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公开(公告)号：CN103119929B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180044047.2
申请日：2011-09-13
申请人： 雷湾地区研究所
发明人： 约翰·罗兰兹 , 吉奥万尼·德克雷森佐 , 钱德拉·波克雷尔 , 阿拉·莱兹尼克
CPC分类号： G01T1/246 , A61B6/4208 , A61B6/583 , G01T1/16 , H01L31/115 , H04N5/32 , H04N5/3597 , H04N5/361
摘要： 提供了重置阻挡型光导成像检测器的系统和方法。在一个实施方式中，在获取图像之后，可通过施加反向偏置电压差并通过光激发辐射照亮成像辐射检测器来重置成像检测器。光激发辐射具有被选择为激发光导层内的移动电荷的波长和以空间补偿方式与用于中和被捕获电荷的测量图像关联的空间强度分布。在另一个实施方式中，光致电离光束被引导至具有与光导层接触的液晶层的x射线光阀上。该光束穿过x射线光阀的光学透射的表面并使液晶层内的物种光致电离，从而生成至少部分中和接触面处捕获的电荷的移动带电实体，从而改善了x射线光阀在执行后续x射线成像时的表现。
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公开(公告)号：CN103140943A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201080069395.0
申请日：2010-09-30
申请人： 迪迩科技
IPC分类号： H01L31/115 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/246 , H01L31/115
摘要： 公开了一种能够提高图像分辨率并且改进复杂的制造过程的用于检测辐射的辐射检测器及方法。该辐射检测器包括：上电极层，该上电极层传输辐射；第一光电导层，该第一光电导层借助于辐射而呈现光电导性；电荷俘获层，该电荷俘获层使得由于第一光电导层处的光电导性而产生的电荷被俘获，并且该电荷俘获层作用为浮动电极；第二光电导层，该第二光电导层通过读取后光来呈现光电导性；下透明电极层，该下透明电极层被充以由电荷俘获层俘获的电荷；以及后光发射单元，该后光发射单元以像素为单位将后光通过下透明电极层施加到第二光电导层。其中，本发明包括数据处理单元，该数据处理单元根据后光的照射从下透明电极层读取对应于被俘获在电荷俘获层中的电荷的信号，并通过使用所读取的信号生成辐射图像。
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公开(公告)号：CN101669186A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880013407.0
申请日：2008-04-25
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L31/085 , G01T1/246 , H01J31/28 , H01J31/49 , H01L27/14676 , H04N5/32
摘要： 本发明提供一种X射线摄像设备及X射线摄影装置。X射线摄像设备(1)具备X射线检测部(2)、冷电子源(3)、以及遮光涂层(9)。X射线检测部(2)具备由若X射线入射则产生电荷的X射线变换材料构成的X射线变换层、形成在X射线变换层的入射面的第一电荷注入阻止层、以及形成在X射线变换层的背面的第二电荷注入阻止层。冷电子源(3)具备分别向X射线检测部(2)的第二电荷注入阻止层能够发射电子的配置成多个矩阵状的电子发射部。遮光涂层(9)对可见光向X射线检测部(2)的入射进行遮挡。
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公开(公告)号：CN107703533A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610639194.9
申请日：2016-08-05
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G01T1/202 , G01T1/24 , G01V5/00 , G01N23/04 , H01L31/101 , H01L31/107 , A61B6/00
CPC分类号： G01T1/2018 , G01T1/202 , G01T1/2023 , G01T1/208 , A61B6/00 , A61B6/40 , A61B6/4208 , G01N23/04 , G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/246 , G01V5/00 , G01V5/0016 , H01L31/101 , H01L31/107
摘要： 一种探测面板及探测装置，该探测面板包括：碘化铯闪烁体层，其未掺杂铊；以及光电探测器，其设置于所述碘化铯闪烁体层的出光侧并且包括半导体层，所述半导体层的材料的禁带宽度大于或等于2.3eV。该探测面板可以降低探测面板的制作成本。
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公开(公告)号：CN102955167B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210284794.X
申请日：2012-08-10
IPC分类号： G01T1/36
CPC分类号： G01T1/17 , A61B6/032 , A61B6/4241 , G01T1/16 , G01T1/246 , G01T1/247 , G01T1/2928 , G01T1/36
摘要： 本发明公开了一种用于区分多能带辐射中的光子的能带的设备和方法。一种用于在读出电路中区分光子的能带的设备，所述读出电路针对每个能带对入射到传感器上的多能带辐射中的光子进行计数，该设备包括：积分器，用于积聚从已经进行了从光子的光电转换的传感器接收的电信号；比较器，用于将从积分器接收的积聚电信号与多个阈值中的一个阈值进行比较；信号处理器，用于根据比较的结果指示从多个阈值中的一个阈值顺序地切换到另一个阈值；基于与多个阈值顺序比较的来自比较器的结果输出区分光子的能带的数字信号。
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公开(公告)号：CN102525516A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110444216.3
申请日：2011-12-27
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： A61B6/00
CPC分类号： A61B6/484 , A61B6/4092 , A61B6/4283 , A61B6/4291 , A61B6/502 , G01T1/24 , G01T1/246 , G01T1/247
摘要： 放射线图像取得方法和放射线摄影装置。在放射线摄影装置中，第一和第二格栅或者放射线图像检测器被构成为相对于放射线摄影装置装卸自如。该放射线摄影装置包括检测放射线图像检测器的安装和拆卸的摄影盒装卸检测单元或检测第一格栅和第二格栅的安装和拆卸的格栅装卸检测单元。该放射线摄影装置还包括预照射控制单元，该预照射控制单元控制放射线源，使得当检测到放射线图像检测器或者第一和第二格栅的安装或拆卸时，执行用于检测第一、第二格栅与放射线图像检测器之间的相对位置偏差的预照射。
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公开(公告)号：CN1012406B
公开(公告)日：1991-04-17
申请号：CN88102717
申请日：1988-05-03
申请人： 光学诊断系统有限公司
发明人： 埃米尔·卡米恩尼克基 , 威廉·C·戈德法布
IPC分类号： H01L31/062 , G01T1/24 , H01L31/18
CPC分类号： G01R29/24 , G01R31/2656 , G01T1/246 , G01T1/28 , G03G5/00 , G03G5/02 , G03G15/00 , G03G15/04045 , G03G15/054 , G03G15/221 , H04N5/30
摘要： 在绝缘材料薄片或薄层上形成的静电潜象的无损读出方法和设备。半导体材料薄片或薄层设置于相对靠近该绝缘材料的附近。在该绝缘材料上形成的静电潜象在该半导体材料表面上感生表面耗尽层。当用适当波长的低光强调制后的光束对该半导体材料扫描时，就将在该半导体材料上所储存的各电荷位置和分布状况作为相当于在该半导体材料上所感生的交流表面光电压的模拟电信号而读出，模拟信号的幅值取决于本身的电荷密度。该模拟电信号转换成数字信号，经处理后储存和/或显示出来。
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公开(公告)号：CN86102223A
公开(公告)日：1986-11-05
申请号：CN86102223
申请日：1986-04-01
申请人： 埃米尔·卡米恩尼克基
发明人： 埃米尔·卡米恩尼克基
CPC分类号： G01T1/28 , G01R29/24 , G01R31/2656 , G01T1/246 , G03G5/00 , G03G5/02 , G03G15/00 , G03G15/054 , G03G15/221 , H04N5/30
摘要： 描述了用于无损读出在绝缘材料片或层上形成的静电潜象的方法和装置。半导体材料片或层置于与绝缘材料相当接近的位置上。形成在绝缘材料上的静电潜象在半导体材料的表面生成感应产生的表面耗尽层。当用合适波长的低强度调制光束扫描半导体时，在半导体材料上积累的电荷的位置及其分布作相应于半导体材料上感生的交流表面光电压的模拟信号读出，模拟信号的大小依赖于局部电荷密度。然后将所得到的模拟电信号数字化，处理，贮存和/或显示。
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公开(公告)号：CN104510484A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410525702.1
申请日：2014-10-08
申请人： 富士胶片株式会社
发明人： 桑原孝夫
IPC分类号： A61B6/00
摘要： 提供一种在放射线的照射时间比较短且连续地拍摄放射线图像的摄影模式和放射线的照射时间比较长的摄影模式的两个模式中，能够比以往获得高画质的放射线图像的放射线图像摄影装置、消除光源的控制方法及程序。在放射线检测器为基于在第一照射时间从放射线源照射的放射线而生成放射线图像的图像数据的第一摄影模式的情况下，在摄影期间内使消除光源熄灭。在放射线检测器为基于在比第一照射时间短的第二照射时间从放射线源连续地照射的放射线而生成多个放射线图像的图像数据的第二摄影模式的情况下，在摄影期间内使消除光源点亮。
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公开(公告)号：CN103119929A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180044047.2
申请日：2011-09-13
申请人： 雷湾地区研究所
发明人： 约翰·罗兰兹 , 吉奥万尼·德克雷森佐 , 钱德拉·波克雷尔 , 阿拉·莱兹尼克
CPC分类号： G01T1/246 , A61B6/4208 , A61B6/583 , G01T1/16 , H01L31/115 , H04N5/32 , H04N5/3597 , H04N5/361
摘要： 本发明提供了重置阻挡型光导成像检测器的系统和方法。在一个实施方式中，在获取图像之后，可通过施加反向偏置电压差并通过光激发辐射照亮成像辐射检测器来重置成像检测器。光激发辐射具有被选择为激发光导层内的移动电荷的波长和以空间补偿方式与用于中和被捕获电荷的测量图像关联的空间强度分布。在另一个实施方式中，光致电离光束被引导至具有与光导层接触的液晶层的x射线光阀上。该光束穿过x射线光阀的光学透射的表面并使液晶层内的物种光致电离，从而生成至少部分中和接触面处捕获的电荷的移动带电实体，从而改善了x射线光阀在执行后续x射线成像时的表现。
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