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公开(公告)号：CN107710380A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680037897.2
申请日：2016-06-30
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： H01J49/025 , G01T1/241 , G01T1/28 , H01J43/24 , H01J49/06 , H01J49/067
摘要： 本实施方式所涉及的带电粒子检测器(1)在组合具有偏角的MCP(10)和PD(80)的结构中，为了与现有技术相比更加提高响应特性，具备夹着聚焦电极(60)而配置的MCP和PD。MCP具有分别仅倾斜了偏角(θ)的多个贯通孔，以相对于MCP的中心轴(AX1)电子入射面的中心沿偏角方向(S3)仅偏离规定距离的方式，PD被偏心配置。
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公开(公告)号：CN103227097B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310021535.2
申请日：2013-01-21
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： G01T1/28
摘要： 本发明提供一种能够谋求到检测精度的提高以及结构的单纯化的离子检测装置。检测正离子的离子检测装置（1A）具备：设置有使正离子进入的离子进入口（3）的腔室（2）、被配置于腔室（2）内并且被施加负电位的转换倍增极（9）、被配置于腔室（2）内并具有与转换倍增极（9）相对并且入射从转换倍增极（9）释放出来的二次电子的电子入射面（30a）的雪崩光电二极管（30）；电子入射面（30a）在被接地的腔室（2）中相对于支撑雪崩光电二极管（30）的定位部（14）而言位于转换倍增极（9）一侧。
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公开(公告)号：CN102859706A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180012910.6
申请日：2011-01-01
申请人： TRI阿尔法能源公司
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/0725 , G01T1/28 , G21H1/04 , G21H1/06 , H01L31/0352 , H01L31/115 , Y02E10/542
摘要： 本发明提供了用于将高能光子的能量转换成电力的系统和方法，所述系统和方法采用带有不同原子电荷的一系列材料，以利用通过单个高能光子经一连串俄歇电子发射的大量电子发射。在一个实施例中，高能光子转换器优选地包括由夹在第二材料的层之间的第一材料的层构成的线性分层纳米级晶圆，其中所述第二材料的原子电荷数不同于所述第一材料的原子电荷数。在其他实施例中，纳米级的层以管状或壳状构型被构造和/或包括第三绝缘材料的层。
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公开(公告)号：CN107402401A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710815355.X
申请日：2017-09-12
申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC分类号： G01T1/28
CPC分类号： G01T1/28
摘要： 本发明公开了一种硬X射线成像探测器，解决了现有技术在探测硬X射线时时间分辨率和空间分辨率均低、并且视场小从而达不到实际探测需求的问题。本发明包括主要由探测器框体、射线滤窗和荧光屏共同围设而成密封的真空腔体，均设于真空腔体内的多通道硬X射线探测光阴极和微通道板，以及脉冲高压电源；脉冲高压电源分别为多通道硬X射线探测光阴极和微通道板提供工作电压，以及为多通道硬X射线探测光阴极和微通道板之间及微通道板和荧光屏之间加载电压。本发明结构简单、设计科学合理，使用方便，在探测硬X射线时能有效提高时间分辨率、优化空间分辨率和物方空间分辨，并且具备时间门控功能，同时具有很大的探测视场。
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公开(公告)号：CN1007292B
公开(公告)日：1990-03-21
申请号：CN86102223
申请日：1986-04-01
申请人： 埃米尔·卡米恩尼克基
发明人： 埃米尔·卡米恩尼克基
CPC分类号： G01T1/28 , G01R29/24 , G01R31/2656 , G01T1/246 , G03G5/00 , G03G5/02 , G03G15/00 , G03G15/054 , G03G15/221 , H04N5/30
摘要： 描述了用于无损读出在绝缘材料片或层上形成的静电潜像的方法和装置。半导体材料片或层置于与绝缘材料相当接近的位置上。形成在绝缘材料上的静电潜像在半导体材料的表面生成感应产生的表面耗尽层。当用合适波长的低强度调制光束扫描半导体时，在半导体材料上积累的电荷的位置及其分布作相应于半导体材料上感生的交流表面光电压的模拟信号读出，模拟信号的大小依赖于局部电荷密度。然后将所得到的模拟电信号数字化，处理，贮存和/或显示。
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公开(公告)号：CN88102717A
公开(公告)日：1988-11-16
申请号：CN88102717
申请日：1988-05-03
申请人： 光学诊继系统有限公司
发明人： 埃米尔·卡米恩尼克基 , 威廉·C·戈德法布
CPC分类号： G01R29/24 , G01R31/2656 , G01T1/246 , G01T1/28 , G03G5/00 , G03G5/02 , G03G15/00 , G03G15/04045 , G03G15/054 , G03G15/221 , H04N5/30
摘要： 在绝缘材料薄片或薄层上形成的静电潜象的无损读出方法和设备。半导体材料薄片或薄层设置于相对靠近该绝缘材料的附近。在该绝缘材料上形成的静电潜象在该半导体材料表面上感生表面耗尽层。当用适当波长的低光强调制后的光束对该半导体材料扫描时，就将在该半导材料上所储存的各电荷位置和分布状况作为相当于在该半导体材料上所感生的交流表面光电压的模拟电信号而读出，模拟信号的幅值取决于本身的电荷密度。该模拟电信号转换成数字信号，经处理后储存和/或显示出来。
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公开(公告)号：CN107710380B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201680037897.2
申请日：2016-06-30
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： H01J49/025 , G01T1/241 , G01T1/28 , H01J43/24 , H01J49/06 , H01J49/067
摘要： 本实施方式所涉及的带电粒子检测器(1)在组合具有偏角的MCP(10)和PD(80)的结构中，为了与现有技术相比更加提高响应特性，具备夹着聚焦电极(60)而配置的MCP和PD。MCP具有分别仅倾斜了偏角(θ)的多个贯通孔，以相对于MCP的中心轴(AX1)电子入射面的中心沿偏角方向(S3)仅偏离规定距离的方式，PD被偏心配置。
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公开(公告)号：CN103168339B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180050031.2
申请日：2011-09-09
申请人： 法国甫托尼公司
CPC分类号： H01L31/028 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01T1/28 , H01J1/32 , H01J9/125 , H01J43/18 , H01J43/246 , H01L31/1804 , Y10S977/755
摘要： 本发明涉及一种电子倍增器(1)，该电子倍增器(1)用于一种用于探测电磁辐射或离子流的系统。该倍增器(1)包括至少一个激活结构(2)，该至少一个激活结构(2)用于接收入射电子流，并且作为响应，发射称为二次电子的电子流。所述激活结构(2)包括基板(3)，在所述基板(3)上设置有薄的、由金刚石颗粒形成的纳米金刚石层(4)，这些金刚石颗粒的平均尺寸不大于100nm。
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公开(公告)号：CN102385064B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201110220208.0
申请日：2011-07-29
申请人： 浜松光子学株式会社
IPC分类号： G01T1/28
CPC分类号： G01T1/2006 , G01T1/185 , G01T1/28
摘要： 本发明的离子检测装置(1)，具备设置有使正离子以及负离子进入的离子进入口(3)的腔室(2)、配置于腔室(2)内并被施加负电位的转换倍增极(8)、配置于腔室(2)内并具有与转换倍增极(8)相对并且入射从转换倍增极(8)释放的二次电子的电子入射面(11a)的闪烁器(11)、形成于电子入射面(11a)并被施加正电位的导电层(13)、以及检测对应于二次电子的入射而由闪烁器(11)发出的光的光电倍增管(15)。
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公开(公告)号：CN103137418A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210595867.7
申请日：2012-11-29
申请人： FEI公司
发明人： B·R·小劳思
CPC分类号： H01J37/285 , G01T1/28 , H01J27/16 , H01J37/05 , H01J37/077 , H01J37/08 , H01J37/10 , H01J37/1471 , H01J37/265 , H01J37/30 , H01J37/304 , H01J37/305 , H01J37/3056 , H01J2237/0817 , H01J2237/24415 , H01J2237/2445 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/31749
摘要： 本发明涉及作为用于光谱分析的电子束源的感应耦合等离子体源。一种具有用户可选择配置的单镜筒感应耦合等离子体源操作在用于FIB操作的离子模式或用于SEM操作的电子模式下。装备有x射线探测器，能量色散x射线光谱分析是可能的。用户能够选择性地配置ICP以在离子模式或FIB模式下制备样品，接着实质上扳动选择电子模式或SEM模式的开关并且使用EDS或其它类型的分析来分析样品。
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