公开(公告)号：CN100435319C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200510119987.X

申请日：2005-09-30

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： T·约翰松 ,  H·诺尔斯特伦

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8226 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0214 ,  H01L27/0237 ,  H01L27/0744 ,  H01L27/0821 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735

摘要： 一种制备I2L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。

公开(公告)号：CN1790673A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119987.X

申请日：2005-09-30

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： T·约翰松 ,  H·诺尔斯特伦

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8226 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L27/0214 ,  H01L27/0237 ,  H01L27/0744 ,  H01L27/0821 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735

摘要： 一种制备I2L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。