ,  权孝英 ,  金昇炫 ,  豆米尼阿·拉特维 ,  文秀贤 ,  郑铉日 ,  许柳美

IPC: C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  H01L21/027 ,  G03F1/56

CPC classification number: C08G12/00 ,  C08G12/26 ,  C08G61/124 ,  C08G73/0672 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3424 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271 ,  C08L65/00 ,  G03F1/56 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明提供一种包含由化学式1表示的部分的聚合物、一种包含所述聚合物的有机层组成物、一种由所述有机层组成物制成的有机层以及一种使用所述有机层组成物形成图案的方法。本发明的聚合物具有良好的膜密度、抗蚀刻性以及可溶性。

公开(公告)号：CN105612459A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055095.5

申请日：2014-10-03

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中岛诚 ,  柴山亘 ,  若山浩之 ,  武田谕

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/04 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  G03F7/40

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/06 ,  C08G77/26 ,  C08G77/58 ,  C08G77/80 ,  C08K3/22 ,  C08K3/24 ,  C08K2003/2244 ,  C08L83/04 ,  C08L85/00 ,  C09D1/00 ,  C09D5/00 ,  C09D5/006 ,  C09D7/61 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有，(A)成分：同多酸或杂多酸或它们的盐或它们的组合、和(B)成分：聚硅氧烷、聚氧化铪或氧化锆或它们的组合，基于(A)成分和(B)成分的合计量，以0.1～85质量％的比例含有(A)成分，该聚硅氧烷为R1aR2bSi(R3)4-(a+b)所示的水解性硅烷的水解缩合物，在全部水解性硅烷中含有60～85摩尔％的(a+b)为0的水解性硅烷，该聚氧化铪为Hf(R4)4所示的水解性铪的水解缩合物，该氧化锆为Zr(R5)4、或ZrO(R6)2所示的水解性锆或它们的组合的水解缩合物。