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公开(公告)号：CN102361052A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110359382.3
申请日：2007-01-26
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： 这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。具体地说，提供了一种发光装置，该发光装置包括：支撑层；在所述支撑层上的连接金属层，该连接金属层包括：在所述支撑层的第一层；在所述第一层上的扩散阻挡层；和在所述扩散阻挡层上的第二层，其中，所述第一层包括用于附接所述支撑层的键合层；在所述连接金属层上的第一电极，该第一电极包括反射电极；在所述第一电极上的半导体结构，该半导体结构包括：第一类型的层、在所述第一类型的层上的有源层、以及在所述有源层上的第二类型的层；以及在所述半导体结构上的第二电极。
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公开(公告)号：CN101485000B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780023663.3
申请日：2007-01-26
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： 本发明公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管。具体地说，提供了一种能够改善发光效率及其可靠性并且还能够实现大规模生产的具有垂直拓扑的发光二极管。该发光二极管包括：包括多个半导体层的半导体结构；设置在所述半导体结构的第一表面上的第一电极；设置在所述第一电极的一部分上并且设置在所述半导体结构的至少一个表面上的钝化层；设置在所述第一电极和所述钝化层上的连接金属层；设置在所述半导体结构的第二表面上的第二电极；和设置在所述连接金属层上的支撑层，其中，所述连接金属层包括：电连接到所述第一电极的第一金属层；设置在所述第一金属层上的扩散阻挡层；和设置在所述扩散阻挡层上的第二金属层。
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公开(公告)号：CN107532081A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580067352.1
申请日：2015-12-09
申请人： LG伊诺特有限公司
CPC分类号： C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/617 , C09K11/665 , C09K11/675 , F21V29/70 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/504 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , Y02B20/181
摘要： 一种实施例的荧光体组合物和包括该荧光体组合物的发光器件封装包括：绿色荧光体，由蓝光激发以发射绿光；氮化物系列的第一红色荧光体，由所述蓝光激发并且发射第一红光；以及氟系列的第二红色荧光体，由所述蓝光激发并且发射第二红光，并且能够在不恶化高温下光学特性的情形下发射白光，同时与包括常规荧光体组合物的发光器件封装相比，提高了光通量和色彩再现率。
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公开(公告)号：CN102157644B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110094682.3
申请日：2006-12-15
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/20
摘要： 本发明涉及具有垂直结构的发光二极管及其制造方法，本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
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公开(公告)号：CN102157644A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110094682.3
申请日：2006-12-15
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/20
摘要： 本发明涉及具有垂直结构的发光二极管及其制造方法，本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
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公开(公告)号：CN101485000A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780023663.3
申请日：2007-01-26
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： 这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管。具体地说，提供了一种能够改善发光效率及其可靠性并且还能够实现大规模生产的具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。该方法包括在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成第一电极；在第一电极上形成支撑层；在衬底和半导体层之间的界面处生成声音应力波，从而将衬底从半导体层分离；在通过分离衬底而露出的半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN1983656A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610170062.2
申请日：2006-12-15
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
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公开(公告)号：CN102361052B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110359382.3
申请日：2007-01-26
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： 这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。具体地说，提供了一种发光装置，该发光装置包括：支撑层；在所述支撑层上的连接金属层，该连接金属层包括：在所述支撑层的第一层；在所述第一层上的扩散阻挡层；和在所述扩散阻挡层上的第二层，其中，所述第一层包括用于附接所述支撑层的键合层；在所述连接金属层上的第一电极，该第一电极包括反射电极；在所述第一电极上的半导体结构，该半导体结构包括：第一类型的层、在所述第一类型的层上的有源层、以及在所述有源层上的第二类型的层；以及在所述半导体结构上的第二电极。
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公开(公告)号：CN103151437A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310055713.3
申请日：2006-12-15
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/20
摘要： 本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管（LED）及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管（LED）包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。
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