一种LED封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN111584470A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010303235.3

    申请日:2020-04-17

    发明人: 赵志坚

    摘要: 本发明提供了一种LED封装结构及其封装方法,本发明的密封树脂直接从所述LED芯片的背光面进行密封所述LED芯片和焊球,使得LED芯片底部也被密封树脂完全填充,不会留有空隙,并且利用弹性围坝的弹性,使得焊球的高度变大,焊球的纵宽比变大。本发明的制造方法简单易行,成本也较低。

    基于无模型自适应内模控制方法

    公开(公告)号:CN105487385B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201610069634.1

    申请日:2016-02-01

    IPC分类号: G05B13/04

    摘要: 本发明提出一种新的无模型自适应控制算法。首先利用观测器技术对PPD的参数进行估计,并基于得到的观测器结构设计控制器。基于Lyapunov稳定性分析证明了闭环系统是稳定的。接着从结构上分析了所提的无模型自适应控制方法本质上属于内模控制,并在此分析的基础上进一步对算法进行改进,引入一种改进的反馈滤波器,从而使得系统抗干扰性有所改善,同时又确保系统的鲁棒性不会下降。提出的无模型自适应控制主要解决了三个问题:1)所设计的控制器只需要系统输入输出的量测数据。2)控制方法不需要系统动态数学模型。3)基于Lyapunov理论分析闭环系统的稳定性。最后通过两个仿真例子对所提算法进行仿真验证,仿真结果同样表明所提出的方法是有效的。

    一种背照式CMOS感光器件单片化方法

    公开(公告)号:CN108899302A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201810725528.3

    申请日:2018-07-04

    发明人: 戴世元 王培培

    摘要: 本发明提供了一种背照式CMOS感光器件单片化方法,能够解决在进行晶圆背面研磨时,由于切割道的存在产生应力不均,导致器件的损坏,减少研磨时产生的碎屑会进入到器件中,减少在进行器件测试过程中产生测试的错误对器件质量的误判。提高对于背照式CMOS感光器件而言钝化层的平整和厚度控制优化工艺提供工艺简单提高钝化层光学质量。

    等离子体和紫外光协同催化剂降解废气的装置和方法

    公开(公告)号:CN108636107A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810487865.3

    申请日:2018-05-21

    IPC分类号: B01D53/86 B01D53/44 B01D53/32

    摘要: 本发明公开了一种等离子体和紫外光协同催化剂降解废气的装置,包括带有进气口和出气口的反应腔,还包括:催化剂层,布置在所述反应腔内并将反应腔分隔成分别具有进气口和出气口的两部分;放电电极组件,放电电极布置在所述反应腔具有进气口的部分内,另一电极布置在所述反应腔具有出气口的部分内,加载高压高频脉冲电源后使得从进气口进入反应腔内的气体被电离、激发产生等离子体;紫外光灯管,布置在所述反应腔具有出气口的部分内;本本发明还公开了等离子体和紫外光协同催化剂降解废气的方法;本发明的装置和方法提高VOCs降解选择性,同时不产生二次污染的副产物,具有去除效率高、适用性强、废气处理成本低等优点。

    等离子体协同电热筒网催化处理VOCs的装置和方法

    公开(公告)号:CN108452646A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201711365167.8

    申请日:2017-12-18

    摘要: 本发明提供了一种等离子体协同电热筒网催化处理VOCs的装置,包括带有废气进口和废气出口的反应腔以及布置在所述反应腔内的催化模块、加热模块和等离子体生成模块,所述催化模块包括:催化腔,至少部分侧壁为双层滤网且带有与所述废气进口连接的开口;催化剂,填充在所述双层滤网内;所述加热模块包括:加热件,安装在所述催化腔内;温控单元以及供电单元;所述等离子体生成模块包括:放电电极,围绕所述催化腔外周布置;高压脉冲电源,加载在所述放电电极上使反应腔内产生高能电子和离子等离子体;本发明还提供了一种等离子体协同电热筒网催化处理VOCs方法;本发明的装置和方法实现了去除效率高、不产生二次污染、处理成本低等工业应用。

    一种制造N沟道增强型MOS晶体管器件的方法

    公开(公告)号:CN106784002A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611038091.3

    申请日:2016-11-23

    发明人: 王汉清

    摘要: 本发明提供了一种制造N沟道增强型MOS晶体管器件的方法,包括:(1)提供绝缘体上硅(SOI),所述绝缘体上硅为P型硅且具有背离掩埋氧化层的表面;(2)在所述表面刻蚀出剖面为直角三角形或楔形的凹入部分;(3)沉积栅极氧化物材料填充所述凹入部分并从所述表面突出一定的距离形成具有嵌入部分的栅极氧化物层,在栅极氧化物层上镀上铝栅极,栅极氧化物层和铝栅极构成栅极结构;(4)在栅极结构两侧分别形成漏区和源区,所述漏区与栅极结构的距离较所述源区与栅极结构的距离大,并且所述嵌入部分的嵌入深度由漏区向源区依次递减。

    钢球专用打磨机
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106736985A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611227522.0

    申请日:2016-12-27

    发明人: 苏祖弟

    摘要: 本发明公开了一种钢球专用打磨机,包括下打磨台和可盖在下打磨台上的上打磨台,上打磨台和下打磨台的一端铰接;上打磨台与钢球接触的面为向上凹陷的半圆球形的上打磨部,上打磨台内设有吹气腔;上打磨部上还设有与吹气腔连通的吹气口;下打磨台与钢球接触的面为向下凹陷的半圆球形的下打磨部,下打磨台内设有吸屑腔,下打磨台上还设有与吸屑腔连通的出屑口;下打磨部上设有多排与吸屑腔连通的吸屑口。采用上述技术方案时,钢球打磨产生的粉屑可以及时与钢球分离开,使得钢球打磨完成之后可以立即将钢球表面的杂质清理掉;同时粉屑不会影响场地的环境。

    一种腹膜前间隙分离器

    公开(公告)号:CN106264667A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610750202.7

    申请日:2016-08-29

    申请人: 陈少骥

    发明人: 陈少骥

    IPC分类号: A61B17/32

    摘要: 本发明公开了一种腹膜前间隙分离器,包含分离器本体,分离器本体上设置有手柄、引导杆和充气装置;所述引导杆中设置有充气管,充气管的前端设置有扩张气囊,充气管的后端与充气装置连接;本发明的腹膜前间隙分离器,通过手柄和引导杆的结构,方便腹腔镜下的外科手术操作;充气管前后滑动设置使其可以根据需要进行伸缩并定位,而且扩张气囊随转向杆改变方向,以适应手术中的各种情况;充气结构可以采用充气球囊或打气装置的形式,使该器械整体结构简单,方便操作。