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    用于测定半导体开关的温度的方法和设备
    1.
    发明公开
    用于测定半导体开关的温度的方法和设备 有权

    公开(公告)号：CN103033275A

    公开(公告)日：2013-04-10

    申请号：CN201210376118.5

    申请日：2012-09-29

    申请人： 赛米控电子股份有限公司

    发明人： 斯特凡·斯库勒

    IPC分类号： G01K7/01

    CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/346 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08128 ,  H03K2017/0806

    摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。

    用于测定半导体开关的温度的方法和设备
    2.
    发明授权
    用于测定半导体开关的温度的方法和设备 有权

    公开(公告)号：CN103033275B

    公开(公告)日：2016-12-21

    申请号：CN201210376118.5

    申请日：2012-09-29

    申请人： 赛米控电子股份有限公司

    发明人： 斯特凡·斯库勒

    IPC分类号： G01K7/01

    CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/346 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08128 ,  H03K2017/0806

    摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。

    带有开关装置和触发装置的电力电子系统
    3.
    发明授权
    带有开关装置和触发装置的电力电子系统 失效

    公开(公告)号：CN102956593B

    公开(公告)日：2016-08-17

    申请号：CN201210285356.5

    申请日：2012-08-10

    申请人： 赛米控电子股份有限公司

    发明人： 斯特凡·斯库勒

    IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/64 ,  H01L25/07

    摘要： 带有开关装置和触发装置的电力电子系统。开关装置具有多个功率开关和至少一个带有多个彼此电绝缘的印制导线的基板。至少一个功率开关构造为带有第一接触面的至少一个功率三极管和至少一个功率二极管，其与引导第一负载电势的第一印制导线电导通地连接。在背离基板的侧面上布置的第二接触面借助作为内部连接装置的部件的第一连接装置彼此地并且与至少一个引导第二负载电势的第二印制导线连接，其中，至少一个功率三极管的控制端与引导控制电势的印制导线连接。此外，功率三极管的第二接触面与另外的印制导线连接，该印制导线虽然具有所属的负载电势，但不引导负载电流。在此，触发装置的参考电势是开关装置的基板的另外的印制导线的参考电势。

    带有开关装置和触发装置的电力电子系统
    4.
    发明公开
    带有开关装置和触发装置的电力电子系统 失效

    公开(公告)号：CN102956593A

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：CN201210285356.5

    申请日：2012-08-10

    申请人： 赛米控电子股份有限公司

    发明人： 斯特凡·斯库勒

    IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/64 ,  H01L25/07

    摘要： 带有开关装置和触发装置的电力电子系统。开关装置具有多个功率开关和至少一个带有多个彼此电绝缘的印制导线的基板。至少一个功率开关构造为带有第一接触面的至少一个功率三极管和至少一个功率二极管，其与引导第一负载电势的第一印制导线电导通地连接。在背离基板的侧面上布置的第二接触面借助作为内部连接装置的部件的第一连接装置彼此地并且与至少一个引导第二负载电势的第二印制导线连接，其中，至少一个功率三极管的控制端与引导控制电势的印制导线连接。此外，功率三极管的第二接触面与另外的印制导线连接，该印制导线虽然具有所属的负载电势，但不引导负载电流。在此，触发装置的参考电势是开关装置的基板的另外的印制导线的参考电势。

    用于测定半导体开关温度的设备及电路装置
    5.
    实用新型
    用于测定半导体开关温度的设备及电路装置 失效

    公开(公告)号：CN203053594U

    公开(公告)日：2013-07-10

    申请号：CN201220510790.4

    申请日：2012-09-29

    申请人： 赛米控电子股份有限公司

    发明人： 斯特凡·斯库勒

    IPC分类号： G01K7/01

    CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/346 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08128 ,  H03K2017/0806

    摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关温度的设备及电路装置，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该设备包括：操控电路（3），其构建成用于通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），持续时间测定单元（14），其构建成用于测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及温度测定单元（14），其构建成用于借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。本实用新型使高动态地测定半导体开关的温度成为可能。