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公开(公告)号：CN106145024A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510783708.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2207/012 , B81C1/00984 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/81805 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。
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公开(公告)号：CN105431374B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480032151.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 应美盛股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00984 , B81B3/0008 , B81B2207/015 , B81C1/00976 , B81C2201/115 , H01L21/76838 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。
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公开(公告)号：CN107021448A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710028445.4
申请日：2017-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B2207/012 , B81B2207/09 , B81C1/00238 , B81C1/00984 , B81C2201/115 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , B81B7/02 , B81B3/0016 , B81B7/007
Abstract: 本发明提供了一种制造CMOS‑MEMS结构的方法。该方法包括：在盖衬底的第一表面上蚀刻空腔；将盖衬底的第一表面与感测衬底接合；减薄感测衬底的第二表面，第二表面与感测衬底的接合至盖衬底的第三表面相对；蚀刻感测衬底的第二表面；图案化感测衬底的第二表面的一部分以形成多个接合区域；在多个接合区域上沉积共晶金属层；蚀刻感测衬底的空腔下方的一部分以形成可移动元件；以及通过共晶金属层将感测衬底接合至CMOS衬底。本发明的实施例还涉及CMOS‑MEMS结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108367913A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071589.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00134 , B81C1/00269 , B81C1/00293 , B81C1/00952 , B81C1/00984 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械结构元件(100)的方法，具有以下步骤：提供MEMS晶片(20)和罩晶片(10)；在所述MEMS晶片(20)中构造微机械结构(23、24)用于至少两个传感器(S1、S2)；以所述罩晶片(10)气密地封闭所述MEMS晶片(20)；构造到第一传感器(S1)的第一空穴中的第一进入孔(12)；将限定的第一压力通过所述第一进入孔(12)引入到所述第一传感器(S1)的空穴中；封闭所述第一进入孔(12)；构造到第二传感器(S2)的第二空穴中的第二进入孔(13)；将限定的第二压力通过所述第二进入孔(13)引入到所述第二传感器(S2)的空穴中；并且封闭所述第二进入孔(13)。
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公开(公告)号：CN107986225A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201611191404.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 鑫创科技股份有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B3/001 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00984 , H04R31/003 , H04R2201/003 , B81B3/0002 , B81B3/0027 , B81B7/02 , B81C1/00158 , B81C1/0096 , B81C2201/11
Abstract: 本发明公开一种微机电系统(MEMS)装置以及制作微机电系统的方法。该微机电系统装置包括衬底、介电支撑层、隔膜、背板。所述衬底具有与隔膜区对应的衬底开口。所述介电支撑层安置于所述衬底上，具有与所述衬底开口对应的介电开口以形成所述隔膜区。位于所述介电开口内的所述隔膜在周边处由所述介电支撑层固持。所述背板安置于所述介电支撑层上，具有多个通孔，所述多个通孔连接至所述介电开口。所述背板包括导电层及在与所述隔膜相对的第一侧处覆盖在所述导电层上的保护层，其中所述导电层的第二侧面对所述隔膜且不被所述保护层覆盖。
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公开(公告)号：CN107055460A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610867595.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81C1/0092 , B81C1/00936 , B81C1/00944 , B81C1/00952 , B81C1/0096 , B81C1/00984 , B81C1/00992 , B81C2201/0132 , B81C2201/056 , B81C1/00912 , B81B7/02
Abstract: 本发明涉及形成一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法。在第一衬底的第一侧中形成多个开口。在该衬底的第一侧上方形成介电层。介电层的多个部段填充开口。第一衬底的第一侧粘合至包括空腔的第二衬底。执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方。第一衬底的设置在空腔上方的一部分转化成MEMS器件的多个可移动的组件。可移动的组件与介电层物理接触。随后，在没有使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分。本发明的实施例还提供了另一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法以及一种装置。
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公开(公告)号：CN106995204A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610970705.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00984 , B81C2201/0132 , B81C2203/037 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81C2203/01 , B81C2203/0172 , B81C2203/0707
Abstract: 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。
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公开(公告)号：CN105431374A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480032151.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 应美盛股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00984 , B81B3/0008 , B81B2207/015 , B81C1/00976 , B81C2201/115 , H01L21/76838 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的方法包含通过为在形成于衬底上的缓冲块上收集的电荷提供导电路径来减少MEMS装置的黏滞力。所述缓冲块通过在所述衬底上沉积且图案化介电材料形成，且所述导电路径由沉积在所述缓冲块上的导电层提供。所述导电层还可以经粗糙化以减少黏滞力。
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