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公开(公告)号：CN112368643A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980044459.2
申请日：2019-06-14
申请人： JSR株式会社
摘要： 本发明的课题在于提供一种无镀敷液的渗入而可制造形状良好的镀敷造形物的镀敷造形物的制造方法。本发明的镀敷造形物的制造方法的特征在于包括：步骤(1)，将表面处理剂暴露于在表面具有含铜膜的基板上，形成表面处理基板，所述表面处理剂含有0.001质量％～2质量％的选自三唑(A1)及苯并三唑系化合物(A2)中的至少一种三唑化合物(A)及90质量％～99.999质量％的有机溶剂(B)；步骤(2)，在所述表面处理基板上形成抗蚀剂组合物的涂膜；步骤(3)，对所述涂膜进行曝光及显影，形成抗蚀剂图案；以及步骤(4)，将所述抗蚀剂图案作为掩模来进行镀敷液处理。
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公开(公告)号：CN107210214A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006490.3
申请日：2016-03-24
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , B24B37/20 , B24B57/02 , C09G1/02 , C23F1/00 , C23F3/04 , C23G1/20 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/4846 , H01L21/4864 , H01L23/49866 , H05K3/26 , H05K2203/0793
摘要： 本发明的化学机械研磨用处理组合物的特征为：含有(A)水溶性胺、(B)具有含芳香族烃基的重复单元的水溶性聚合物、及水系介质，优选含有(C)具有芳香族烃基的有机酸，且pH为9以上。
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公开(公告)号：CN112534353A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051934.9
申请日：2019-06-14
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/12 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/60
摘要： 本发明的目的在于提供一种可形成分辨性优异、且能够应对铜镀敷及镍镀敷的抗蚀剂图案的感光性树脂组合物、使用所述感光性树脂组合物的抗蚀剂图案的形成方法、使用所述抗蚀剂图案的镀敷造形物的制造方法、具有镀敷造形物的半导体装置，本组合物含有聚合物(A)及光酸产生剂(B)，所述聚合物(A)具有下述式(a1)所表示的结构单元(a1)、下述式(a2)所表示的结构单元(a2)、及下述式(a3)所表示的结构单元(a3)。式(a3)中，R33表示羟基芳基。
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公开(公告)号：CN118511127A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016080.7
申请日：2023-02-13
申请人： JSR株式会社
摘要： [课题]本发明的课题在于提供一种溶剂的蒸发性优异并且可制造涂布气泡的生成得到充分抑制的抗蚀剂涂膜的感光性树脂组合物，并提供一种使用所述感光性树脂组合物的抗蚀剂图案膜的制造方法及使用所述抗蚀剂图案膜的镀敷造形物的制造方法。[解决手段]一种感光性树脂组合物，其特征在于包含：聚合物(A)，含有具有酚性羟基的结构单元与源自具有酸解离性基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元；特定的光酸产生剂(B)；以及有机溶剂(C)，含有3‑乙氧基乙基丙酸酯，且所述感光性树脂组合物的固体成分浓度为30质量％以上。
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公开(公告)号：CN112534352A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051416.7
申请日：2019-07-01
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/28 , C08F220/30 , G03F7/20 , G03F7/40
摘要： 本发明的目的在于提供一种形成作为镀覆处理的掩模而有用的抗蚀剂图案的感光性树脂组合物、使用了所述感光性树脂组合物的抗蚀剂图案的形成方法、使用了通过所述形成方法所形成的抗蚀剂图案的镀覆成形物的制造方法、以及具有所述镀覆成形物的半导体装置，感光性树脂组合物含有：聚合体(A)，具有下述式(a1)所示的结构单元(a1)、下述式(a2)所示的结构单元(a2)、及下述式(a3)所示的结构单元(a3)；以及光酸产生剂(B)。式(a3)中，R33表示羟基芳基。
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公开(公告)号：CN108395845A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201710387509.X
申请日：2017-05-26
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/02 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/042 , B24B49/16 , H01L21/02074 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L21/31133 , C09G1/02
摘要： 本发明提供一种生产性优异、抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效率地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有钾及钠、以及下述通式(1)所表示的化合物A，当将所述钾的含量设为MKppm、将所述钠的含量设为MNappm时，MK/MNa＝1×10-1～1×104。所述通式(1)中，R1～R4分别独立地表示氢原子或有机基。M-表示阴离子。
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公开(公告)号：CN107353832A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710238028.2
申请日：2017-04-12
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 本发明提供一种抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有3×101个/mL～1.5×103个/mL的粒径为0.1μm～0.3μm的粒子。
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公开(公告)号：CN107353831A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710235092.5
申请日：2017-04-12
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/30625
摘要： 本发明提供一种抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有钾及钠，当将所述钾的含量设为MK(ppm)、将所述钠的含量设为MNa(ppm)时，MK/MNa＝5×103～1×105。
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