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公开(公告)号：CN205786470U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620401872.3
申请日：2016-05-05
申请人： 埃耶士株式会社
摘要： 本实用新型的课题是提供一种基板分析装置，其自动地进行：从将移行有基板所含的杂质的分析液予以回收，到ICP-MS等的分析为止。本实用新型的基板分析装置具备有：载入端口，设置有收纳基板的收纳盒；基板搬送机器人，可取出、搬送、设置收纳在载入端口的基板；对准器，调整基板的位置；干燥室，将基板加热干燥；气相分解室，用以通过蚀刻气体而蚀刻基板；分析扫描端口，具有载置基板的分析台、以及基板分析用喷嘴，并通过该基板分析用喷嘴，将载置在分析台的基板表面以分析液扫掠，并将使分析对象物移行的分析液回收；分析液采取手段，具备经投入所回收的分析液的分析容器；分析手段，将由喷雾器所供给的分析液进行元素分析。
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公开(公告)号：CN112823282A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980017883.8
申请日：2019-08-29
申请人： 埃耶士株式会社
IPC分类号： G01N27/626 , H01J49/04 , H01J49/10
摘要： 本发明提供一种在以感应耦合等离子体质量分析装置分析包含金属微粒的样品时，可在不需要作为标准的金属微粒的情况下进行分析的方法。本发明涉及一种金属微粒的分析方法，其使用感应耦合等离子体质量分析装置的液体中的金属微粒的分析方法，其中，该分析装置中设有由下述手段所构成的标准溶液导入装置：标准溶液储存手段，储存包含已知浓度的特定元素的标准溶液；注射泵，将标准溶液吸引及吐出；溶液导入手段，具有供给标准溶液的标准溶液用雾化器与标准溶液用喷雾腔室；以3μL/min以下的流量将标准溶液直接供给至标准溶液用雾化器，根据从检测器所得到的标准溶液信号强度与所导入的特定元素的物理量，算出源自特定元素的金属微粒的粒径值。
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公开(公告)号：CN111989565A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980024689.2
申请日：2019-04-08
IPC分类号： G01N27/62
摘要： 本发明提供一种硅基板的分析方法，可以ICP‑MS高精度地分析成膜有膜厚较厚的氮化膜的硅基板中的微量金属等杂质。本发明的分析方法使用硅基板用分析装置，该硅基板用分析装置具备：分析扫描端口、分析液采取机构及进行感应偶合等离子体分析的分析机构；前述分析扫描端口具有：载入端口、基板搬送机器人、对准器、干燥室、气相分解腔室、分析台及基板分析用喷嘴，其中，将成膜有氮化膜的硅基板通过基板分析用喷嘴以氢氟酸与过氧化氢水的混合液的回收液扫掠硅基板表面并回收，之后将回收液吐出至硅基板表面并加热干燥，吐出强酸溶液或强碱溶液并加热干燥，以分析液扫掠硅基板表面并回收，且将分析液以ICP‑MS进行分析。
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公开(公告)号：CN108351281B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201680050378.X
申请日：2016-10-25
申请人： 埃耶士株式会社
摘要： 本发明提供一种基板分析用的喷嘴，是针对具有亲水性较大的特性的基板，即使利用分析液来扫描，分析液也不会漏出，而可确实地进行分析的基板分析用的喷嘴。本发明的基板分析用的喷嘴由双层管所构成，且具备将喷嘴主体与外管之间作为排气路径的排气装置，该双层管由吐出及抽吸分析液的喷嘴主体、及以包围要扫描的分析液的方式配设在喷嘴主体的外围的外管所构成，该基板分析用的喷嘴在外管前端的外周侧且为喷嘴的扫描方向的相反侧，配置朝喷嘴主体的前端将惰性气体喷附至与基板表面大致平行的方向的气体喷附管。
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公开(公告)号：CN106662507B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580038916.9
申请日：2015-07-21
摘要： 本发明的目的在于提供一种可将ICP‑MS所进行的基板的局部分析予以自动化的分析装置。本发明涉及一种基板局部的自动分析装置，其具备局部分析用喷嘴，所述局部分析用喷嘴具有：分析液供给构件，将分析液喷出至基板上；分析液排出构件，从基板上将包含分析对象物的分析液回收至喷嘴内并往雾化器输送液体；以及排气构件，以喷嘴内作为排气路径；所述自动分析装置并具有：自动输送液体构件，将回收后的分析液自动地输送液体至ICP‑MS；流量调整构件，调整分析液流量；自动控制构件，同时进行局部分析与借由ICP‑MS的分析对象物的分析，而连续地自动分析基板的相邻接的多个既定区域。
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公开(公告)号：CN108351281A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680050378.X
申请日：2016-10-25
申请人： 埃耶士株式会社
摘要： 本发明提供一种基板分析用的喷嘴，是针对具有亲水性较大的特性的基板，即使利用分析液来扫描，分析液也不会漏出，而可确实地进行分析的基板分析用的喷嘴。本发明的基板分析用的喷嘴由双层管所构成，且具备将喷嘴主体与外管之间作为排气路径的排气装置，该双层管由吐出及抽吸分析液的喷嘴主体、及以包围要扫描的分析液的方式配设在喷嘴主体的外围的外管所构成，该基板分析用的喷嘴在外管前端的外周侧且为喷嘴的扫描方向的相反侧，配置朝喷嘴主体的前端将惰性气体喷附至与基板表面大致平行的方向的气体喷附管。
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公开(公告)号：CN107850569A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044341.6
申请日：2016-08-16
申请人： 埃耶士株式会社
CPC分类号： G01N1/4044 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N27/62 , H01L21/67017 , H01L21/67034 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01L21/6773 , H01L21/67742 , H01L21/68
摘要： 本发明提供一种能够借由ICP-MS将在成膜形成有膜厚较厚的氮化膜或氧化膜的硅基板中的微量金属等的杂质高精确度地分析的硅基板用分析装置。本发明的硅基板用分析装置具备承载端口、基板搬运机器人、对准器、干燥室、气相分解处理室、具有分析载物台及基板分析用喷嘴的分析扫描端口、分析液采集装置、进行感应耦合等离子分析的分析装置，其中，对于成膜形成有氮化膜或氧化膜的硅基板，借由基板分析用喷嘴以高浓度回收液扫净硅基板表面而回收，将回收后的高浓度回收液吐出至硅基板表面后，进行加热干燥，以分析液扫净硅基板表面而回收，借由ICP-MS对分析液进行分析。
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公开(公告)号：CN107209124A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008778.4
申请日：2016-08-16
申请人： 埃耶士株式会社
摘要： 本发明涉及一种分析系统，可在线移送分析样品，同时迅速得到分析结果。此外，还提供一种分析系统，对于从两个以上的现场所供给的分析样品，形成在分析样品的移送路径上不采用泵或阀等具有失效容体部分的构成，同时借由一台分析装置来分析。本发明涉及一种分析系统，具备两个以上的样品分别移送装置，并且样品分别移送装置的各样品移送路径，与由应用感应耦合等离子体或微波等离子体的分析装置所构成的共通分析装置的等离子体炬连接；各样品移送路径中，具有主流路、补充气体供给流路、以及排放流路；等离子体炬在大致中央处具有导入雾化的分析样品的样品导入管；排放流路的内径与等离子体炬的样品导入管的入口部分的内径为同等以上。
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公开(公告)号：CN104995721A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480009095.1
申请日：2014-01-21
申请人： 埃耶士株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , G01N1/28
CPC分类号： H01L22/12 , G01N1/32 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要： 本发明提供一种适用于基板上的多晶硅、或构成基板的块状硅的蚀刻的蚀刻装置。本发明关于一种具备使蚀刻气体从基板的周缘流动至大致中心的气体流动调整手段的蚀刻装置，关于一种可对于基板整面以均匀的厚度蚀刻多晶硅或块状硅的技术。此外，气体流动调整手段设置成可上下动作，且可通过其调整而控制蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN102157410B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201010602119.8
申请日：2010-12-17
申请人： 埃耶士株式会社
摘要： 本发明公开了一种衬底分析装置及一种衬底分析方法，其为可通过同一装置进行蚀刻步骤与回收步骤两步骤的小型且简易的分析装置，不论形成于衬底的膜的种类为何皆可进行分析且也适用于衬底上的局部分析。本发明的衬底分析装置，具备由将分析液予以送出及抽吸的喷嘴本体、及配置在喷嘴本体外周的外管所构成的双重管喷嘴，回收手段为双重管喷嘴的喷嘴本体，蚀刻手段为供给至喷嘴本体与外管之间的蚀刻气体。而且，还具备将喷嘴本体与外管之间作为排气路径的排气手段，外管以围绕进行刮引的分析液的方式配置，且在前端具有外气导入孔。依据本发明，可通过同一装置进行蚀刻步骤与回收步骤两步骤，也可进行简易的分析、或针对衬底的特定部位的局部分析。
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