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公开(公告)号：CN101889063A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119770.0
申请日：2008-12-24
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C09D185/00 , B32B15/20 , C09D5/00 , C09D7/12 , C07C211/65 , C07F5/06
CPC分类号： C09D185/00 , B32B15/20 , C07C211/65 , C07F5/069 , C09D5/00 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/14
摘要： 本发明涉及铝膜形成用组合物，该组合物含有下式(1)所示的络合物和下式(2)所示的络合物，下式(1)所示的络合物与下式(2)所示的络合物的摩尔比为40∶60-85∶15，AlH3·NR1R2R3(1)；AlH3·(NR1R2R3)2(2)。式(1)和(2)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基或芳烷基。
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公开(公告)号：CN101516970B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780034461.9
申请日：2007-09-21
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C08G77/12 , C04B41/81 , C09D183/05 , H01L21/316 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/3124 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/16 , C09D183/04 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/316 , H01L21/76224
摘要： 本发明涉及有机硅树脂，其特征在于：由下述示性式(1)表示：(H2SiO)n(Si1.5)m(SiO2)k(1)(式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时，n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2)，该树脂在120℃下为固态。本发明的有机硅树脂适合在用于形成长宽比较大的沟槽隔离的组合物中使用。
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公开(公告)号：CN101365821B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200680052501.8
申请日：2006-07-27
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/4485 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76873
摘要： 本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华，将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解，由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法：在绝缘体基板的沟槽内，采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际，在形成种子层的同时，还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用，且和绝缘体的密合性优良的金属膜。
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公开(公告)号：CN1868037A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030494.2
申请日：2004-10-06
申请人： JSR株式会社
CPC分类号： H01L21/28518 , C07F17/02 , C23C18/1204 , C23C18/14
摘要： 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅·钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅·钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅·钴膜。
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公开(公告)号：CN102753724A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008881.6
申请日：2011-02-08
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873
摘要： 本发明提供即使在氧等氧化剂非存在下也能容易分解的钌膜形成用材料。发明涉及一种含有下述式（1）表示的化合物的钌膜形成用材料。Ru（PR13）l（L1）m（L2）n（1）（所述式（1）中，R1各自独立地为氢原子、卤素原子、碳原子数为1～4的烃基、或者碳原子数为1～4的卤代烃基，L1是氢原子或者卤素原子，L2是具有至少两个双键的碳原子数为4～10的不饱和烃化合物，l是1～5的整数，m是0～4的整数，n是0～2的整数。其中，l＋m＋2n＝5或者6）。
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公开(公告)号：CN101365821A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200680052501.8
申请日：2006-07-27
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/4485 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76873
摘要： 本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华，将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解，由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法：在绝缘体基板的沟槽内，采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际，在形成种子层的同时，还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用，且和绝缘体的密合性优良的金属膜。
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公开(公告)号：CN102753724B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201180008881.6
申请日：2011-02-08
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873
摘要： 本发明提供即使在氧等氧化剂非存在下也能容易分解的钌膜形成用材料。发明涉及一种含有下述式（1）表示的化合物的钌膜形成用材料。Ru（PR13）l（L1）m（L2）n（1）（所述式（1）中，R1各自独立地为氢原子、卤素原子、碳原子数为1～4的烃基、或者碳原子数为1～4的卤代烃基，L1是氢原子或者卤素原子，L2是具有至少两个双键的碳原子数为4～10的不饱和烃化合物，l是1～5的整数，m是0～4的整数，n是0～2的整数。其中，l＋m＋2n＝5或者6。）
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公开(公告)号：CN101516970A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034461.9
申请日：2007-09-21
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： C08G77/12 , C04B41/81 , C09D183/05 , H01L21/316 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/3124 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/16 , C09D183/04 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/316 , H01L21/76224
摘要： 本发明涉及有机硅树脂，其特征在于：由下述示性式(1)表示：(H2SiO)n(Si1.5)m(SiO2)k(1)；(式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时，n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2)，该树脂在120℃下为固态。本发明的有机硅树脂适合在用于形成长宽比较大的沟槽隔离的组合物中使用。
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公开(公告)号：CN100423199C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480030494.2
申请日：2004-10-06
申请人： JSR株式会社
CPC分类号： H01L21/28518 , C07F17/02 , C23C18/1204 , C23C18/14
摘要： 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅-钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅-钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅-钴膜。
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