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公开(公告)号：CN104003711B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410064852.7
申请日：2014-02-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/664 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。
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公开(公告)号：CN102951901B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110271171.4
申请日：2011-09-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN112289585B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010708568.4
申请日：2020-07-22
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具有：陶瓷素体，其由陶瓷层和内部电极层交替层叠而成；端面电极，其形成于陶瓷素体的端面。端面电极具有：基底电极层，其包含金属成分和玻璃成分；中间电极层，其形成于该基底电极层的外侧且包含Ni；上部电极层，其进一步形成于该中间电极层的外侧且包含Pd或Au。另外，在端面电极中，基底电极层的表面粗糙度Ra1为5μm以下。或者，在端面电极中，基底电极层的表面粗糙度Ra1和中间电极层的表面粗糙度Ra2及上部电极层的表面粗糙度Ra3的关系为Ra1＞Ra3≥Ra2。
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公开(公告)号：CN112242254B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010684810.9
申请日：2020-07-16
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种层叠电子部件，层叠电子部件的侧面处的外部电极的厚度维持为较小，同时提高安装可靠性，其具有：陶瓷素体，将陶瓷层和内部电极层交替层叠而成；外部电极，其形成于陶瓷素体的端面。外部电极具有基底电极层、中间电极层以及上层电极层。基底电极层包含(Cu)。中间电极层包含(Ni)。上层电极层包含标准电极电位比(Cu)高的元素。外部电极一体具有外部电极端面部和外部电极延长部。在外部电极延长部，将外部电极的厚度最大的部分设为外部电极最大厚度部，将外部电极最大厚度部处的上层电极层的厚度和中间电极层的厚度的合计厚度设为(t1)，将从外部电极延长部处的基底电极层的前端至上层电极层的前端的长度设为(t2)，满足1.20≦t2/t1≦4.50。
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公开(公告)号：CN104944941B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510131705.1
申请日：2015-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，是具备具有由通式ABO3(A是选自Ba、Ca和Sr当中的至少一种，B是选自Ti和Zr当中的至少一种)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的电介质陶瓷组合物，至少具备具有核壳结构的电介质颗粒和偏析颗粒，在所述偏析颗粒中所述稀土化合物的浓度为所述具有核壳结构的电介质颗粒的壳部的所述稀土化合物平均浓度的2倍以上，所述偏析颗粒所占的面积为0.1～1.1％，在令所述偏析颗粒的最大粒径为rbmax、所述偏析颗粒的最小粒径为rbmin、具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径为ra的情况下，rbmax/ra≤2.00和rbmin/ra≥0.25，不存在实质上含有Mg的所述偏析颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102190486B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110059754.0
申请日：2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有1.0～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号：CN118692830A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410326789.3
申请日：2024-03-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种电子部件结构体，其具有：第一电子部件；第二电子部件；低熔点层，其位于上述第一电子部件和上述第二电子部件之间，且包含熔点为300℃以下的第一金属材料；以及高熔点层，其位于上述第一电子部件和上述第二电子部件之间，且包含熔点为400℃以上的第二金属材料，上述第一电子部件和上述第二电子部件通过由上述低熔点层和上述高熔点层重叠而构成的多层连接部连接。
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公开(公告)号：CN112289585A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010708568.4
申请日：2020-07-22
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具有：陶瓷素体，其由陶瓷层和内部电极层交替层叠而成；端面电极，其形成于陶瓷素体的端面。端面电极具有：基底电极层，其包含金属成分和玻璃成分；中间电极层，其形成于该基底电极层的外侧且包含Ni；上部电极层，其进一步形成于该中间电极层的外侧且包含Pd或Au。另外，在端面电极中，基底电极层的表面粗糙度Ra1为5μm以下。或者，在端面电极中，基底电极层的表面粗糙度Ra1和中间电极层的表面粗糙度Ra2及上部电极层的表面粗糙度Ra3的关系为Ra1＞Ra3≥Ra2。
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公开(公告)号：CN104003711A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410064852.7
申请日：2014-02-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/664 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。
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公开(公告)号：CN102951901A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110271171.4
申请日：2011-09-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO3)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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