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公开(公告)号：CN118600549A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410739465.2
申请日：2024-06-07
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施加磁场，在电磁力的作用下强化熔体流动，达到搅拌熔体的目的，无需额外干预。该合成方法通过梯度式凝固，提高晶体完整性。
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公开(公告)号：CN114959887B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210606746.1
申请日：2022-05-31
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
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公开(公告)号：CN114990697B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210506067.7
申请日：2022-05-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
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公开(公告)号：CN116908133A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310514361.7
申请日：2023-05-09
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： G01N21/3563 , G01N21/3554
摘要： 基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法，属于Ⅲ‑Ⅴ族化合物单晶技术领域，具体涉及Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb等晶体生长用三氧化二硼水含量的检测方法。本发明的检测方法，包括氮气吹扫样品室、采集背景、放置三氧化二硼于支撑底座上、导入背景、采集样品、根据峰面积计算水含量等步骤。本发明通过红外吸收带的波数位置、吸收峰的面积等来鉴定三氧化二硼的水含量，具有用量少、分析速度快、不破坏样品等特点。有效监控三氧化二硼的水含量，有利于生长晶体，使晶体表面光滑、单晶率提高。
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公开(公告)号：CN108048672B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201810115436.3
申请日：2018-02-06
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 一种热还原挥发提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法，尤其是一种采用高温热还原挥发方法，提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法。本发明的提取炉包括顺序连接的挥发炉、冷却器以及收尘器，挥发炉包括外壳、炉体、隔板、导轨、隔热棉以及加热电阻丝，外壳套装在炉体外部，隔热棉填充在外壳与炉体之间的间隙中，加热电阻丝设置在炉体外壁上；隔板为两块，竖直固定在炉体的顶部内壁，将炉体内部分割为三部分，从前至后分别为预热区、高温恒温区以及冷却区；导轨设置在炉体中间靠下位置。本发明采三段式提锗炉，优化提锗流程，减少热量损失，提高了锗矿冶炼的富集倍数和锗精矿的品位，所得的锗精矿品位高，能达到20%以上，有利于后续工艺。
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公开(公告)号：CN116544107A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310428695.2
申请日：2023-04-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法，包括以下步骤：S1，在相对恒定的环境下对晶片背面进行贴膜；S2，用碱性粗抛液对晶片进行粗抛处理；S3，用硫酸和去离子水清洗晶片、并甩干；S4，用碱性精抛液对晶片进行精抛处理；S5，用去离子水冲洗晶片；S6，将精抛后的晶片甩干。该方法能降低化学品的消耗量，且针对性地对锗N型半导体衬底提高抛光、清洗结果的合格率以及晶片表面的均匀性。
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公开(公告)号：CN115627371A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211301253.3
申请日：2022-10-24
申请人： 云南东昌金属加工有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于二氧化锗还原提纯的旋风式纯化系统，包括进料装置、还原炉和区熔提纯炉；所述还原炉具有：旋风分离筒，其上端连通排气管一，混有二氧化锗粉末的氢气沿着旋风分离筒的切线方向流动进入旋风分离筒内；加热装置一，用于加热旋风分离筒内的二氧化锗粉末，使其与氢气进行还原反应。有益效果：本发明的技术方案通过将二氧化锗粉末和氢气混合螺旋进入旋风分离筒内进行高温还原制备锗粉，二氧化锗粉末和氢气在旋风分离筒内螺旋升降有充足的时间充分进行接触反应，显著提升了二氧化锗还原制备锗锭的效率，降低了制备成本，而且制得的锗粉可直接进行提纯，无需进行表面杂质腐蚀清洗处理，有效减少锗锭提纯流程对高纯锗的污染和损耗。
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公开(公告)号：CN114990697A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210506067.7
申请日：2022-05-10
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
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公开(公告)号：CN114959887A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210606746.1
申请日：2022-05-31
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
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公开(公告)号：CN113564712A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110911820.6
申请日：2021-08-10
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。
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