公开(公告)号：CN102656670A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980163045.8

申请日：2009-12-21

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 森克·哈贝尼希特 ,  德特勒夫·奥尔格思拉格 ,  奥尔里克·舒马赫 ,  斯坦芬·本特·伯格伦德

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/66303 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66295 ,  H01L29/732

摘要： 本发明提供了一种具有多层接触结构的半导体。所述多层结构包括放置在半导体有源区上的金属接触和放置在所述金属接触上的金属接触延伸。