公开(公告)号：CN108383090A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810173009.0

申请日：2014-03-13

Applicant: 纳米技术有限公司

Inventor： 纳瑟莉·格雷斯蒂 ,  詹姆斯·哈里斯 ,  翁布雷塔·马萨拉 ,  奈杰尔·皮克特 ,  劳拉·怀尔德 ,  克里斯托弗·纽曼

IPC: C01B19/00 ,  C01B17/20 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/06

CPC classification number: H01L31/0328 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/002 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/88 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/64 ,  H01B1/06 ,  H01B1/10 ,  H01B1/12 ,  H01L31/18

Abstract: 本文公开了用于制备Cu2XSnY4纳米粒子(CXTY)的材料和方法，其中X是Zn、Cd、Hg、Ni、Co、Mn或Fe且Y是S或Se。该纳米粒子可以用于制造在薄膜光伏(PV)电池中使用的层。该CXTY材料通过在不稳定的有机硫属元素存在下的胶体合成制备。有机硫属元素同时充当用于纳米粒子的硫属元素源和用于纳米粒子的封端配体。

公开(公告)号：CN105849040B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480071372.1

申请日：2014-12-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 柳光铉 ,  孙权男 ,  权元钟 ,  李佶宣

IPC: C01B32/19

CPC classification number: C01B32/184 ,  C01B32/19 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/00 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/86 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/24

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，该方法能够通过简化的工艺制备具有较小的厚度和大面积以及产生的缺陷得到减少的石墨烯。所述石墨烯的制备方法包括：形成包含碳基材料和分散剂的分散液的步骤，所述碳基材料包含未氧化石墨；以及使所述分散液连续地穿过高压均质机的步骤，所述高压均质机包括入口、出口和用于入口和出口之间的连接的具有微米级直径的微通道，其中，当所述碳基材料在施加剪切力下穿过微通道时，该碳基材料被剥离，从而形成具有纳米级厚度的石墨烯。

公开(公告)号：CN104114627A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280040133.0

申请日：2012-08-16

Applicant: 蓝星有机硅法国公司 ,  国家科学研究中心 ,  法国国立蒙彼利埃高等化学学院 ,  蒙彼利埃第二大学

Inventor： 大卫·玛丽奥特 ,  弗朗索瓦·加纳绍

IPC: C08K3/36 ,  C08K9/06 ,  C09C1/30

CPC classification number: C07F7/21 ,  C01P2002/86 ,  C01P2002/88 ,  C01P2002/89 ,  C08G77/38 ,  C09C1/3081

Abstract: 本发明涉及一种有机硅化合物接枝的二氧化硅的制备方法，根据所述方法制得的接枝二氧化硅，及其在可交联形成弹性体的硅酮组合物中的应用。

公开(公告)号：CN103253674A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310055545.8

申请日：2013-02-21

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： G·特劳恩斯珀格尔 ,  L·法布里 ,  R·佩赫

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/02 ,  C01B33/037 ,  C01P2002/88 ,  C01P2002/89 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/80 ,  C30B11/00 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02046

Abstract: 本发明涉及多晶硅碎块，其表面上的碳浓度为0.5至35ppbw。用于对在表面上具有碳污染物的多晶硅碎块进行净化的方法，其包括在反应器中在350至600℃的温度下对多晶硅碎块实施热处理，其中多晶硅碎块在热处理期间在惰性气体气氛中，其中在热处理之后多晶硅碎块的表面上的碳浓度为0.5至35ppbw。

公开(公告)号：CN102971014A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180032655.1

申请日：2011-06-21

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： D·布丁斯基 ,  C·博伦德 ,  N·P·M·海科斯

IPC: A61K49/18 ,  C01G49/08 ,  C09C1/24

CPC classification number: A61J3/00 ,  A61K49/1839 ,  B82Y30/00 ,  C01G49/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/24

Abstract: 本发明涉及形成铁氧化物纳米粒子的方法，包括如下步骤：(a)在第一有机溶剂中悬浮铁氧化物/铁氢氧化物和油酸或其衍生物；(b)以一定的速率升高悬浮液的温度直到340℃至500℃的最高值；(c)在步骤(b)的最高温度下老化悬浮液约0.5至6小时；(d)冷却悬浮液；(e)加入第二有机溶剂；(f)通过加入非溶剂并且移除过量的溶剂，沉淀纳米粒子；(g)在所述的第二有机溶剂中分散所述纳米粒子；(h)将步骤(g)的分散体与聚合物溶液混合；和(i)任选地移除所述第二有机溶剂。本发明进一步涉及通过所述方法可获得的铁氧化物纳米粒子，对所述纳米粒子的额外改进、封装和修饰，以及所述纳米粒子作为磁性粒子成像(MPI)或磁性粒子光谱(MPS)的示踪剂的用途。

公开(公告)号：CN1252804C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03147080.7

申请日：2003-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  闵约赛 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  李俊冀 ,  李容均

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。

公开(公告)号：CN102460787B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080027341.8

申请日：2010-06-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 渡边春夫 ,  大山有代 ,  齐藤俊介 ,  片山真一 ,  加藤良和 ,  安藤宗明 ,  山田一郎 ,  冈野伸哉 ,  荒木纪岁 ,  杉田修平 ,  森田耕诗 ,  工藤喜弘 ,  中井秀树 ,  林邦彦 ,  细谷洋介 ,  洼田忠彦 ,  藤田茂

IPC: H01M4/62 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00 ,  H01M2/02 ,  H01M2/16 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/136 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0587

CPC classification number: H01M10/4235 ,  C01G51/42 ,  C01G53/006 ,  C01G53/42 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  H01M2/16 ,  H01M4/131 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/621 ,  H01M4/623 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0587

Abstract: 抑制了电池中的气体产生且实现了高安全性。所述电池由正极、负极、设置在所述正极和所述负极之间的隔膜和浸渍在所述隔膜中的电解质构成，并且在所述正极、所述负极、所述隔膜和所述电解质的至少一个中包含杂多酸和/或杂多酸化合物作为添加剂，在所述正极中，在正极集电体上形成包含正极活性物质的正极活性物质层，在所述负极中，在负极集电体上形成包含负极活性物质的负极活性物质层。

公开(公告)号：CN104136553B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201380011110.1

申请日：2013-03-05

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 托尔斯滕·戈特沙尔克-高迪希 ,  卡尔-海因茨·埃尔克 ,  赫尔穆特·马吉诺特

IPC: C09C3/12 ,  C09C1/30

CPC classification number: C07F7/188 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C07F7/126 ,  C09C1/3081 ,  C09C3/12

Abstract: 本发明提供了用于生产具有高表面积的表面改性颗粒微细固体F的方法，其中在方法步骤(A)中，将一部分未改性微细固体F1与有机硅化合物混合以形成包含有机硅化合物的废气，在方法步骤(B)中，将未改性微细固体F1的混合物与有机硅化合物反应，形成表面改性微细固体F和可选地包含有机硅化合物的废气，在方法步骤(C)中，清除所述表面改性微细固体F中吸附副的产物和作为废气获得的未反应的有机硅化合物，在方法步骤(D)中将另外部分的未改性微细固体F1计量加入方法步骤(A)、(C)和可选地(B)中获得的所述废气中，所述固体F1和存在于所述废气中的有机硅化合物混合，以及在方法步骤(E)中，在所述方法步骤(D)中获得的所述混合物在方法步骤(A)中进料至所述未改性细分固体F1和有机硅化合物的部分中。

公开(公告)号：CN101978538A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110417.0

申请日：2009-03-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 今井卓也 ,  门田隆二 ,  狮々仓利一

IPC: H01M4/88 ,  B01J27/24 ,  B01J37/08 ,  C01G33/00 ,  H01M4/90

CPC classification number: C01G33/006 ,  B01J27/24 ,  B01J37/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/89 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/58007 ,  C04B35/58021 ,  C04B35/58035 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/9692 ,  H01M4/9008 ,  Y02E60/50

Abstract: 本发明的目的是提供一种在酸性电解质中和/或高电位下不腐蚀、耐久性优异并具有高的氧还原能力的燃料电池用催化剂的制造方法。本发明的燃料电池用催化剂的制造方法，其特征在于，包括：将过渡金属的碳氮化物在含氧的惰性气体中加热的工序(I)；和将在该工序(I)中得到的生成物在实质上不含氧的惰性气体中加热的工序(II)。

公开(公告)号：CN101573179A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780041591.5

申请日：2007-09-10

Applicant: 西格纳化学有限责任公司 ,  迈克尔·莱芬费尔德 ,  詹姆斯·L·戴伊 ,  帕塔·南迪 ,  詹姆斯·杰克逊

Inventor： 迈克尔·莱芬费尔德 ,  詹姆斯·L·戴伊 ,  帕塔·南迪 ,  詹姆斯·杰克逊

IPC: B01J23/02 ,  B01J23/04 ,  B01J23/08 ,  B01J23/00 ,  B01J21/00 ,  B01J21/04 ,  B01J20/00

CPC classification number: C07F1/02 ,  C01C1/026 ,  C01D15/00 ,  C01P2002/86 ,  C01P2002/87 ,  C01P2002/89 ,  C01P2006/16 ,  Y02P20/52

Abstract: 本发明涉及锂金属/多孔金属氧化物组合物。这些锂金属组合物通过在足以吸收液体锂金属进入多孔金属氧化物孔中的放热条件下，在惰性气氛中，混合液体锂金属和多孔金属氧化物，进行制备。本发明的锂金属/多孔金属氧化物组合物优选地装载有至多按重量计大约40％的锂金属，按重量计大约20％至40％是最优选的装载量。本发明也涉及锂剂－多孔金属氧化物组合物，其具有吸收进多孔氧化物中的RLi。在式RLi中，R是烷基、烯基、炔基、芳基、烷芳基或NR1R2基团；R1是烷基、烯基、炔基、芳基、烷芳基；以及R2是氢、烷基、烯基、炔基、芳基和烷芳基。也描述了这些组合物的制备和用途。