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公开(公告)号：CN107677386B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610620959.4
申请日：2016-08-02
IPC分类号： G01K7/00
CPC分类号： G01R31/2628 , G01K7/01 , G01K7/16 , G01K7/346 , G01K15/005 , G01K2217/00 , G01R31/26 , G01R31/2621 , H01L21/4853 , H01L21/67 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L29/42356
摘要： 本发明公开了一种用于温度测量的半导体结构和温度测量方法，涉及半导体器件测试领域。该半导体结构包括：待测半导体器件；从栅极延伸的超出用于待测半导体器件的有源区的栅极线；金属布线，金属布线位于栅极线上方，并通过两个或更多个节点与栅极线电连接；与金属布线两端分别耦接的第一测量电极以及第二测量电极，第一测量电极被设置得比第二测量电极更靠近栅极，其中，半导体结构适于在待测半导体器件工作时进行温度测量，其中，在温度测量时，第一测量电极耦接到第一电位，第二测量电极耦接到比第一电位低的第二电位。本发明的形成的结构能够使得在器件工作时进行温度测量，得到的温度测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN103033275B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210376118.5
申请日：2012-09-29
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 斯特凡·斯库勒
IPC分类号： G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01K7/346 , H03K17/08122 , H03K17/08128 , H03K2017/0806
摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。
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公开(公告)号：CN107677386A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201610620959.4
申请日：2016-08-02
IPC分类号： G01K7/00
CPC分类号： G01R31/2628 , G01K7/01 , G01K7/16 , G01K7/346 , G01K15/005 , G01K2217/00 , G01R31/26 , G01R31/2621 , H01L21/4853 , H01L21/67 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L29/42356 , G01K7/00
摘要： 本发明公开了一种用于温度测量的半导体结构和温度测量方法，涉及半导体器件测试领域。该半导体结构包括：待测半导体器件；从栅极延伸的超出用于待测半导体器件的有源区的栅极线；金属布线，金属布线位于栅极线上方，并通过两个或更多个节点与栅极线电连接；与金属布线两端分别耦接的第一测量电极以及第二测量电极，第一测量电极被设置得比第二测量电极更靠近栅极，其中，半导体结构适于在待测半导体器件工作时进行温度测量，其中，在温度测量时，第一测量电极耦接到第一电位，第二测量电极耦接到比第一电位低的第二电位。本发明的形成的结构能够使得在器件工作时进行温度测量，得到的温度测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN103944541B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410025513.8
申请日：2014-01-20
申请人： 延世大学校产学协力团
摘要： 提供一种温度传感器及温度感测方法，即一种温度感测电路及温度感测方法，该温度感测电路包括：延迟单元，延迟输入时钟信号以生成反馈时钟信号，并包括多个逻辑门，所述逻辑门的延迟时间基于温度是可变的；延迟控制单元，将该反馈时钟信号与基准时钟信号进行比较，并根据比较结果控制该延迟单元的每个逻辑门；以及输入信号控制单元，选择该反馈时钟信号和该基准时钟信号的任意一个作为该输入时钟信号，以将该输入时钟信号输入至该延迟单元。利用本发明，能够防止诸如量子化误差或抖动等噪声的累积，从而减小温度测量误差，并且能够减少温度测量电路中的功率消耗。
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公开(公告)号：CN103944541A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410025513.8
申请日：2014-01-20
申请人： 延世大学校产学协力团
摘要： 提供一种温度传感器及温度感测方法，即一种温度感测电路及温度感测方法，该温度感测电路包括：延迟单元，延迟输入时钟信号以生成反馈时钟信号，并包括多个逻辑门，所述逻辑门的延迟时间基于温度是可变的；延迟控制单元，将该反馈时钟信号与基准时钟信号进行比较，并根据比较结果控制该延迟单元的每个逻辑门；以及输入信号控制单元，选择该反馈时钟信号和该基准时钟信号的任意一个作为该输入时钟信号，以将该输入时钟信号输入至该延迟单元。利用本发明，能够防止诸如量子化误差或抖动等噪声的累积，从而减小温度测量误差，并且能够减少温度测量电路中的功率消耗。
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公开(公告)号：CN103033275A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210376118.5
申请日：2012-09-29
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 斯特凡·斯库勒
IPC分类号： G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01K7/346 , H03K17/08122 , H03K17/08128 , H03K2017/0806
摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。
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公开(公告)号：CN203053594U
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201220510790.4
申请日：2012-09-29
申请人： 赛米控电子股份有限公司
发明人： 斯特凡·斯库勒
IPC分类号： G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01K7/346 , H03K17/08122 , H03K17/08128 , H03K2017/0806
摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关温度的设备及电路装置，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该设备包括：操控电路（3），其构建成用于通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），持续时间测定单元（14），其构建成用于测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及温度测定单元（14），其构建成用于借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。本实用新型使高动态地测定半导体开关的温度成为可能。
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